Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=время-пролетный метод<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


   
    Выращивание и отжиг кристаллов CdZnTe: Cl с разным содержанием цинка для детекторов ядерного излучения [Текст] / Н. К. Зеленина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1419-1425 : ил. - Библиогр.: с. 1424-1425 (43 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
^a621.315.592
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- CdZnTe: Cl -- выращивание кристаллов -- отжиг -- кадмий -- давление пара -- цинк -- фотолюминесценция -- ФЛ -- ядерные излучения -- детекторы ядерного излучения -- эффект Холла -- Холла эффект -- фотопроводимость -- примесная фотопроводимость -- время-пролетный метод -- дефекты -- точечные дефекты -- электрофизические свойства -- горизонтальная направленная кристаллизация -- ГНК
Аннотация: Методами фотолюминесценции, эффекта Холла, примесной фотопроводимости, время-пролетным методом исследовалось влияние давления пара кадмия (P[Cd]) при послеростовом отжиге слитков и при отжиге образцов полуизолирующих кристаллов Cd[1-x]Zn[x]Te: Cl (x=0. 005, 0. 01, 0. 05, 0. 1) на компенсацию проводимости материала, используемого для создания детекторов ядерного излучения. Показано, что управление P[Cd] приводит к изменению концентрации точечных дефектов в кристалле, которые являются ответственными за низкие транспортные характеристики материала. Установлено, что захват свободных дырок происходит на акцепторные уровни как вакансии кадмия, так и вакансии цинка. Исследование электрофизических свойств кристаллов после отжигов при разных давлениях пара кадмия показало, что при малом содержании цинка (x=0. 005 и 0. 01) определяющее действие на компенсацию проводимости в Cd[1-x]Zn[x]Te: Cl оказывают точечные дефекты кадмия, V[Cd]{-2}. Однако уже при содержании цинка x>=0. 05 необходимо учитывать влияние точечных дефектов цинка V[Zn]{-2}, и для получения таких кристаллов с лучшими транспортными характеристиками в процессе выращивания материала необходимо управлять не только давлением пара кадмия, но и давлением пара цинка. Установлена возможность управления основными электрофизическими характеристиками полуизолирующего материала с содержанием цинка x=<0. 01 для детекторов ядерных излучений, выращиваемого методом горизонтальной направленной кристаллизации, путем регулирования давления пара кадмия в процессе послеростового отжига.


Доп.точки доступа:
Зеленина, Н. К.; Карпенко, В. П.; Матвеев, О. А.; Седов, В. Е.; Терентьев, А. И.; Томасов, А. А.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)