Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=гетеробарьеры<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.
621.38
А 194


    Аверин, С. В.
    Импульсный отклик МПМ фотодиода с гетеробарьером [Текст] / С. В. Аверин // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 6. - Библиогр.: c. 56 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
гетеробарьеры -- дрейф носителей заряда -- МПМ диоды -- фотодиоды
Аннотация: В рамках двумерной модели исследуются процессы дрейфа фотогенерированных носителей заряда в активном объеме быстродействующих фотодиодов в системе выпрямляющих контактов металл-полупроводник-металл (МПМ) обычной планарной структуры и структуры с гетеробарьером. Дается сравнение двух типов фотодиодных структур с точки зрения характеристик сигнала импульсного отклика детектора и квантовой эффективности. Анализируются ограничения в отклике планарного МПМ диода, возникающие при последовательном уменьшении размеров встречно-штыревой системы контактов. Обсуждается возможность увеличения скорости отклика МПМ диода. Показано, что структура с InP/GaInAs гетеробарьером сильно видоизменяет движение фотогенерированных носителей заряда и существенно увеличивает скорость отклика МПМ фотодиода.

Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/06/page-51.html.ru

Найти похожие

2.


    Козлов, В. А.
    Туннельный транспорт электронов через гетеробарьеры с нанометровыми неоднородностями [Текст] / В. А. Козлов, В. А. Вербус // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1547-1551 : ил. - Библиогр.: с. 1551 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 22.338
Рубрики: Физика
   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях

Кл.слова (ненормированные):
туннельный транспорт -- электроны -- гетеробарьеры -- полупроводниковые барьеры -- туннельный ток -- нанометровые неоднородности -- неоднородности -- волновые функции -- рассеяние электронов -- рассеиватели -- вихревые токовые структуры
Аннотация: Исследовалось влияние квантовых объектов сферической формы (рассеивателей), встроенных в полупроводниковые барьеры, на протекание через них туннельного тока. Для этого решалась задача рассеяния затухающих (при энергии, меньшей потенциала барьера) падающей и отраженной волновых функций электрона на ступенчатом сферически-симметричном потенциале рассеивателя. Показано, что при этом внутри барьера могут возникать вихревые токовые структуры.


Доп.точки доступа:
Вербус, В. А.

Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)