Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Lenka, T. R.$<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.
621.315.592
L 54

    Lenka, T. R.
    Role of nanoscale AlN and InN for the microwave characteristics of AlGaN/ (Al, In) N/GaN-based HEMT [Текст] / T. R. Lenka, aut. A. K. Panda // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1258-1265 : ил. - Библиогр.: с. 1265 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
621.315.592^V3
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электронные транзисторы -- HEMT -- микроволны -- наноразмерные слои
Аннотация: A new AlGaN/GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) is proposed and its microwave characteristics are discussed by introducing a nanoscale AlN or InN layer to study the potential improvement in their high frequency performance. The 2DEG transport mechanism including various subband calculations for both (Al, In) N-based HEMTs are also discussed in the paper. Apart from direct current characteristics of the proposed HEMT, various microwave parameters such as transconductance, unit current gain (h[21]=1) cut-off frequency (f[t]), high power-gain frequency (f[max]). Masons available/stable gain and masons unilateral gain are also discussed for both devices to understand its suitable deployment in microwave frequency range.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1258-1265.pd

Доп.точки доступа:
Panda, A. K.

Найти похожие
2.
537.533/.534
L 54

    Lenka, T. R.
    Characteristics Study of 2DEG Transport Properties of AlGaN/GaN and AlGaAs/GaAs-based HEMT [Текст] / T. R. Lenka, aut., aut. A. K. Panda // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 5. - С. 660-665 : ил. - Библиогр.: с. 665 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
537.533/.534^V3
ББК 22.338
Рубрики: Физика
   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
транспортные свойства -- запрещенные зоны -- двумерные электрические газы -- гетерограницы -- проводимость -- электроны
Аннотация: Growth of wide bandgap material over narrow bandgap material, results into a two dimensional electron gas (2DEG) at the heterointerface due to the conduction band discontinuity. In this paper the 2DEG transport properties of AlGaN/GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) is discussed and its effect on various characteristics such as 2DEG density, C-V characteristics and Sheet resistances for different mole fractions are presented. The obtained results are also compared with AlGaAs/GaAs-based HEMT for the same structural parameter as like AlGaN/GaN-based HEMT. The calculated results of electron sheet concentration as a function of the Al mole fraction are in excellent agreement with some experimental data available in the literature.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/05/p660-665.pdf

Доп.точки доступа:
Panda, A. K.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)