Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=вольт-фарадные характеристики<.>)

Общее количество найденных документов : 53
Показаны документы с 1 по 20

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-53

539.2
Т 913

Тутов, Е. А.
Влияние адсорбции паров воды на вольт-фарадные характеристики гетероструктур с пористым кремнием [Текст] / Е. А. Тутов, Е. Н. Бормонтов [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N11. - Библиогр.: 22 назв. . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
адсорбция -- водяные пары -- вольт-фарадные характеристики -- гетероструктуры -- конденсаторные структуры -- пористый кремний -- сенсоры влажности
Аннотация: Пористый кремния (por-Si) получен электрохимическим травлением монокристаллического кремния n-типа проводимости в водно-спиртовом растворе плавиковой кислоты в присутствии пероксида водорода в качестве окислителя. Исследована зависимость высокочастотных вольт-фарадных характеристик гетероструктур Al/por-Si/Si от относительной влажности. Предложены модель конденсаторной структуры и методика анализа зависимости ее емкости от парциального давления паров воды как изотермы адсорбции, в рамках которых определены пористость, эффективная доля фазы диоксида кремния в por-Si, степень связности пор, отношение объемов микро- и мезопор и распределение последних по размерам. Пористый кремний с определенными в работе параметрами может быть использован в качестве чувствительного слоя в сенсорах влажности емкостного типа.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2003/11/

Доп.точки доступа:
Бормонтов, Е.Н.; Кашкаров, В.М.; Павленко, М.Н.; Домашевская, Э.П.

Найти похожие

Карманенко, С. Ф.
Исследование влияния примесей марганца на диэлектрические характеристики пленок BSTO [Текст] / С. Ф. Карманенко, А. И. Дедык [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 140 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
сегнетоэлектрические пленки -- BSTO -- дефекты -- вакансии -- вольт-амперные характеристики -- вольт-фарадные характеристики
Аннотация: Проводилось сравнение вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик сегнетоэлектрических пленок BSTO, содержащих примесь диоксида марганца (~1.5-2mol%), и беспримесных образцов. Показано, что в образцах, легированных Mn, tgдельта уменьшался до 10{-3}, а также изменялся характер зависимости tgдельта от приложенного напряжения. ВАХ таких образцов были строго омическими и при больших напряжениях не имели участков нелинейного возрастания тока. Предложена модель влияния Mn в пленках BSTO на зарядовое состояние дефектов, обусловленных кислородными вакансиями

Доп.точки доступа:
Дедык, А.И.; Исаков, Н.Н.; Гордейчук, А.С.; Семенов, А.А.; Тер-Мартиросян, Л.Т.; Hagberg, J.

Найти похожие

621.38
Ж 421

Ждан, А. Г.
Повышение точности определения "емкости изолятора" в структурах металл-диэлектрик-полупроводник [Текст] / А. Г. Ждан, Н. Ф. Кухарская, Г. В. Чучева // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 6. - Библиогр.: с. 84 (12 назв. ) . - ISSN 0032-8162

УДК

621.38

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
металл-диэлектрик-полупроводник -- спектроскопия -- пограничные слои -- вольт-фарадные характеристики -- емкость изолятора
Аннотация: Результаты вольт-емкостной спектроскопии пограничных состояний в структурах металл-диэлектрик-полупроводник критически зависят от точности определения "емкости изолятора", обычно непревышающей десятых долей процента.

Доп.точки доступа:
Кухарская, Н. Ф.; Чучева, Г. В.

Найти похожие

53
Д 534

Дмитриев, С. Г.
Принципы реализации методики выделения конвективных токов в диэлектрике и токов эмиссии на границе раздела полупроводник- диэлектрик из динамических вольт-амперных характеристик системы металл-диэлектрик-полупроводник. Метод контроля за изменениями поверхностных состояний в процессе эксперимента [Текст] / С. Г. Дмитриев, Ю. В. Маркин // Радиотехника и электроника. - 2004. - Т. 49, N 8. - Библиогр.: с. 988 (6 назв. ) . - ISSN 0033-8494

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
конвективный ток -- диэлектрик -- вольт-фарадные характеристики
Аннотация: Рассмотрена возможность выделения конвективных токов в диэлектрике I[d] и токов эмиссии I[e] на границе раздела полупроводник-диэлектрик из динамических вольт-амперных характеристик системы металл-диэлектрик-полупроводник. Предложен метод контроля за изменениями поверхностных состояний, основанный на синхронных измерениях низко- и высокочастотных вольт-фарадных характеристик структуры.

Доп.точки доступа:
Маркин, Ю. В.

Найти похожие

УДК

621.3
З-913

Зубков, В. И.
Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами In[x]Ga[1-x]As/GaAs методом вольт-фарадных характеристик: разрывы зон, уровни квантования, волновые функции [Текст] / В. И. Зубков // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 331-337 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- квантовые ямы -- диагностика гетероструктур -- вольт-фарадные характеристики -- разрывы зон проводимости -- уровни квантования -- волновые функции
Аннотация: В диапазоне составов псевдоморфного роста гетероструктур с квантовыми ямами In[x]Ga[1-x]As/GaAs (0) методом вольт-фарадного профилирования и самосогласованного расчета уравнений Шредингера и Пуассона прецизионно определены абсолютные величины разрывов зоны проводимости, уровни энергии размерного квантования, концентрации носителей заряда в подзонах квантования. Развит метод емкостной диагностики квантово-размерных гетероструктур для определения их основных электронных свойств.

Найти похожие

621.3
Ш 183

Шалимова, М. Б.
Коррекция метода вольт-амперных характеристик для определения плотности поверхностных состояний в системе германий-фторид редкоземельного элемента [Текст] / М. Б. Шалимова, авт. Е. Г. Бесчасная // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 920-923 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
германий -- фториды -- редкоземельные элементы -- поверхностные состояния -- плотность поверхностных состояний -- вольт-амперные характеристики -- вольт-фарадные характеристики -- структуры металл-диэлектрик-полупроводник
Аннотация: Сообщается о проведенных исследованиях границы раздела германия с фторидами диспрозия, лантана, самария в структурах металл-диэлектрик-полупроводник. Определены характер энергетического спектра и плотность поверхностных состояний для границы раздела германия с различными фторидами редкоземельных элементов, для чего проводился сравнительный анализ результатов, полученных на основе двух методов: вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик. Анализ показал, что информация, извлеченная из вольт-амперных характеристик, должна быть скорректирована с учетом результатов, полученных с помощью других измерений, например с помощью вольт-фарадных характеристик. Подобное сравнение позволило также получить дополнительные сведения о границе раздела, в частности удалось определить толщину слоя туннельно-тонкого диэлектрика.

Доп.точки доступа:
Бесчасная, Е. Г.

Найти похожие

621.315.592
Д 534

Дмитриев, С. Г.
Расщепление пика натрия на динамических вольт-амперных характеристиках конвективных ионных токов структур металл-окисел-полупроводник [Текст] / С. Г. Дмитриев, авт. Ю. В. Маркин // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 1. - С. 45-52

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
металл-окисел-полупроводник -- вольт-амперные характеристики -- вольт-фарадные характеристики -- ионные токи -- конвективные токи
Аннотация: Представлены результаты совместных измерений динамических вольт-амперных характеристик и вольт-фарадных характеристик структур металл-окисел-полупроводник в диапазоне температур T ? 420-470 K и скоростей развертки напряжения бета[V]=0. 5-1000 мВ/с. Из обычных ионных токов выделены I[con] (V) конвективных токов в окисле.

Доп.точки доступа:
Маркин, Ю. В.

Найти похожие

621.315.592
А 724

Антонова, И. В.
Глубокие уровни и электронный транспорт в гетероструктурах AlGaN/GaN [Текст] / И. В. Антонова, В. И. Поляков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 1. - С. 53-59

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- вольт-фарадные характеристики -- спектроскопия глубоких уровней -- электронный транспорт -- гетероструктуры -- AlGaN/GaN -- центры с глубокими уровнями
Аннотация: На основе измерений вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик и спектроскопии глубоких уровней проведено сравнение концентрации центров с глубокими уровнями и проводимости канала гетероструктур AlGaN/GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием аммиака в качестве источника азота. Обнаружены два типа центров с глубокими уровнями, одни из которых предположительно связаны с точечными дефектами, локализованными вблизи дислокаций, а вторые собственно с дислокациями. Увеличение концентрации центров с глубокими уровнями коррелирует с увеличением удельного сопротивления канала. Плотность центров с глубокими уровнями может достигать значений ~ 10\{13\} см\{-2\} и приводить к компенсации электронного канала на гетерогранице.

Доп.точки доступа:
Поляков, В. И.; Руковишников, А. И.; Мансуров, В. Г.; Журавлев, К. С.

Найти похожие

10.

621.315.592
Г 180

Гаман, В. И.
Механизм формирования отклика газового сенсора водорода на основе кремниевого МОП диода [Текст] / В. И. Гаман, В. И. Балюба [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 341-345 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
газовый сенсор водорода -- структуры металл-окисел-полупроводник -- вольт-фарадные характеристики
Аннотация: Обсуждаются экспериментальные данные по зависимости напряжения плоских зон и времени релаксации емкости области пространственного заряда МОП диода (Pd-SiO[2]-n-Si) от концентрации водорода в газовой смеси водород/воздух. Предполагается, что в МОП структуре с толщиной слоя SiO[2] d=369 нм изменение напряжения плоских зон U[fb] при воздействии газовой смеси водород/воздух можно объяснить образованием диполей в зазоре Pd-SiO[2] за счет поляризации атомов водорода (H[a]). Получено аналитическое выражение, описывающее зависимость изменения напряжения плоских зон дельтa U[fb] от концентрации водорода nH[2]. В МОП структурах с d=< 4 нм (или МОП диодах) дельтa U[fb] в основном обусловлено процессом пассивации атомами водорода центров, ответственных за наличие на границе SiO[2]-n-Si поверхностных состояний акцепторного типа. Получены аналитические выражения, описывающие зависимости дельтa U[fb] и времени релаксации емкости области пространственного заряда от nH[2]. Приводятся значения плотности центров адсорбции и теплоты адсорбции атомов водорода на границах раздела Pd-SiO[2] и SiO[2]-n-Si.

Доп.точки доступа:
Балюба, В. И.; Грицык, В. Ю.; Давыдова, Т. А.; Калыгина, В. М.

Найти похожие

11.

378
Г 957

Гуртов, В. А.
Информационные и коммуникационные технологии в профессиональном физическом образовании [Текст] / В. А. Гуртов, И. В. Климов, А. И. Назаров, С. Д. Ханин // Физическое образование в вузах. - 2008. - Т. 14, N 2. - С. 113-124. - Библиогр.: с. 123-124 (15 назв. ) . - ISSN 1609-3143

УДК

378

371.69:004.3

ББК 74.58 + 74с + 22.3
Рубрики: Образование. Педагогика
   Высшее профессиональное образование
   Применение вычислительной техники в педагогике
   Физика
   Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
профессиональное физическое образование -- физическое образование -- вузы -- физические факультеты -- факультеты -- подготовка студентов -- профессиональная подготовка студентов -- студенты -- технологии -- информационные технологии -- коммуникационные технологии -- электронный учебно-методический комплекс -- учебно-методический комплекс -- комплексы -- ЭУМК -- электронные учебные пособия -- учебные пособия -- пособия -- моделирование -- компьютерное моделирование -- МДП-структуры -- МОП-структуры -- структуры -- вольт-фарадные характеристики -- характеристики структур -- модели -- математические модели -- цифро-аналоговые преобразователи -- преобразователи -- ЦАП
Аннотация: На предметном материале учебной дисциплины "Физические основы микро- и оптоэлектроники" раскрыты возможности, которые предоставляет использование информационных и коммуникационных технологий в профессиональной подготовке студентов физических факультетов вузов.

Доп.точки доступа:
Климов, И. В.; Назаров, А. И.; Ханин, С. Д.; MicroTec, (программа); LabView, (программа); Физические, основы микро- и оптоэлектроники (дисциплина)

Найти похожие

12.

Барьерная емкость контакта полиаценхинона с алюминием [Текст] / Р. В. Афанасьева, Т. Г. Ермакова, А. А. Максимов, М. Г. Воронков // Доклады Академии наук. - 2003. - Т. 393, N 1. - С. 33-35 . - ISSN 0869-5652

УДК

^a537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
алюминий -- вольт-амперные характеристики -- вольт-фарадные характеристики -- полиаценхинон -- полимерные проводники -- полупроводниковое материаловедение -- электрические поля
Аннотация: Рассмотрены особенности экранирования слабого внешнего электрического поля на контакте металл-полиаценхинона на основе анализа вольт-амперных характеристик и вольт-фарадных характеристик.

Доп.точки доступа:
Афанасьева, Р. В.; Ермакова, Т. Г.; Максимов, А. А.; Воронков, М. Г.

Найти похожие

13.

Боброва, Е. А.
Особенности вольт-фарадных характеристик МОП структур, обусловленные зарядом в окисле [Текст] / Е. А. Боброва, Н. М. Омельяновская // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1380-1383

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
МОП структуры -- вольт-фарадные характеристики -- кремний -- краевые эффекты
Аннотация: Исследовались МОП структуры на основе кремния p- и n-типа, подвергнутые воздействию напряжения обеих полярностей величиной до 70 В. Во всех случаях наблюдалось увеличение эффективного положительного заряда на границе Si/SiO[2]. При этом в структурах с Si p-типа появлялось скачкообразное увеличение высокочастотной емкости в области инверсии при некотором пороговом напряжении. Увеличение емкости и пороговое напряжение определялись величиной эффективного заряда и площадью затвора структуры. Наблюдаемый эффект объяснен латеральной диффузией свободных электронов, накопленных в полупроводнике вблизи контакта затвора. После окончания воздействия напряжения на структуры происходило восстановление вольт-фарадной характеристики до состояния, близкого к исходному, за время релаксации, характерное для обратного дрейфа ионов и выброса носителей путем туннелирования с медленных ловушек вблизи границы Si/SiO[2].

Доп.точки доступа:
Омельяновская, Н. М.

Найти похожие

14.

Меньшикова, Т. Г.
Флуктуационная модель вольт-фарадной характеристики МДП-структуры [Текст] / Т. Г. Меньшикова, А. Е. Бормонтов // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 9. - С. 65-72 : ил. - Библиогр.: с. 72 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
МДП-структуры -- металл-диэлектрик-полупроводник -- металлы -- диэлектрики -- полупроводники -- флуктуационные модели -- вольт-фарадные характеристики -- статистические флуктуации -- зарядовые флуктуации -- энергетические спектры -- поверхностные состояния -- плотность поверхностных состояний -- встроенные заряды -- параметры МДП-структуры
Аннотация: Исследована форма вольт-фарадной характеристики МДП-структуры при наличии статистических флуктуаций встроенного в диэлектрик заряда. Рассмотрено влияние зарядовых флуктуаций на энергетический спектр плотности поверхностных состояний (ПС) и другие параметры МДП-структуры. Показано, что при использовании обычных емкостных методик определения плотности ПС наличие флуктуаций может привести как к завышенной оценке ее величины (в режимах обогащения и инверсии), так и к заниженной оценке (в режиме обеднения), проявляясь в последнем случае в форме "отрицательной" плотности. Учет флуктуаций встроенного заряда необходим также для повышения точности контроля других параметров МДП-структуры емкостными методами.

Доп.точки доступа:
Бормонтов, А. Е.

Найти похожие

15.

Бирюков, В. Н.
Диагностика моделей барьерной емкости диода [Текст] / В. Н. Бирюков // Радиотехника и электроника. - 2009. - Т. 54, N 9. - С. 1144-1148. - Библиогр.: с. 1148 (12 назв. ) . - ISSN 0033-8494

УДК

^a621.37/.39

ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника
Радиоэлектроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
барьерные емкости -- математические модели -- вольт-фарадные характеристики -- нелинейные емкости
Аннотация: Рассмотрены свойства моделей барьерной емкости p-n-перехода при произвольном законе распределения примеси в базе. Показана принципиальная возможность моделирования не только вольт-фарадной характеристики нелинейной емкости, но и двух первых ее произвольных. Исследована возможность идентификации параметров моделей методов наименьших квадратов.

Найти похожие

16.

Термо- и радиационно стабильные контакты к SiC на основе квазиаморфных пленок ZrB[2] [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 755-758 : ил. - Библиогр.: с. 758 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
контакты -- радиационная стабильность -- термическая стабильность -- вольт-яркостные характеристики -- ВЯХ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- пленки -- магнетронное распыление -- монокристаллы -- термический отжиг -- оже-анализы -- ZrB[2]
Аннотация: Методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик в сочетании с послойным оже-анализом исследовались радиационная и термическая стабильность структур с барьером Шоттки, изготовленных магнетронным распылением диборида циркония на поверхность (0001) монокристаллов n-6H (15R) SiC, выращенных методом Лели, с концентрацией нескомпенсированых доноров ~10{18}см{-3}. Показано, что использование квазиаморфных пленок ZrB[2] при изготовлении контактов на n-6H (15R) SiC не приводит к изменениям характеристик барьеров Шоттки при быстрых термических отжигах до 800oC в диапазоне доз облучения gamma-квантами {60}Co10{3}-10{7} Гр.

Доп.точки доступа:
Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В.

Найти похожие

17.

Калыгина, В. М.
Влияние монооксида углерода на вольт-фарадные характеристики МОП диодов Pd-SiO[2]-Si [Текст] / В. М. Калыгина, В. Ю. Грицык // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 780-784 : ил. - Библиогр.: с. 783-784 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- углерод -- монооксиды углерода -- восстановительные газы -- диоды -- МОП диоды -- диоды МОП -- металл - окисел - полупроводник -- МОП -- Pd-SiO[2]-Si
Аннотация: Исследовано влияние монооксида углерода на вольт-фарадные характеристики МОП диодов Pd-SiO[2]-n-Si и временные зависимости изменений емкости при фиксированных смещениях на диоде. В отличие от других восстановительных газов, изменение емкости в газовой смеси CO/воздух имеет немонотонный характер. Во время экспозиции в газовой атмосфере вольт-фарадные характеристики сначала смещаются в область более высоких положительных напряжений, а затем они возвращаются и движутся вдоль оси напряжений в более низкие смещения. Резкий спад емкости в течение первых нескольких секунд газового импульса сменяется более медленным ростом емкости до нового стационарного значения, которое зависит от концентрации монооксида углерода. Результаты объясняются с учетом мостиковой и линейной форм адсорбции CO на поверхности SiO[2].

Доп.точки доступа:
Грицык, В. Ю.

Найти похожие

18.

Калыгина, В. М.
Влияние глубокой примеси на электрические характеристики эпитаксиальных структур на основе GaAs [Текст] / В. М. Калыгина, Е. С. Слюнько // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1333-1338 : ил. - Библиогр.: с. 1338 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные структуры -- эпитаксиальные слои -- GaAs -- электрические характеристики -- рекомбинация -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- эффект Пула-Френкеля -- Пула-Френкеля эффект -- туннелирование электронов -- p{+}-i-n{+} -- электрон-фононные взаимодействия -- инжекция -- монополярная инжекция -- двойная инжекция -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- напряжения -- примеси -- глубокие примеси -- ионизация -- ударная ионизация -- ионизирующее излучение -- диоды -- хром -- нелегированные слои
Аннотация: Проведен анализ электрических характеристик p{+}-i-n{+}-структур на основе двух типов эпитаксиальных слоев GaAs: структуры с i-слоем на основе нелегированного GaAs и i-слоем на основе GaAs : Cr. Прямые токи диодов первого типа обусловлены рекомбинацией в области пространственного заряда. Обратные вольт-амперные характеристики при напряжениях до 10-15 В определяются генерационной составляющей тока. При |U|>20 В рост тока обусловлен эффектом Пула-Френкеля, который с увеличением напряжения сменяется туннелированием электронов через вершину потенциального барьера, облегченным электрон-фононным взаимодействием. Прямые ветви вольт-амперных характеристик p{+}-i-n{+}-диодов с i-слоем на основе GaAs : Cr объясняются монополярной инжекцией в полупроводник, которая с увеличением напряжения сменяется двойной инжекцией. Обратные вольт-амперные характеристики линейны в интервале 1-15 В; при |U|>20 В рост тока вызван ударной ионизацией.

Доп.точки доступа:
Слюнько, Е. С.

Найти похожие

19.

Петровская, А. Н.
Вольт-фарадные измерения гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs в диапазоне температур от 10 до 320 K [Текст] / А. Н. Петровская, В. И. Зубков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1368-1373 : ил. - Библиогр.: с. 1373 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- КЯ -- InGaAs/GaAs -- гетероструктуры -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- температура -- напряженные квантовые ямы -- заряды -- зона проводимости -- разрыв зоны проводимости
Аннотация: Приведены результаты исследования гетероструктур с одиночными напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs методом вольт-фарадных характеристик в широком интервале температур и частот измерительного сигнала. На основе анализа экспериментальных вольт-фарадных характеристик обнаружено температурное смещение пика наблюдаемого концентрационного профиля основных носителей заряда и предложена количественная модель данного явления. Определено влияние неполной ионизации примеси на величину заряда в квантовых ямах, определяемого из эксперимента. С помощью моделирования и подгонки вольт-фарадных характеристик установлено, что значение разрыва зоны проводимости для гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InxGa1-xAs/GaAs состава x=0. 225 в диапазоне температур от 320 до 100 K остается постоянным и равным 172±10 мэВ.

Доп.точки доступа:
Зубков, В. И.

Найти похожие

20.

Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл) - (слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 180-193 : ил. - Библиогр.: с. 192 (59 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гибридные структуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- ферромагнитный металл-слоистый полупроводник -- ФМ-ПП -- Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- импедансные спектры -- спиновая инжекция -- экстракция -- спиновая диффузия -- релаксация (физика) -- полупроводниковые подложки -- спин-селективные барьеры -- кулоновская блокада -- отрицательные дифференциальные емкости -- наноразмерные включения
Аннотация: После выращивания слоев Ni на поверхности (0001) p-GaSe сформированы двухбарьерные структуры Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe с наноразмерными включениями сплавов Ni, которые образовались в результате протекания реакций на границе раздела "металл-слоистый полупроводник". В температурном диапазоне 220-350 K изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гибридных структур. Исследована зависимость импедансных спектров от напряжения смещения структур при различных температурах. Частотные зависимости импеданса при высоких частотах (f>10{6} Гц) обсуждаются с точки зрения явлений спиновой инжекции и экстракции в структурах с ультратонким спин-селективным барьером Ni/n-Ga[2]Se[3] и эффектов спиновой диффузии и релаксации в полупроводниковой подложке. При комнатной температуре обнаружены явления кулоновской блокады и отрицательной дифференциальной емкости. Эти явления объясняются на основе анализа транспортных процессов в узкой области вблизи границы раздела "ферромагнитный металл-полупроводник", где расположены наноразмерные включения.

Доп.точки доступа:
Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Литвин, О. С.

Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-53

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)