Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=квантовый выход<.>)

Общее количество найденных документов : 21
Показаны документы с 1 по 20

1-10 11-21 21-21

535
Г 952

Гурин, Н. Т.
Квантовый выход и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка [Текст] / Н. Т. Гурин, А. В. Шляпин, О. Ю. Сабитов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 9 назв. . - ISSN 0044-4642

УДК

535

ББК 22.34
Рубрики: Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
квантовый выход -- светоотдача -- сульфид цинка -- тонкопленочные структуры -- электролюминесцентные структуры
Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования процессов формирования зависимостей мгновенных значений внутреннего квантового выхода и светоотдачи тонкопленочных электролюминесцентных излучателей от времени, среднего поля в слое люминофора и заряда, протекающего через этот слой, а также формировния зависимостей внутреннего квантового выхода и светоотдачи от амплитуды напряжения возбуждения. Показано, что при увеличении частоты этого напряжения выше 10 Hz на участке роста яркости и тока через слой люминофора на зависимостях мгновенных значений квантового выхода и светоотдачи от времени появляется провал, а на участке спада яркости и тока - пик, обусловленные различием скоростей нарастания и спада яркости и тока

Доп.точки доступа:
Шляпин, А.В.; Сабитов, О.Ю.

Найти похожие

535.373.2
Д 369

Дерябин, М. И.
О концентрационной зависимости квантового выхода сенсибилизированной фосфоресценции нафталина в толуоле при 77 К [Текст] / М. И. Дерябин, А. Б. Тищенко // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 10. - Библиогр.: с. 6 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

535.373.2

ББК 22.34
Рубрики: Физика--Оптика
Кл.слова (ненормированные):
квантовый выход -- сенсибилизированная фосфоресценция -- фосфоресценция -- нафталин -- толуол -- толуольные растворы -- бензофенон
Аннотация: Исследована концентрационная зависимость квантового выхода сенсибилизированной фосфоресценции нафталина (донор бензофенон) в эквимолярных толуольных растворах при 77 К в интервале концентраций компонентов от 0, 1 до 0, 5 моль/л. Установлен немонотонный характер этой зависимости.

Доп.точки доступа:
Тищенко, А. Б.

Найти похожие

Банишев, А. А.
Определение квантового выхода синглет-триплетной конверсии в молекулах сложных органических соединений методом нелинейной лазерной флуориметрии [Текст] / А. А. Банишев, Д. В. Маслов, В. В. Фадеев // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2008. - N 3. - С. 67-69 : Рис., таблица. - Библиогр.: c. 69 (6 назв. ) . - ISSN 0201-7385

УДК

^a535.37

^a539.21:535

ББК 22.345 + 22.374
Рубрики: Физика
Люминесценция
Оптические свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
квантовый выход -- красители -- нелинейная лазерная флуориметрия -- синглет-триплетная конверсия -- сложные органические соединения -- триплетное состояние
Аннотация: Продемонстрированы возможности нелинейной лазерной флуориметрии в определении квантового выхода в триплетное состояние. Из кривых насыщения флуоресценции определены значения сечения поглощения и квантового выхода в триплетное состояние для красителей 6-аминофеноленона и родамина 6Ж (используемого в качестве теста).

Доп.точки доступа:
Маслов, Д. В.; Фадеев, В. В.

Найти похожие

Термическая устойчивость и рентгенолюминесцентные свойства фтороцирконатов и фторосульфатоцирконатов [Текст] / М. М. Годнева [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2009. - Т. 54, N 4. - С. 617-622 : рис. - Библиогр.: с. 622 (8 назв. ) . - ISSN 0044-457X

УДК

^a546

ББК 24.12
Рубрики: Химия
Химические элементы и их соединения
Кл.слова (ненормированные):
фториды -- фазы -- термическое разложение -- квантовый выход -- рентгенолюминесценция -- термообработка
Аннотация: Изучена термическая устойчивость фтороцирконатов и фторосульфатоцирконатов в атмосфере неосушенного воздуха и установлено влияние термообработки на их рентгенолюминесцентные свойства.

Доп.точки доступа:
Годнева, М. М.; Борозновская, Н. Н.; Мотов, Д. Л.; Климкин, В. М.; Михайлова, Н. Л.

Найти похожие

О селекции мод в поперечных волноводах полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур [Текст] / С. О. Слипченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 119-123 . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
ассиметричные гетероструктуры -- эпитаксия -- волноводы -- квантовый выход -- полупроводниковые лазеры -- лазерные диоды -- лазерные гетероструктуры
Аннотация: Исследованы асимметричные Al[0. 3]Ga[0. 7]As/GaAs/InGaAs-гетероструктуры с расширенным волноводом, изготовленные методом МОС-гидридной эпитаксии. Установлено, что прецизионное смещение активной области к одному из эмиттеров обеспечивает генерацию выбранной моды высшего порядка в поперечном расширенном волноводе. Экспериментально доказано, что это приводит к увеличению внутренних оптических потерь и снижению внутреннего квантового выхода стимулированного излучения. Экспериментально установлено, что смещение активной области к p-эмиттеру определяет сублинейный характер ватт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров, при смещении активной области к p-эмиттеру лазерные диоды демонстрировали линейную зависимость оптической мощности во всем интервале токов накачки.

Доп.точки доступа:
Слипченко, С. О.; Бондарев, А. Д.; Винокуров, Д. А.; Николаев, Д. Н.; Фетисова, Н. В.; Соколова, З. Н.; Пихтин, Н. А.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

Павлюченко, А. С.
Проявление инжекционного механизма падения эффективности светодиодов на основе AlInGaN в температурной зависимости внешнего квантового выхода [Текст] / А. С. Павлюченко, И. В. Рожанский, Д. А. Закгейм // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1391-1395 : ил. - Библиогр.: с. 1395 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовый выход -- внешний квантовый выход -- инжекция -- инжекционный механизм падения -- светодиоды -- AlInGaN -- гетероструктуры -- эффективность падения -- квантовая эффективность -- температура -- температурная зависимость -- численное моделирование -- область пространственного заряда -- ОПЗ
Аннотация: Работа посвящена исследованию механизма снижения внешней квантовой эффективности в светодиодных гетероструктурах на основе AlInGaN при высокой плотности тока накачки. Проведены исследования зависимости внешней квантовой эффективности от температуры для двух типов гетероструктур с активной областью, расположенной в n- и p-области гетероструктуры. Экспериментально установлено, что зависимости внешнего квантового выхода от температуры при больших плотностях токов накачки для этих двух типов гетероструктур носят различный характер. С помощью численного моделирования показано, что указанное различие обусловлено различной температурной зависимостью коэффициента инжекции носителей в активную область гетероструктур с активной областью n- и p-типа. Полученные данные свидетельствуют о ключевой роли инжекционного механизма в эффекте падения внешнего квантового выхода с ростом тока накачки.

Доп.точки доступа:
Рожанский, И. В.; Закгейм, Д. А.

Найти похожие

Влияние электрического поля на интенсивность и спектр излучения квантовых ям InGaN/GaN [Текст] / Н. И. Бочкарева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1541-1548 : ил. - Библиогр.: с. 1547-1548 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- КЯ -- InGaN/GaN -- спектры излучений -- электрические поля -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электролюминесценция -- p-n переходы -- напряжение -- прямое напряжение -- туннелирование -- квантовый выход -- фототоки -- инжекция -- электрическая инжекция -- оптическая инжекция -- квантовая эффективность
Аннотация: Проведены сравнительные исследования фотолюминесценции из квантовых ям при приложении прямого напряжения и электролюминесценции в структурах p-GaN/InGaN/n-GaN. Показано, что при приложении прямого напряжения наблюдается характерный красный сдвиг пика спектра, а также уширение линии фотолюминесценции и одновременное возгорание фотолюминесценции, связанные с уменьшением поля в области объемного заряда p-n-перехода и подавлением туннельной утечки носителей заряда из хвостов плотности состояний активного слоя InGaN. Анализ полученных результатов показал существенное влияние туннелирования на квантовый выход и позволил оценить внутреннюю квантовую эффективность структур. Показано, что неравновесное заполнение хвостов плотности состояний квантовых ям InGaN/GaN зависит от способа инжекции и контролируется захватом носителей, инжектированных в квантовую яму, при оптической инжекции и туннелированием носителей "под" квантовой ямой при электрической инжекции.

Доп.точки доступа:
Бочкарева, Н. И.; Богатов, А. Л.; Горбунов, Р. И.; Латышев, Ф. Е.; Зубрилов, А. С.; Цюк, А. И.; Клочков, А. В.; Леликов, Ю. С.; Ребане, Ю. Т.; Шретер, Ю. Г.

Найти похожие

Влияние толщины активной области на характеристики полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs с расширенным волноводом [Текст] / Д. А. Винокуров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 246-250 : ил. - Библиогр.: с. 249-250 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a535.2/.3

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые лазеры -- асимметричные гетероструктуры -- гетероструктуры раздельного ограничения -- активная область гетероструктур -- AlGaAs/GaAs/InGaAs -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- расширенные волноводы -- квантовая эффективность -- оптические излучения -- мощности -- фотолюминесценция -- квантовые ямы -- дефекты -- плотность тока -- температурная чувствительность -- квантовый выход -- лазерные характеристики
Аннотация: Исследовано влияние толщины активной области на основные характеристики мощных полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs/InGaAs, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что пороговый ток, температурная чувствительность пороговой плотности тока, стимулированный квантовый выход и дифференциальная квантовая эффективность улучшаются с увеличением толщины активной области. Продемонстрировано, что максимально достижимая мощность оптического излучения полупроводникового лазера и внутренний квантовый выход фотолюминесценции наиболее чувствительны к возникновению дефектов в гетероструктуре и снижаются при превышении критической толщины напряженного слоя InxGa1-xAs в активной области.

Доп.точки доступа:
Винокуров, Д. А.; Васильева, В. В.; Капитонов, В. А.; Лютецкий, А. В.; Николаев, Д. Н.; Пихтин, Н. А.; Слипченко, С. О.; Станкевич, А. Л.; Шамахов, В. В.; Фетисова, Н. В.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (lambda~3. 3 мкм) [Текст] / А. П. Астахова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 278-284 : ил. - Библиогр.: с. 284 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- двойные гетероструктуры -- InAs/InAsSbP -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- подложки -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- электролюминесцетные характеристики -- светоизлучающие кристаллы -- чипы -- эпитаксиальные слои -- спектральные характеристики -- инжекция -- квантовая характеристика -- квантовая эффективность -- излучательная рекомбинация -- квантовый выход -- длина волны -- мощные светодиоды -- светоизлучающие структуры -- оптическая мощность -- квазинепрерывный режим
Аннотация: Исследованы два типа конструкций светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках p- и n-InAs. Изучены вольт-амперные и электролюминесцетные характеристики созданных светодиодов. Показано, что конструкция светодиода со светоизлучающим кристаллом (чипом), смонтированным эпитаксиальным слоем к корпусу прибора и выводом излучения через подложку n-InAs, обеспечивает лучший отвод тепла и, как следствие, устойчивость спектральных характеристик при увеличении тока инжекции и более высокую квантовую эффективность излучательной рекомбинации. Внутренний квантовый выход светоизлучающих структур с длиной волны lambda=3. 3-3. 4 мкм достигал величины 22. 3%. Оптическая мощность излучения светодиодов в квазинепрерывном режиме составляла 140 мкВт при токе 1 А, а в импульсном режиме достигала значения 5. 5 мВт при токе 9 А.

Доп.точки доступа:
Астахова, А. П.; Головин, А. С.; Ильинская, Н. Д.; Калинина, К. В.; Кижаев, С. С.; Серебренникова, О. Ю.; Стоянов, Н. Д.; Horvath, Zs. J; Яковлев, Ю. П.

Найти похожие

10.

Полимеризация акриловых производных пентаэритрита, инициируемая видимым светом [Текст] / Г. В. Любимова [и др. ] // Химическая физика. - 2010. - Т. 29, N 4. - С. 84-89 : ил. - Библиогр.: с. 89 (18 назв. ) . - ISSN 0207-401X

УДК

^a667

ББК 35.79
Рубрики: Химическая технология
Другие химические производства
Кл.слова (ненормированные):
полимеризация пентаэритрита -- акриловые производные пентаэритрита -- производные пентаэритрита -- пентаэритрит -- видимый свет -- фотополимеризация триакрилата -- триакрилат -- хлорацетил-производные -- камфорхинон -- конверсия маномеров -- маномеры -- донорно-акцепторные системы -- трет-амин-камфорхинон -- квантовый выход -- фотодиссоциация -- трет-амины -- амины -- четвертичные соли -- эксиплексы
Аннотация: В реальном масштабе времени изучена фотополимеризация триакрилата пентаэритрита и его хлорацетил-производного под действием видимого света в присутствии инициатора камфорхинона. Показано, что фотополимеризация протекает с низкой скоростью с конверсией мономера до 40%. Введение хлорацетатной группы лишь незначительно ускоряет полимеризацию, при этом конверсия мономера не изменяется. Применение донорно-акцепторных инициирующих систем (трет-амин-камфорхинон) позволяет примерно на порядок увеличить скорость полимеризации. Основной причиной этого эффекта является повышение квантового выхода фотодиссоциации инициатора в присутствии трет-аминов. Скорость полимеризации мономеров не коррелирует с потенциалом ионизации амина и, следовательно, со скоростью генерирования радикалов. Система камфорхинон-амин образует с триакрилатхлорацетатом пентаэритрита четвертичную соль, препятствующую образованию эксиплекса.

Доп.точки доступа:
Любимова, Г. В.; Шашкова, В. Т.; Любимов, А. В.; Западинский, Б. И.

Найти похожие

11.

Температурная зависимость внутренних оптических потерь в полупроводниковых лазерах (lambda =900-920 нм) [Текст] / Н. А. Пихтин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1411-1416 : ил. - Библиогр.: с. 1415 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые лазеры -- лазеры -- оптические потери -- температурные зависимости -- длина волны -- гетероструктуры -- волноводы -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- лазерные гетероструктуры -- квантовый выход -- температура -- носители заряда -- волноводные слои -- ватт-амперная характеристика -- генерация -- экспериментальные исследования
Аннотация: Исследованы температурные зависимости излучательных характеристик полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (длина волны излучения lambda=900-920 нм). Установлено, что в непрерывном режиме генерации с ростом тока накачки и температуры активной области растет пороговая концентрация в активной области и волноводных слоях лазерной гетероструктуры раздельного ограничения. Экспериментально установлено, что в диапазоне температур 20-140{o}C величина стимулированного квантового выхода остается неизменной. Показано, что температурная делокализация носителей заряда ведет к росту концентрации носителей заряда в волноводных слоях лазерной гетероструктуры. Суммарный рост внутренних оптических потерь на рассеяние на свободных носителях заряда в слоях активной области и волноводных слоях лазерной гетероструктуры ведет к снижению дифференциальной квантовой эффективности и к насыщению ватт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров в непрерывном режиме генерации.

Доп.точки доступа:
Пихтин, Н. А.; Слипченко, С. О.; Шашкин, И. С.; Ладугин, М. А.; Мармалюк, А. А.; Подоскин, А. А.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

12.

Фотофизические свойства индоло[3, 2-b]карбазолов - перспективного класса материалов для оптоэлектроники [Текст] / В. М. Светличный [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1629-1635 : ил. - Библиогр.: с. 1634-1635 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотофизические свойства -- индолокарбазолы -- перспективные материалы -- оптоэлектроника -- синтезированные индолокарбазолы -- светочувствительные параметры -- интегральная светочувствительность -- спектральные параметры -- квантовый выход -- свободные заряды -- транспортные параметры -- эффективная подвижность -- диоктилиндолокарбазолы -- карбазолы -- пентацены -- молекулярные среды -- органические кристаллы -- фотогенерация зарядов -- фотолюминесценция -- синтезированные производные -- электролюминесцентные приборы
Аннотация: Проведен сравнительный анализ фотофизических свойств новых синтезированных индолокарбазолов - индоло[3, 2-b]карбазола и его производных. Показано, что они по своим светочувствительным (интегральная светочувствительность - до (5-8) ·10{-2} (лк·с) {-1}, спектральная - на уровне 10{5} см{2}/Дж{-1}; квантовый выход фотогенерации свободных носителей заряда - 0. 1) и транспортным (эффективная подвижность в 5, 11-диоктилиндоло[3, 2-b]карбазола - более 10{-5} см{2}/ (В·с) ) параметрам значительно превосходят производные индола и карбазола и приближаются к пентацену, имеющему среди молекулярных сред (органических кристаллов) наибольшие квантовые выходы фотогенерации носителей заряда. Высокий уровень фотолюминесценции синтезированных производных индоло[3, 2-b]карбазола позволяет надеяться на возможность их использования в электролюминесцентных приборах.

Доп.точки доступа:
Светличный, В. М.; Александрова, Е. Л.; Мягкова, Л. А.; Матюшина, Н. В.; Некрасова, Т. Н.; Тамеев, А. Р.; Степаненко, С. Н.; Ванников, А. В.; Кудрявцев, В. В.

Найти похожие

13.

621.315.592
A 35

AlGaInN-светодиоды с прозрачным p-контактом на основе тонких пленок ITO [Текст] / И. П. Смирнова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 384-388 : ил. - Библиогр.: с. 388 (8 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- светодиоды -- AlGaInN-светодиоды -- ITO -- indium tin oxide -- квантовый выход -- спектральный диапазон -- квантовая эффективность -- сверхрешетки -- пленки -- металлические контакты
Аннотация: Разработан способ получения прозрачных проводящих пленок ITO (indium tin oxide), предназначенных для использования в светодиодах синего спектрального диапазона. Максимальный внешний квантовый выход светодиодов с p-контактом на основе полученных пленок достигает 25 %, в то время как для аналогичных светодиодов со стандартным полупрозрачным металлическим контактом он составляет меньше 10 %. Наблюдаемое увеличение прямого падения напряжения с 3. 15 до 3. 37 В не оказывает существенного влияния на возможность применения данных пленок в светодиодах, так как величина оптической мощности светодиодов с прозрачным p-контактом на основе пленок ITO почти в 2. 5 раза превышает оптическую мощность кристаллов с металлическими полупрозрачными p-контактами при рабочем токе 20 мА. Светодиоды с p-контактами на основе пленок ITO успешно выдерживали токи накачки, в 5 раз превышающие их расчетный рабочий ток, не обнаруживая признаков деградации.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p384-388.pdf

Доп.точки доступа:
Смирнова, И. П.; Марков, Л. К.; Павлюченко, А. С.; Кукушкин, М. В.

Найти похожие

14.

621.315.592
Л 947

Люминесценция структур CdMnTe/CdMgTe с периодически расположенными узкозонными включениями [Текст] / В. Ф. Агекян [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 5. - С. 655-658 : ил. - Библиогр.: с. 658 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

535.37

ББК 31.233 + 22.345
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
люминесценция -- спектры излучения -- экситонное излучение -- внутрицентровая люминесценция -- ВЛ -- монослои -- МС -- неоднородность слоев -- спектральный состав -- квантовый выход -- ионы марганца
Аннотация: Исследованы спектры экситонного и внутрицентрового излучения планарных структур с периодически расположенными слоями Cd[0. 9]Mn[0. 1]Te (номинальная толщина - один монослой), которые разделены барьерами Cd[0. 5]Mg[0. 5]Te различной толщины. Сложная структура спектров и характер их изменения в интервале температур 5-80 K указывают на неоднородность слоев Cd[0. 9]Mn[0. 1]Te, на значительную роль вертикальной диффузии, на корреляцию неоднородностей в направлении роста при малом расстоянии между узкозонными слоями Cd[0. 9]Mn[0. 1]Te. Существенным фактором, влияющим на спектральный состав и квантовый выход экситонного излучения, является соотношение радиуса экситона и периода структуры.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/05/p655-658.pdf

Доп.точки доступа:
Агекян, В. Ф.; Karczewski, G.; Серов, А. Ю.; Философов, Н. Г.

Найти похожие

15.

621.315.592
Ф 815

Фото- и электрофизические свойства полифенилхинолинов, содержащих фрагменты карбазола или индоло[3, 2-b]карбазола - новых материалов для оптоэлектроники [Текст] / В. М. Светличный [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1392-1398 : ил. - Библиогр.: с. 1398 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

544^V3

ББК 31.233 + 24.5
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Химия
   Физическая химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотофизические свойства -- электрофизические свойства -- полифенилхинолины -- ПФХ -- карбазолы -- сверхчувствительность -- радикалы (физика) -- квантовый выход -- фотогенерация -- носители заряда -- свободные носители заряда -- полимеры -- люминесценция -- оптоэлектроника
Аннотация: Исследованы фото- и электрофизические свойства новых синтезированных 2, 6-полифенилхинолинов, содержащих между хинолиновыми циклами кислородную или фениламинную мостиковую группу, а в качестве ариленового радикала - алкилированные производные карбазола или индоло[3, 2-b]карбазола. Показано, что для новых полифенилхинолинов светочувствительность составляет 10{4}-10{5} см{2}/Дж, а квантовый выход фотогенерации свободных носителей заряда достигает 0. 15. При этом значения фотофизических характеристик увеличиваются как при замене кислородной мостиковой группы на фениламинную, так и при переходе от карбазола к индолокарбазолу. Обнаружено, что пленка полифенилхинолина, содержащего в элементарном звене полимера кислородную мостиковую группу и алкилкарбазольный фрагмент, обладает "белой" люминесценцией. В пленках всех изученных полимеров обнаружен как электронный, так и дырочный транспорт с подвижностью на уровне 10{-6} см{2}/ (В x с), причем, варьируя химической структурой мостиковой группы (кислородная или фениламинная) между фенилхинолиновыми циклами и выбирая в качестве ариленового радикала производные карбазола или индоло[3, 2-b]карбазола, можно управлять величиной и типом проводимости.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1392-1398.pdf

Доп.точки доступа:
Светличный, В. М.; Александрова, Е. Л.; Мягкова, Л. А.; Матюшина, Н. В.; Некрасова, Т. Н.; Смыслов, Р. Ю.; Тамеев, А. Р.; Степаненко, С. Н.; Ванников, А. В.; Кудрявцев, В. В.

Найти похожие

16.

535.37
П 222

Пашкеев, Д. А.
Роль междолинного рассеяния в излучательной рекомбинации твердого раствора Pb[1-x]Eu[x]Te (0 меньше или равно x меньше или равно 1) / Д. А. Пашкеев, авт. И. И. Засавицкий // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 6. - С. 745-750 : ил. - Библиогр.: с. 750 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.37

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
междолинное рассеяние -- эпитаксиальные слои -- фотолюминесценция -- ФЛ -- твердые слои -- люминесценция -- излучательная рекомбинация -- рассеяние электронов -- неравновесные электроны -- квантовый выход -- оптические переходы -- магнитные поляроны -- запрещенные зоны
Аннотация: Из измерений фотолюминесценции эпитаксиальных слоев твердого раствора Pb[1-x]Eu[x]Te (0 меньше или равно x меньше или равно 0. 32) было установлено, что с увеличением содержания Eu интенсивность излучения уменьшается и уже для состава x ~ 0. 1 падает более чем на порядок величины. Для составов 0. 2 меньше x меньше или равно 0. 32 люминесценция не наблюдалась. Это объясняется сменой экстремума в зоне проводимости (L стремящейся к X) при x ~ 0. 1, что приводит к рассеянию неравновесных электронов в X-долину и квантовый выход излучения падает. Как следует из литературных данных, при x больше 0. 85 оптические переходы также происходят с участием X-долины, при этом излучение определяется образованием магнитного полярона. Измерены зависимости ширины запрещенной зоны от температуры для составов 0 меньше или равно x меньше или равно 0. 11. Они имеют широкую линейную область с положительным коэффициентом dE[g]/dT, который с увеличением содержания Eu уменьшается и для EuTe становится отрицательным.
From photoluminescence of Pb[1-x]Eu[x]Te (0 less-than or equal to x less-than or equal to 0. 32) solid solution epilayers it was found that the luminescence intensity decreases with the Eu content increase and for x ~ 0. 1 it already drops more than one order of magnitude. Luminescence did not observe for the composition of0. 2 less-than x less-than 0. 32. It is explained by change of absolute conduction band minimum (L entails X) at x ~ 0. 1 that results in scattering of non equilibrium electrons in X-valley and decreases the emission quantum efficiency. According to literature data the optical transitions for x greater-than 0. 85 also occur involving the X valley and the radiative transitions are due to formation of magnetic polaron. The temperature dependences of band gap energy were determined for 0 greater-than or equal to x greater-than or equal to 0. 11 compositions. They have a wide linear region with positive coefficient dE[g]/dT that decrease with the Eu content increase and this coefficient becomes negative for EuTe.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/06/p745-750.pdf

Доп.точки доступа:
Засавицкий, И. И.

Найти похожие

17.

621.315.592
В 586

Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN / И. А. Прудаев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 10. - С. 1391-1395 : ил. - Библиогр.: с. 1395 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- квантовый выход -- множественные квантовые ямы -- МКЯ -- InGaN/GaN -- локализованные состояния -- акцепторы -- инжекция -- дырки -- электроны -- квантовые ямы -- низкие температуры -- плотность тока -- ток -- светодиоды
Аннотация: Представлены экспериментальные вольт-амперные характеристики и зависимости внешнего квантового выхода от плотности тока светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN для широкого интервала температур T=10-400 K. Показано, что в области низких температур, при T<100 K, инжекция дырок в квантовые ямы происходит из локализованных состояний акцепторов. Инжекция электронов в p-GaN при низких температурах происходит за счет квазибаллистического транспорта в области множественных квантовых ям. Рост температуры приводит к увеличению тока, обусловленного термически активированной инжекцией дырок и электронов из разрешенных зон GaN.
Experimental current-voltage characteristics and external quantum efficiency dependences on current density in the wide temperature range, T = 10-400K, for InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes are presented. It is shown that at the low temperatures, T < 100K, hole injection in the quantum wells occurs from the localized states of acceptors. The electron injection in p-GaN occurs due to quasi-ballistic transport in multiple quantum well region. Temperature increase leads to increase of the current which is caused by thermally activated injection of holes and electrons from allowed bands of GaN.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/10/p1391-1395.pdf

Доп.точки доступа:
Прудаев, И. А.; Голыгин, И. Ю.; Ширапов, С. Б.; Романов, И. С.; Хлудков, С. С.; Толбанов, О. П.; Томский государственный университет; Томский государственный университет; Томский государственный университет; Томский государственный университет; Томский государственный университет; Томский государственный университет

Найти похожие

18.

621.38
Т 327

Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами ingan/gan при фото- и электролюминесценции / И. А. Прудаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 7. - С. 30-32 : рис. - Библиогр.: c. 32 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.38

ББК 32.857
Рубрики: Радиоэлектроника
Диэлектрические приборы
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- квантовые ямы -- квантовый выход -- люминесценция -- светодиодные гетероструктуры -- светодиоды -- температурная зависимость -- фотолюминесценция -- электролюминесценция
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований зависимости внешнего квантового выхода светодиодных структур синего диапазона на основе InGaN/GaN от плотности тока (интенсивности оптического возбуждения) при различных температурах в режиме электролюминесценции (фотолюминесценции).

Доп.точки доступа:
Прудаев, И. А.; Романов, И. С.; Копьев, В. В.; Ширапов, С. Б.; Толбанов, О. П.; Хлудков, С. С.

Найти похожие

19.

621.382
Р 362

Рекомбинационные токи в светодиодах на основе множественных квантовых ям (Al_xG_1-x)_0,5In_0,5P/(Al_y, Ga_1-y)_0,5 In_0,5 P / И. А. Прудаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8. - С. 44-47 : рис., табл. - Библиогр.: c. 47 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.382

ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
Саа-Нойса-Шокли ток -- вольт-амперная характеристика -- гетероструктуры -- квантовый выход -- полупроводниковые источники света -- рекомбинационные токи -- светодиоды -- светодиоды желтого диапазона -- светодиоды красного диапазона -- ток Саа-Нойса-Шокли
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований влияния температуры на прямую вольт-амперную характеристику светодиодов с активной областью из множественных квантовых ям (Al_xG_1-x) _0, 5In_0, 5P/ (Al_y, Ga_1-y) _0, 5 In_0, 5 P. Показано, что в интервале температур 210-390 К на вольт-амперной характеристике можно выделить несколько участков. Проведенный анализ позволил связать первый участок с рекомбинационным током Саа-Нойса-Шокли, второй с током излучательной рекомбинации.

Доп.точки доступа:
Прудаев, И. А.; Скакунов, М. С.; Лелеков, М. А.; Рябоштан, Ю. Л.; Горлачук, П. В.; Мармалюк, А. А.

Найти похожие

20.

535.37
Л 677

Ллюминесцентные характеристики некоторых мезогенных комплексов трис(бета-дикетонатов) европия(III) с основаниями Льюиса / К. А. Романова [и др.]. // Журнал физической химии. - 2013. - Т. 87, № 12. - С. 2157-2160. - Библиогр.: с. 2160 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4537

УДК

535.37

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
время жизни люминесценции -- жидкие кристаллы -- квантовый выход -- комплексы европия -- люминесценция
Аннотация: Изучены люминесцентные свойства жидкокристаллических комплексов трис (бета-дикетонатов) европия (III) с основаниями Льюиса (замещенным 2, 2'-бипиридином и 1, 10-фенантролином). Измерен абсолютный и относительный квантовый выход, время жизни люминесценции, изучены спектры поглощения, возбуждения и излучения комплексов.

Доп.точки доступа:
Романова, К. А.; Дацкевич, Н. П.; Тайдаков, И. В.; Витухновский, А. Г.; Галяметдинов, Ю. Г.; Казанский национальный исследовательский технологический университет; Российская академия наук, Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва); Российская академия наук, Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва); Российская академия наук, Физический институт им. П. Н. Лебедева (Москва); Казанский национальный исследовательский технологический университет

Найти похожие

1-10 11-21 21-21

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)