Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=гетероэпитаксиальные слои<.>)

Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 11

1-10 11-11

53
С 288

Сейсян, Р. П.
Абляция тонких эпитаксиальных пленок GaN под действием импульсного излучения KrF эксимерного лазера [Текст] / Р. П. Сейсян, А. В. Ермакова [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 7. - С. 64-70 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- гетероэпитаксиальные слои -- абляция -- лазерная абляция -- светодиоды
Аннотация: Исследовались пороги лазерной абляции гетероэпитаксиальных слоев GaN, выращенных на сапфировой подложке. Получены зависимости толщины удаленной пленки GaN от плотности потока падающего вакуумного ультрафиолетового излучения с длиной волны 248 nm. Пороги фотоабляции и термоабляции составили соответственно 252 и 520 mJ/cm\{2\}. Анализ термоабляции позволил оценить изменение энтальпии реакции диссоциации GaN как 150 kJ/M, что согласуется с табличными данными. Данные, полученные в работе, легли в основу технологии изготовления "синих" светодиодов и позволили существенно увеличить выход излучения через поверхность диода.

Доп.точки доступа:
Ермакова, А. В.; Калитеевская, Н. А.; Марков, Л. К.; Рымалис, М. Р.

Найти похожие

Электрические свойства гетероэпитаксиальных слоев HgCdTe n-типа проводимости, модифицированных ионным травлением [Текст] / М. Поцяск [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 12. - С. 1444-1447

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
HgCdTe -- гетероэпитаксиальные слои -- n-тип проводимости -- ионное травление -- индий -- фотодиодные структуры -- молекулярно-пучковая эпитаксия
Аннотация: Исследованы электрические свойства модифицированных ионным травлением гетероэпитаксиальных слоев HgCdTe n-типа проводимости, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией, нелегированных и легированных в процессе роста индием. Полученные данные позволяют определять количество индия, требуемое для получения воспроизводимой концентрации электронов в n-областях фотодиодных структур на основе HgCdTe, сформированных ионным травлением.

Доп.точки доступа:
Поцяск, М.; Ижнин, И. И.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Варавин, В. С.; Мынбаев, К. Д.; Иванов-Омский, В. И.

Найти похожие

Определение нормальной и латеральной компонент темнового тока n-p-фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных структур p-Cd[x]Hg[l-x]Te с x=0. 22 [Текст] / Д. Ю. Протасов [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 12. - С. 32-37 : ил. - Библиогр.: с. 37 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a621.375

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
фотодиоды -- n-p-фотодиоды -- компоненты темнового тока -- темновой ток -- нормальные компоненты темнового тока -- латеральные компоненты темнового тока -- фотоприемники -- матричные фотоприемники -- многоэлементные матричные фотоприемники -- фотоприемники длинноволнового инфракрасного диапазона -- ионы бора -- имплантация -- гетероэпитаксиальные структуры -- гетероэпитаксиальные слои -- ионная имплантация -- p-Cd[x]Hg[l-x]Te -- кадмий -- ртуть -- теллур -- магнитные поля
Аннотация: Проведено исследование зависимости темнового тока фотодиодов многоэлементных матричных фотоприемников длинноволнового инфракрасного диапазона, изготовленных методом имплантации ионов бора в гетероэпитаксиальные слои кадмий-ртуть-теллура, от индукции магнитного поля. Предложен метод раздельного определения латеральной и нормальной компонент темнового тока в таких фотодиодах. Установлено, что для исследуемых фотодиодов, размеры которых сравнимы с длиной диффузии неосновных носителей заряда, темновой ток при 77 K в основном определяется латеральной компонентой.

Доп.точки доступа:
Протасов, Д. Ю.; Костюченко, В. Я.; Павлов, А. В.; Васильев, В. В.; Дворецкий, С. А.; Варавин, В. С.; Михайлов, Н. Н.

Найти похожие

Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев Cd[1-z]Zn[z]Te методом спектральной эллипсометрии [Текст] / М. В. Якушев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 62-68 : ил. - Библиогр.: с. 67 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
спектральная эллипсометрия -- метод спектральной эллипсометрии -- слои -- гетероэпитаксиальные слои -- твердые растворы -- Cd[1-z]Zn[z]Te -- тройное полупроводниковое соединение -- кадмий–ртуть–теллур -- КРТ -- CdHgTe -- кадмий-цинк-теллур -- КЦТ -- CdZnTe -- эллипсометрические параметры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- спектры эллипсометрических параметров -- температура роста -- стабильная температура
Аннотация: Представлен программно-аппаратный комплекс на основе спектрального эллипсометра, интегрированного в установку молекулярно-лучевой эпитаксии, предназначенный для контроля состава твердого раствора Cd[1-z]Zn[z]Te при малых значениях z. Рассмотрены методические особенности определения состава растущих слоев из спектров эллипсометрических параметров. Разработана методика определения состава по краю поглощения, которая позволяет с точностью 1. 2% измерять этот параметр. Рассмотрены проблемы, решение которых позволит повысить разрешение по составу. В частности, для этого требуется поддержание стабильной температуры в процессе роста.

Доп.точки доступа:
Якушев, М. В.; Швец, В. А.; Азаров, И. А.; Рыхлицкий, С. В.; Сидоров, Ю. Г.; Спесивцев, Е. В.; Шамирзаев, Т. С.

Найти похожие

621.38
Э 717

Эпитаксиальные пленки GaN и GaN[x]As[1-x] на подложках монолитного и пористого GaAs с подслоем фианита [Текст] / А. Н. Бузынин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2005. - Т. 69, N 4. - С. 488-492. - Библиогр.: с. 492 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника
Кл.слова (ненормированные):
электронная микроскопия -- ЭМ -- эпитаксиальные пленки -- пленки -- гетероэпитаксиальные слои -- широкозонные соединения -- рентгеновская дифрактометрия -- рентгеновские лучи -- фианит -- диэлектрики
Аннотация: Эпитаксиальные пленки GaN[x]As[1-x] и GaN, в том числе GaN кубической модификации, выращены методом MOCVD на подложках GaAs с буферным слоем пористого GaAs или фианита, а также с двухслойным буфером из слоя фианита на пористом GaAs.

Доп.точки доступа:
Бузынин, А. Н.; Осико, В. В.; Воронько, Ю. К.; Лукьянов, А. Е.; Бузынин, Ю. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Данильцев, В. М.; Хрыкин, О. И.

Найти похожие

537.311.33
Т 162

Талипов, Н. Х.
Влияние воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe / Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 12. - С. 3-14 : рис., табл. - Библиогр.: c. 14 (33 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

537.311.33

621.315.55/.58

ББК 22.379 + 31.232
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
   Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
ИК-излучение -- гетероэпитаксиальные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- дефектообразование -- ионная имплантация -- лазерное облучение -- облучение поверхностных слоев -- радиационные дефекты
Аннотация: Представлены результаты исследований электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe p- и n-типа, выращенных методом молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии после воздействия мощного импульсного ИК-излучения твердотельного YAG/Nd{3+}- и химического DF-лазеров, излучающих на длине волны 1, 06 и 3, 8-4, 2 мкм соответственно. Показано, что основным типом дефектов, возникающих в результате импульсного облучения, являются вакансии ртути, которые играют роль акцепторов в этом материале. Пространственное распределение генерируемых вакансий ртути зависит от интенсивности и длины волны лазерного излучения: дефекты, порождаемые импульсами YAG/Nd{3+}-лазера, концентрируются лишь вблизи поверхности, в то время как излучение DF-лазера создает дефекты по всему объему гетероэпитаксиальной структуры. Установлено, что облучение YAG/Nd{3+}-лазером имплантированных ионами бора гетероэпитаксиальных слоев Cd_xHg_1-xTe приводит к активации внедренных атомов бора в результате плавления и рекристаллизации облученного поверхностного слоя.

Найти похожие

621.315.2/.3
В 659

Войцеховский, А. В.
Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях Cd_xHg_1-xTe / А. В. Войцеховский, М. С. Никитин, Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 5. - С. 104-109. - Библиогр.: c. 109 (13 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.2/.3

ББК 31.232.3
Рубрики: Энергетика
Кабельные изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероэпитаксиальные слои -- ионная имплантация -- фотодиоды
Аннотация: Представлены результаты измерений темновых ВАХ планарных диодов с разной площадью, изготовленных на основе гетероэпитаксиальных слоев МЛЭ КРТ p-типа при различных режимах ионной имплантации бора. Показано, что диоды с n{+}/n{-}/р-переходом обладают гораздо меньшими темновыми токами и более высоким дифференциальным сопротивлением R_d по сравнению с резкими n{+}-р-переходами. Экспериментально установлено, что для n-р-переходов с разной площадью вместо параметра R_dA более корректным является параметр R_dA+_эфф, где A_эфф - эффективная площадь сбора неосновных носителей заряда.

Доп.точки доступа:
Никитин, М. С.; Талипов, Н. Х.

Найти похожие

621.315.55/.58
В 659

Войцеховский, А. В.
Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях Cd_xHg_1-x Te / А. В. Войцеховский, авт. Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 7. - С. 36-49 : рис., табл. - Библиогр.: c. 48-49 (24 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.55/.58

ББК 31.232
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
CdHgTe -- гетероэпитаксиальные слои -- имплантированный азот -- имплантированный бор -- ионная имплантация -- мезафотодиоды -- радиационные дефекты -- спектр подвижности -- электрическая активация атомов -- электрическая активация ионно-имплантированных атомов
Аннотация: Исследованы процессы электрической активации ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях Cd_xHg_1-x Te (КРТ), выращенных методами молекулярно-лучевой (ГЭС КРТ МЛЭ) и жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ КРТ), а также в объемных кристаллах КРТ, при низкотемпературных отжигах под анодным окислом. Показана возможность использования анодного окисла как эффективного маскирующего покрытия для постимплантационных отжигов ГЭС КРТ МЛЭ р-типа в температурном интервале Т = 200-250 °С без нарушения состава верхнего варизонного слоя и изменения электрофизических свойств структуры. Установлено, что в ГЭС КРТ МЛЭ эффективность активации бора как медленно диффундирующей донорной примеси снижается с ростом дозы ионов B + и увеличивается при термоциклировании от Т = 77 К до комнатной температуры. Имплантированный азот, в отличие от бора, является быстро диффундирующей акцепторной примесью в КРТ, эффективно компенсирующий как радиационные донорные центры, так и активированный бор. Степень электрической активации азота существенно возрастает при термоциклировании. Показано, что «спектр подвижности» является эффективным методом контроля процесса электрической активации бора в ГЭС КРТ МЛЭ р-типа. Впервые изготовленные меза-фотодиоды на основе активированного бора в ГЭС КРТ МЛЭ р-типа с длинноволновой границей фоточувствительности лямбда с = 11 мкм имели высокое максимальное значение произведения дифференциального сопротивления на площадь фотодиода R_0 A = (6-8) •10

Доп.точки доступа:
Талипов, Н. Х.

Найти похожие

621.315.592
И 889

Исследование воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на свойства поверхности гетероэпитаксиальных слоев Cd_x Hg_1-x Te / К. О. Болтарь [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8. - С. 29-36 : рис., табл. - Библиогр.: c. 35-36 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
Cd_x Hg_1-x Te -- гетероэпитаксиальные слои -- деградация поверхностей -- лазерное облучение -- радиационные дефекты
Аннотация: Представлены результаты исследования радиационной модификации поверхности гетероэпитаксиальных слоев Cd_x Hg_1-x Te (КРТ), выращенных методами молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии (ГЭС КРТ МЛЭ и ЖФЭ КРТ), при воздействии мощного импульсного коротковолнового ИК-излучения. Установлено, что после воздействия мощных импульсов лазерного коротковолнового ИК-излучения поверхность ГЭС КРТ МЛЭ и ЖФЭ КРТ обогащается ртутью.

Доп.точки доступа:
Болтарь, К. О.; Бурлаков, И. Д.; Войцеховский, А. В.; Сизов, А. Л.; Средин, В. Г.; Талипов, Н. Х.; Шульга, С. А.

Найти похожие

10.

621.315.2/.3
Т 162

Талипов, Н. Х.
Влияние состава варизонного слоя на формирование п / Н. Х. Талипов, А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 3. - С. 54-67 : рис., табл. - Библиогр.: c. 66-67 (35 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.2/.3

ББК 31.232.3
Рубрики: Энергетика
Кабельные изделия
Кл.слова (ненормированные):
варизонные структуры -- гетероэпитаксиальные слои -- ионная имплантация -- ионная имплантация бора -- радиационные дефекты -- фотодиодные структуры -- фотодиоды
Аннотация: Исследованы процессы формирования n +-n --р-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях (ГЭС) Cd_xHg_ (1-x) Te p-типа (КРТ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (ГЭС КРТ МЛЭ) с различным составом верхнего варизонного слоя. Показано, что состав поверхности (x[s]) ГЭС КРТ МЛЭ существенно влияет как на электрофизические параметры имплантированного слоя, так и на пространственное распределение радиационных дефектов донорного типа. Обнаружен эффект снижения слоевой концентрации электронов (N[s]) после ее насыщения с накоплением радиационных дефектов при росте дозы ионов B{+} в интервале D = 1·10

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Григорьев, Д. В.

Найти похожие

11.

539.21:537
Д 390

Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных p{+}-n-фотодиодных структур / К. Д. Мынбаев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 16. - С. 65-72 : ил. - Библиогр.: с. 71-72 (15 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
дефекты -- гетероэпитаксиальные слои -- фотолюминесценция -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- легирование -- фотодиоды -- инфракрасная фотоэлектроника
Аннотация: Методом фотолюминесценции исследована дефектно-примесная структура гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe/Si (0. 35 меньше чем X меньше чем 0. 39), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией для создания p{+}-n-переходов ионной имплантацией мышьяка. Показано, что полной реализации возможностей фотодиодных структур "p{+}-на-n" на основе CdHgTe/Si препятствует неконтролируемое легирование материала, приводящее к формированию как мелких (с энергией залегания приблизительно 10 meV), так и глубоких (приблизительно 50 meV) акцепторных уровней.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/16/p65-72.pdf

Доп.точки доступа:
Мынбаев, К. Д.; Баженов, Н. Л.; Якушев, М. В.; Марин, Д. В.; Варавин, В. С.; Сидоров, Ю. Г.; Дворецкий, С. А.

Найти похожие

1-10 11-11

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)