Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Шамирзаев, Т. С.$<.>)

Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10

539.2
Ш 19

Шамирзаев, Т. С.
Фотолюминесценция квантовых точек германия, выращенных в кремнии на субмонослое SiO (2 [] / Т. С. Шамирзаев, М. С. Сексенбаев [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 80-82. - Библиогр.: с. 82 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
активация; германий; дефекты; дырки; квантовые точки; кремний; молекулярно-лучевая эпитаксия; монослои; нанофотоника; оксид кремния; слои; субмонослои; температуры; термостимулирование; точки; фотолюминесценция; эпитаксия
Аннотация: Исследована температурная зависимость фотолюминесценции квантовых точек в структурах Si/Ge/SiO (2) /Si и Si/Ge/Si. Малые значения энергий активации температурного гашения фотолюминесценции квантовых точек в обоих типах изученных структур объяснены термостимулированным захватом дырок из квантовых точек на уровни дефектов, локализованных в их окрестности.

Доп.точки доступа:
Сексенбаев, М. С.; Журавлев, К. С.; Никифоров, А. И.; Ульянов, В. В.; Пчеляков, О. П.

Найти похожие

621.315.592
Ш 193

Шамирзаев, Т. С.
Спектры фотопроводимости квантовых точек InAs/AIAs [Текст] / Т. С. Шамирзаев, К. С. Журавлев [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 12. - С. 66-68 . - ISSN 0207-3528

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотопроводимость квантовых точек -- InAs/AlAs -- спектры фотопроводимости
Аннотация: В работе исследовалась фотопроводимость квантовых точек InAs/AlAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложке GaAs при Т= 77 и 300 К. Изучаемые структуры содержали пять слоев квантовых точек InAs, разделенных слоями AlAs. Электрическое поле прикладывалось между металлическим контактом, нанесенным на обратную сторону структуры с квантовыми точками, и прозрачным контактом диоксида олова, нанесенным на стеклянную пластину, которая прижималась к поверхности образца. В спектрах фототока в спектральной области 600-850 нм, наблюдалась сложная структура, включающая линии и полосы различной интенсивности и полуширины и соответствующая переходам с участием основных и возбужденных состояний квантовых точек различных размеров, а также линии и полосы, связанные с переходами в спейсерных слоях AlAs, в материале подложки и буферном слое GaAs.

Доп.точки доступа:
Журавлев, К. С.; Гайсин, В. А.; Кулинкин, Б. С.; Новиков, Б. В.; Батырев, А. С.; Убыйвовк, Е. В.; Алжеев, В. М.

Найти похожие

Влияние легирования Sc и Yb на электрические и люминесцентные свойства кремния, полученного методом Стокбаргера [Текст] / Т. С. Шамирзаев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 9. - С. 1668-1671. - Библиогр.: с. 1671 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
легирование -- легирование скандием -- легирование иттебрием -- кремний -- метод Стокбаргера -- Стокбаргера метод -- низкотемпературная люминесценция -- спектры фотолюминесценции -- проводимость
Аннотация: Исследовалось влияние легирования скандием и иттебрием на электрофизические и люминесцентные свойства мультикристаллического кремния, выращенного методом Стокбаргера. Обнаружено, что удельное сопротивление, время жизни неосновных носителей заряда и положение максимума полосы низкотемпературной люминесценции, имеющие одинаковые значения вдоль направления роста нелегированного слитка, демонстрируют монотонное изменение значений вдоль направления роста легированных слитков. Анализ спектров фотолюминесценции и типа проводимости в различных точках легированных слитков позволил сделать вывод о том, что изменения их электрофизических свойств вдоль направления роста обусловлены перераспределением фоновых акцепторов, концентрация которых монотонно уменьшается от начала к концу слитка. Перераспределение фоновых примесей объясняется образованием соединений фоновая примесь-легирующая примесь, обладающих коэффицентами распределения в расплаве кремния, сильно отличающимися от единицы.

Доп.точки доступа:
Шамирзаев, Т. С.; Непомнящих, А. И.; Красин, Б. А.; Семенова, О. И.; Токарев, А. С.; Бородовский, П. А.; Булдыгин, А. Ф.; Сарычев, П. П.

Найти похожие

Контроль состава гетероэпитаксиальных слоев Cd[1-z]Zn[z]Te методом спектральной эллипсометрии [Текст] / М. В. Якушев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 62-68 : ил. - Библиогр.: с. 67 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
спектральная эллипсометрия -- метод спектральной эллипсометрии -- слои -- гетероэпитаксиальные слои -- твердые растворы -- Cd[1-z]Zn[z]Te -- тройное полупроводниковое соединение -- кадмий–ртуть–теллур -- КРТ -- CdHgTe -- кадмий-цинк-теллур -- КЦТ -- CdZnTe -- эллипсометрические параметры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- спектры эллипсометрических параметров -- температура роста -- стабильная температура
Аннотация: Представлен программно-аппаратный комплекс на основе спектрального эллипсометра, интегрированного в установку молекулярно-лучевой эпитаксии, предназначенный для контроля состава твердого раствора Cd[1-z]Zn[z]Te при малых значениях z. Рассмотрены методические особенности определения состава растущих слоев из спектров эллипсометрических параметров. Разработана методика определения состава по краю поглощения, которая позволяет с точностью 1. 2% измерять этот параметр. Рассмотрены проблемы, решение которых позволит повысить разрешение по составу. В частности, для этого требуется поддержание стабильной температуры в процессе роста.

Доп.точки доступа:
Якушев, М. В.; Швец, В. А.; Азаров, И. А.; Рыхлицкий, С. В.; Сидоров, Ю. Г.; Спесивцев, Е. В.; Шамирзаев, Т. С.

Найти похожие

Люминесценция алюминоборосиликатных стекол, легированных ионами Gd{3+} [Текст] / Е. В. Мальчукова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 9. - С. 1789-1794. - Библиогр.: с. 1793-1794 (32 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
люминисценция -- алюминоборосиликатные стекла -- монохроматический свет
Аннотация: Представлены результаты двухфотонного поглощения, приводящего к ультрафиолетовой люминесценции с повышением частоты в SiO[2]-Al[2]O[3]-B[2]O[3] -Na[2]O[3]-Zr[2]O: Cd{3+} -стекле. Сделан вывод о том, что при возбуждении монохроматическим светом, соответствующим максимуму полосы поглощения иона Cd{3+} (204 nm), каскадной эмиссии фотонов не происходит. Обсуждаются механизмы концентрационного тушения и переноса энергии между ионами Cd{3+} и оптически активными дефектами алюминоборосиликатного стекла.

Доп.точки доступа:
Мальчукова, Е. В.; Непомнящих, А. И.; Boizot, В; Шамирзаев, Т. С.; Petite, G

Найти похожие

621.375
Ф 796

Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов [Текст] / О. Е. Терещенко [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 1. - С. 27-36 : ил. - Библиогр.: с. 35-36 (13 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

621.375^V3

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника
Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- электрические свойства -- магнитные свойства -- оптические свойства -- квантовые ямы -- границы раздела -- условия формирования -- электроны -- свободные электроны -- спин электрона -- оптическая регистрация спина -- железо -- эпитаксиальные слои -- эпитаксильный рост -- намагниченность -- гистерезис -- сегрегация железа -- палладий -- оптические детекторы -- галлий -- арсенид галлия -- арсениды
Аннотация: Изучены условия формирования границы раздела Fe/GaAs, а также электрические, магнитные и оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs с квантовыми ямами InGaAs. Продемонстрирована возможность эпитаксиального роста Fe на поверхности GaAs (001) при комнатной температуре. Кривая намагниченности слоя железа имеет прямоугольную петлю гистерезиса с легкой осью намагниченности в плоскости образца. Обнаружена сегрегация железа через слой палладия толщиной 4 nm. Оптические свойства гетероструктуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs указывают на возможность использования такой структуры в качестве оптического детектора спина свободных электронов.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/01/p27-36.pdf

Доп.точки доступа:
Терещенко, О. Е.; Паулиш, А. Г.; Неклюдова, М. А.; Шамирзаев, Т. С.; Ярошевич, А. С.; Просвирин, И. П.; Жаксылыкова, И. Э.; Дмитриев, Д. В.; Торопов, А. И.; Варнаков, С. Н.; Рауцкий, М. В.; Волков, Н. В.; Овчинников, С. Г.; Латышев, А. В.

Найти похожие

621.315.592
Ш 193

Шамирзаев, Т. С.
Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой зоной проводимости [Текст] / Т. С. Шамирзаев // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 97-103 : ил. - Библиогр.: с. 102-103 (36 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые структуры -- электронные состояния -- состояния электрона -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые точки -- КТ -- сверхрешетки -- проводимость
Аннотация: Несмотря на огромное количество публикаций, посвященных изучению полупроводниковых гетероструктур, до последнего времени слабо изученными остаются полупроводниковые гетероструктуры I рода с основным электронным состоянием, принадлежащим непрямым (X и L) минимумам зоны проводимости. В работе обсуждается возможность создания полупроводниковых гетероструктур I рода с электронными состояниями, принадлежащими непрямым минимумам зоны проводимости на основе полупроводниковых соединений A III-B V.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p97-103.pdf

Найти похожие

539.2
З-384

Захват носителей заряда в InAs/AlAs-квантовые точки при гелиевой температуре [Текст] / Д. С. Абрамкин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 183-191 : ил. - Библиогр.: с. 190-191 (28 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
носители заряда -- квантовые точки -- КТ -- InAs/AlAs -- фотолюминесценция -- ФЛ -- люминесценция -- гелиевая температура -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- смачивающие слои -- СС -- подложки -- импульсное возбуждение -- экситоны
Аннотация: На основе простых моделей проведен анализ влияния величины вероятности захвата носителей заряда в квантовые точки через смачивающий слой на стационарную и нестационарную люминесценцию смачивающего слоя и квантовых точек при возбуждении в матрицу. Показано, что рост интегральной интенсивности стационарной люминесценции квантовых точек с ростом доли площади, занимаемой квантовыми точками в структуре, а также независимое затухание нестационарной люминесценции смачивающего слоя и квантовых точек указывают на подавление канала захвата носителей заряда из смачивающего слоя в квантовые точки. Экспериментальное исследование процессов захвата носителей заряда в InAs-квантовые точки в матрице AlAs при 5 K было проведено с помощью стационарной и нестационарной фотолюминесценции. Серия структур с различной плотностью квантовых точек была выращена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на полуизолирующей подложке GaAs ориентации (001). Было обнаружено, что интегральная интенсивность фотолюминесценции квантовых точек растет с увеличением площади, занимаемой в структуре квантовых точек, по практически линейному закону, а интенсивность фотолюминесценции смачивающего слоя после импульсного возбуждения затухает медленнее, чем интенсивность фотолюминесценции квантовых точек. Согласно проведенному анализу, эти экспериментальные факты свидетельствуют о подавлении захвата экситонов в InAs/AlAs-квантовые точки из смачивающего слоя при 5 K.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p183-191.pdf

Доп.точки доступа:
Абрамкин, Д. С.; Журавлев, К. С.; Шамирзаев, Т. С.; Ненашев, А. В.; Калагин, А. К.

Найти похожие

535
К 413

Кинетика отражения в области экситонных переходов в полупроводниковых наноструктурах [Текст] / Н. Н. Рубцова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 5. - С. 755-757. - Библиогр.: c. 757 (9 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

535

539

ББК 22.34 + 22.38
Рубрики: Физика
Оптика в целом
Ядерная физика в целом
Кл.слова (ненормированные):
техника накачка-зондирование -- экситонные переходы -- полупроводниковые наноструктуры -- кинетика отражения -- спектры отражения -- нестационарные спектры -- квантовые ямы -- экспериментальные исследования
Аннотация: Кинетика отражательной способности полупроводниковых образцов с множественными квантовыми ямами типа GaAs/AlGaAs исследована методом накачка-зондирование с разрешением по времени 150 фс.

Доп.точки доступа:
Рубцова, Н. Н.; Буганов, О. В.; Ковалёв, А. А.; Путято, М. А.; Преображенский, В. В.; Пчеляков, О. П.; Тихомиров, С. А.; Шамирзаев, Т. С.

Найти похожие

10.

538.9
Э 410

Экситон-плазмонное взаимодействие в гибридных структурах квантовые точки - металлические кластеры, полученных методом МЛЭ / A. A. Лямкина [и др.]. // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2014. - Т. 99, вып. 4. - С. 245-249

УДК

538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
гибридные структуры -- квантовые точки -- металлические кластеры -- экситон-плазмонное взаимодействие -- молекулярно-лучевая эпитаксия
Аннотация: Исследованы гибридные структуры, состоящие из InAs/AlGaAs квантовых точек и кластеров индия на поверхности, разделенных слоем диэлектрика AlGaAs заданной толщины. Обнаружено усиление сигнала фотолюминесценции в длинноволновой области, проявляющееся в виде узкого пика, который отсутствует в контрольной структуре с ансамблем квантовых точек без кластеров металла и пропадает при увеличении толщины диэлектрика между слоями. Полученные результаты объясняются в рамках модели резонансного взаимодействия экситонов в квантовых точках с локализованными поверхностными плазмонами в кластерах металла.

Доп.точки доступа:
Лямкина, A. A.; Мощенко, С. П.; Дмитриев, Д. В.; Торопов, А. И.; Шамирзаев, Т. С.; Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)