Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=аморфные слои<.>)

Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9

541.13
М 601

Милешко, Л. П.
Реанодирование анодных оксидных пленок кремния в легирующих электролитах [Текст] / Л. П. Милешко, С. П. Авдеев // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 4 . - ISSN 0015-3214

УДК

541.13

ББК 24.5
Рубрики: Химия--Физическая химия. Химическая физика
Кл.слова (ненормированные):
реанодирование -- аноды -- оксидные пленки -- кремний -- электролиты -- легирующие электролиты -- фосфатные электролиты -- боратные электролиты -- аморфные слои
Аннотация: При реанодировании нелегированных анодных оксидных пленок кремния в фосфатных и боратных электролитах на основе тетрагидрофурфурилового спирта скорость внедрения анионов превышает скорость образования новых слоев SiO[2].

Доп.точки доступа:
Авдеев, С. П.

Найти похожие

Свойства контактов GaN (SiC) - (Ti, Zr) B[x], подвергнутых быстрым термоотжигам [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1125-1130 : ил. - Библиогр.: с. 1130 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
контакты -- GaN (SiC) - (Ti, Zr) B[x] -- электрофизические свойства -- структурные свойства -- межфазные границы -- МФГ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- отжиг -- термический отжиг -- быстрый термический отжиг -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- окислы бора -- стеклообразующие окислы бора -- стеклообразующие металлы -- структурные исследования -- слои -- стекловидные слои -- аморфные слои -- оже-анализ -- рентгенодифракционные исследования -- диодные структуры -- термоотжиг
Аннотация: Исследовано влияние быстрой термической обработки на структурные и электрофизические свойства контактов Au- (Ti, Zr) B[x]-GaN (SiC) и диодных структур на их основе. Рентгенодифракционные исследования и послойный оже-анализ показали, что фазовый состав и структура контактов к GaN и SiC сохраняются до температуры 900 и 1000° С соответственно. Стабильность межфазных границ подтверждается практически неизменными электрофизическими свойствами контактов до и после быстрых термообработок. Высота барьера Шоттки для контактов к GaN составляет 0. 89-0. 9 эВ и к SiC - 0. 79-0. 83 эВ; фактор идеальности вольт-амперной характеристики для контактов Au-TiB[x] (ZrB[x]) -n-GaN (SiC) составляет п = 1. 2, а для Au-ZrB[x]-n-n{+}-4HSiC n ~ 1. 12. Структурные исследования указывают на наличие стеклообразующих окислов бора и металлов на межфазной границе раздела, которые образуют тонкий аморфный стекловидный слой, устойчивый к быстрым термическим отжигам, и являются диффузионным барьером для межфазного переноса.

Доп.точки доступа:
Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кладько, В. П.; Кудрик, Я. Я.; Лебедев, А. А.; Миленин, В. В.; Шеремет, В. Н.

Найти похожие

Фотохромизм пальмитоиламидозамещенных индолиновых спиропиранов [Текст] / О. А. Винтер [и др. ] // Химическая физика. - 2009. - Т. 28, N 12. - С. 3-9 : ил. - Библиогр.: с. 9 (8 назв. ) . - ISSN 0207-401X

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотохромные превращения -- пальмитоиламидозамещенные индолиновые спиропираны -- спектрально-кинетические исследования -- люминесцентные исследования -- поливинилбутиральные слои -- аморфные слои -- фотохромизмы -- УФ-излучения -- мероцианиновые формы -- фотопродукты -- агрегатные состояния -- спиропираны
Аннотация: Проведено сравнительное спектрально-кинетическое и люминесцентное исследование фотохромных превращений двух пальмитоиламидозамещенных индолиновых спиропиранов в растворителях различной полярности, поливинилбутиральном связующем и аморфном слое. Установлено, что соединения обладают фотохромизмом и под действием УФ-излучения кроме мономерной мероцианиновой формы образуют агрегаты двух типов. Появление этих фотопродуктов зависит от полярности растворителя и агрегатного состояния веществ.

Доп.точки доступа:
Винтер, О. А.; Венидиктова, О. В.; Кольцова, Л. С.; Шиенок, А. И.; Зайченко, Н. Л.; Барачевский, В. А.

Найти похожие

Рекристаллизация с границы раздела кремний-сапфир как новый метод получения структурно совершенных пленок кремния на сапфировой подложке [Текст] / П. А. Александров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1433-1435 : ил. - Библиогр.: с. 1435 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
границы раздела -- сапфир -- пленки кремния -- сапфировые подложки -- кремниевые слои -- рекристаллизация -- твердофазная рекристаллизация -- дефекты -- рентгеновская дифракция -- КНС -- кремний на сапфире -- аморфные слои -- имплантация ионов -- отжиг
Аннотация: Использование процесса твердофазной рекристаллизации в значительной степени уменьшает количество дефектов в кремниевом слое. Аморфный слой создавался имплантацией ионов кремния. Кристаллическое качество КНС-структур оценивалось методом высокоразрешающей двухкристальной рентгеновской дифракции. Высококачественные кремниевые слои с толщиной d=1000-2500 Angstrem получались после имплантации ионов кремния (с энергией 150 кэВ) и последующего высокотемпературного отжига.

Доп.точки доступа:
Александров, П. А.; Демаков, К. Д.; Шемардов, С. Г.; Кузнецов, Ю. Ю.

Найти похожие

621.38
К 289

Кастро, Р. А.
Широкополосный диэлектрический отклик аморфных слоев As[2]Se[3], приготовленных разными методами [Текст] / Р. А. Кастро, Г. И. Грабко, Т. В. Татуревич // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 18. - С. 1-6 : ил. - Библиогр.: с. 6 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

621.38^V3

ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника
Электроника в целом
Кл.слова (ненормированные):
аморфные слои -- диэлектрические отклики -- широкополосные диэлектрические отклики -- термическое испарение -- метод термического испарения -- высокочастотное распыление -- ионно-плазменное распыление -- ионно-плазменное высокочастотное распыление -- метод ионно-плазменного высокочастотного распыления -- электрические поля -- переменные поля -- переменные электрические поля -- частоты -- температуры -- проведенные исследования -- результаты исследований -- изготовление образцов -- локализованные состояния -- специфические особенности -- поляризационные процессы
Аннотация: В аморфных слоях As[2]Se[3], приготовленных методами термического испарения и ионно-плазменного высокочастотного распыления, изучены поляризационные процессы в переменном электрическом поле в диапазоне частот f~ 10{-2}-10{7} Hz и в интервале температур 253-343 K. В результате проведенных исследований установлено значительное влияние способа изготовления образцов на диэлектрический отклик изучаемых структур, что связано со специфическими особенностями локализованных состояний.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/18/p1-6.pdf

Доп.точки доступа:
Грабко, Г. И.; Татуревич, Т. В.

Найти похожие

539.2
Ф 815

Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами кремния с аморфизующими дозами [Текст] / Н. А. Соболев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1182-1187 : ил. - Библиогр.: с. 1186 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 22.37 + 535.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
фотолюминесценция -- ФЛ -- люминесцентные свойства -- структурные свойства -- дислокационная люминесценция -- ДЛ -- имплантация ионами -- ионы кремния -- обратное резерфордовское рассеяние -- рассеяние протонов -- аморфные слои -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- Si -- кремний -- дефекты -- отжиг -- спектры фотолюминесценции -- ионная имплантация
Аннотация: Исследованы люминесцентные и структурные свойства в n-FZ-Si и n-Cz-Si, имплантированном ионами Si с аморфизующими дозами и отожженном при 1100 °C в хлорсодержащей атмосфере. Анализ спектров обратного резерфордовского рассеяния протонов в имплантированных образцах выявил формирование аморфного слоя, положение и толщина которого зависят от дозы имплантации. Методом рентгеновской дифракции обнаружено образование дефектов межузельного типа в образцах после отжигов. В спектрах фотолюминесценции при 78 K при низких уровнях возбуждения доминировала линия дислокационной люминесценции D1, которая наблюдалась и при 300 K. Положение максимума этой линии, ее полуширина и интенсивность зависели от типа Si и дозы имплантации. С увеличением мощности возбуждения люминесценции в спектре появляется непрерывная полоса. Предложена модель, объясняющая установленные закономерности в поведении спектров фотолюминесценции в зависимости от экспериментальных условий.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1182-1187.pdf

Доп.точки доступа:
Соболев, Н. А.; Калядин, А. Е.; Кютт, Р. Н.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Шек, Е. И.; Афросимов, В. В.; Тетельбаум, Д. И.

Найти похожие

539.2
И 889

Исследование рекристаллизации KHC-структур при разных энергиях аморфизирующего пучка ионов / П. А. Александров [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 2. - С. 264-266 : ил. - Библиогр.: с. 266 (7 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые пленки -- сапфировые подложки -- границы раздела -- аморфные слои -- ионная имплантация -- кремний на изоляторе -- КНИ -- кремний на сапфире -- КНС -- рекристаллизация структур -- твердофазная рекристаллизация -- ТФР -- пучки ионов -- ионы
Аннотация: Кремниевые пленки на сапфировой подложке были получены с помощью рекристаллизации с границы раздела кремний-сапфир. Аморфный слой формировался при помощи ионной имплантации с энергией ионов кремния 90-150 кэВ. Рентгеновская кривая качания использовалась для оценки кристаллического совершенства кремниевых пленок. После рекристаллизации кремниевый слой состоял из двух частей с разным структурным качеством. Рекристаллизованные структуры кремний на сапфире имеют высокосовершенный верхний слой (для производства приборов микроэлектроники) и нижний слой с большим количеством дефектов, прилегающий к сапфировой подложке.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/02/p264-266.pdf

Доп.точки доступа:
Александров, П. А.; Демаков, К. Д.; Шемардов, С. Г.; Кузнецов, Ю. Ю.

Найти похожие

539.21:537
И 742

Инфранизкочастотный фотодиэлектрический отклик аморфных слоев As[2]Se[3] / Н. И. Анисимова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 944-947 : ил. - Библиогр.: с. 947 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
аморфные слои -- фотодиэлектрический эффект -- трисилинид мышьяка -- функции -- инфранизкочастотные диапазоны -- проводимость -- дисперсия -- коэффициенты рекомбинации
Аннотация: Представлены результаты исследования фотодиэлектрического эффекта в аморфных слоях триселенида мышьяка. Выявлено совпадение экспериментальной и теоретической функций относительного изменения проводимости в инфранизкочастотном диапазоне. Дисперсия коэффициента рекомбинации характеризуется наличием минимума. Обсуждаются возможные причины обнаруженных закономерностей.
The results of the investigation of the photo-dielectric effect in the weakly-variable electric fields in As[2]Se[3] amorphous layers are represented. Coincidence of the theoretical and experimental function of the conductive relative change during reduction in the frequency in the infralow-frequency range is revealed. The presence of minimum on the recombination coefficient frequency dependence in established.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p944-947.pdf

Доп.точки доступа:
Анисимова, Н. И.; Бордовский, В. А.; Грабко, Г. И.; Кастро, Р. А.

Найти похожие

536.42
Э 158

Эволюция структурно-морфологических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO[x]/ZrO[2], содержащей нанокластеры кремния / А. В. Ершов [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 44-48 : ил. - Библиогр.: с. 47 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

536.42

621.315.592

ББК 22.375 + 31.233
Рубрики: Физика
   Термодинамика твердых тел
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
просвечивающая электронная микроскопия -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- ПЭМ -- структурно-морфологические свойства -- нанопериодические структуры -- вакуум -- отжиг -- высокотемпературный отжиг -- метод высокотемпературного отжига -- ВТО -- аморфные слои -- нанокристаллы кремния -- кремний -- оксид кремния -- SiO -- оптические свойства -- люминесцентные свойства -- нанокластеры
Аннотация: Методом просвечивающей электронной микроскопии поперечного среза исследованы структурно-морфологические свойства нанопериодических структур, полученных поочередным испарением в вакууме SiO и ZrO[2] с последующим отжигом при температурах 500-1100°C. До 700°C включительно слои были аморфными. При 900 и 1000°C в слоях ZrO[2] образовывались нанокристаллы, разделенные двойниковыми границами либо аморфными областями. Формирование нанокристаллов кремния в слоях SiO[x] происходит после отжигов при 1000 и 1100°C. При 1100°C на местах слоев ZrO[2] формируются сферические нанокристаллы типа Si[x]Zr[y]O[z] с диаметрами, превышающими толщину исходных слоев, вследствие реакции между SiO[x] и ZrO[2]. Структурная эволюция при отжигах согласуется с рассмотренным ранее поведением оптических и люминесцентных свойств системы.
Structural and morphological properties of nanoperiodic structures obtained by alternating vacuum evaporation of SiOx and ZrO[2] and subsequent annealing at 500-1100°С were studied by high resolution cross-section transmission electron microscopy. Up to 700°С the layers were amorphous. After annealing at 900-1000°С, nanocrystals separated by twin boundaries or amorphous regions were formed in ZrO[2] layers. Silicon nanocrystals were formed at 1000-1100°С in the SiO[x] layers. The spherical nanocrystals of Si[x]Zr[y]O[z] type with diameters greater than the initial thickness of the ZrO[2] layers are formed at 1100°С due to reaction between SiO[x] and ZrO[2]. Structural evolution at annealing is consistent with previously considered optical and luminescent properties of the system.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p44-48.pdf

Доп.точки доступа:
Ершов, А. В.; Павлов, Д. А.; Грачев, Д. А.; Бобров, А. И.; Карабанова, И. А.; Чугров, И. А.; Тетельбаум, Д. И.; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)