Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Талочкин, А. Б.$<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

530.1
Т 16

Талочкин, А. Б.
Рамановский E[1], E[1] + дельта[1]-резонанс в системе ненапряженных квантовых точек германия [Текст] / А. Б. Талочкин, С. А. Тийс, С. П. Супрун // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2006. - Т. 129, N 5. - С. 945-954. - Библиогр.: с. 953-954 . - ISSN 0044-4510

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
германий; ненапряженные квантовые точки; квантовые точки германия; рамановские спектры рассеяния; спектры рассеяния; рассеяние; оптические фоновые структуры; фоновые структуры
Аннотация: Исследованы положение и форма рамановского E[1], E[1] + дельта[1]-резонанс в зависимости от размеров ненапряженных квантовых точек германия.

Доп.точки доступа:
Тийс, С. А.; Супрун, С. П.

Найти похожие

538.9
Т 163

Талочкин, А. Б.
Релаксация механических напряжений в массиве квантовых точек Ge, полученных в Si [Текст] / А. Б. Талочкин, В. А. Марков, В. И. Машанов // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып. 5. - С. 397-400 . - ISSN 0370-274X

УДК

538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
комбинационное рассеяние света -- оптические фононы -- квантовые точки -- релаксация механических напряжений -- механические напряжения -- массив квантовых точек -- Ge -- Si
Аннотация: Исследовано комбинационное рассеяние света (КРС) на оптических фононах в Si/Ge/Si структурах с квантовыми точками (QD) Ge, выращенными с помощью молекулярно лучевой эпитаксии в области низких температур 200-300 градусов C. Получено псевдоморфное состояние массива QD Ge к Si матрице с идеально резкой границей раздела. В спектрах КРС обнаружены особенности, связанные с неупругой релаксацией механических напряжений. Выделены два механизма релаксации напряжений. Показано, что в результате неоднородного характера релаксации спектр электронных состояний массива значительно отличается от набора дискретных уровней отдельной QD.

Доп.точки доступа:
Марков, В. А.; Машанов, В. И.

Найти похожие

Талочкин, А. Б.
Продольная фотопроводимость многослойных Ge/Si-структур с квантовыми точками Ge [Текст] / А. Б. Талочкин, И. Б. Чистохин, В. А. Марков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1034-1038 : ил. - Библиогр.: с. 1038 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- КТ -- квантовые точки Ge -- КТ Ge -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- структуры -- Ge/Si-структуры -- многослойные Ge/Si-структуры -- фотопроводимость -- продольная фотопроводимость -- латеральная фотопроводимость -- спектры фотопроводимости -- фотоотклик -- оптические переходы -- дырочные уровни -- электронные состояния -- энергетическая диаграмма -- квантовый ящик
Аннотация: Исследованы спектры продольной фотопроводимости многослойных Ge/Si-структур с квантовыми точками Ge, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Наблюдался фотоотклик в диапазоне энергий 1. 1-0. 3 эВ при T=78 K, связанный с оптическими переходами между дырочными уровнями квантовых точек и электронными состояниями Si. Показано, что основной вклад в латеральную фотопроводимость дают электронные состояния, локализованные в области изгиба зон Si вблизи Ge/Si границы раздела. Применение модели квантового ящика для описания дырочных уровней квантовых точек позволило понять происхождение пиков, наблюдаемых в спектрах фотопроводимости. Построена подробная энергетическая диаграмма дырочных уровней квантовых точек и оптических переходов в Ge/Si-структурах с напряженными квантовыми точками Ge.

Доп.точки доступа:
Чистохин, И. Б.; Марков, В. А.

Найти похожие

Талочкин, А. Б.
"Свернутые" акустические фононы в сверхрешетках Si/Ge с квантовыми точками Ge [Текст] / А. Б. Талочкин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 138, вып: вып. 6. - С. 1135-1143. - Библиогр.: с. 1142-1143 . - ISSN 0044-4510

УДК

^a530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
свернутые акустические фононы -- акустические фононы -- фононы -- сверхрешетки Si/Ge -- квантовые точки гелия -- гелий -- псевдоморфные слои -- спектры -- рамановское рассеяние света -- свет
Аннотация: Исследованы спектры рамановского рассеяния света на "свернутых" акустических фононах в сверхрешетках Si/Ge с псевдоморфными слоями квантовых точек Ge, полученными с помощью низкотемпературной (Т = 250°С) молекулярно-лучевой эпитаксии.

Найти похожие

530.1
Т 163

Талочкин, А. Б.
Спектр электрон-дырочных состояний структуры Si/Ge с квантовыми точками Ge [Текст] / А. Б. Талочкин, авт. И. Б. Чистохин // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 140, вып. 3. - С. 583-589. - Библиогр.: с. 588-589 . - ISSN 0044-4510

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика
Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
спектры -- электрон-дырочные состояния -- структура Si/Ge -- квантовые точки Ge -- кремний -- германий -- латеральная фотопроводимость -- многослойные структуры -- фотопроводимость
Аннотация: Исследованы спектры латеральной фотопроводимости многослойных структур Si/Ge с квантовыми точками Ge различных размеров.

Доп.точки доступа:
Чистохин, И. Б.

Найти похожие

539.2
Т 163

Талочкин, А. Б.
Фотопроводимость многослойных структур Si/Ge с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к Si-матрице [Текст] / А. Б. Талочкин, авт. И. Б. Чистохин // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 936-940 : ил. - Библиогр.: с. 939-940 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
фотопроводимость -- многослойные структуры -- Si/Ge -- квантовые точки -- КТ -- оптические переходы -- электронно-дырочные состояния -- ФП -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- Si-матрицы -- псевдоморфные квантовые точки -- энергетические диаграммы -- германий -- Ge -- Si -- кремний
Аннотация: Исследованы спектры продольной фотопроводимости многослойных структур Si/Ge с квантовыми точками Ge, полученными псевдоморфно к Si-матрице. Наблюдались линии оптических переходов между дырочными уровнями квантовых точек и электронными состояниями Si. Это позволило построить подробную энергетическую диаграмму электронно-дырочных уровней структуры. Показано, что дырочные уровни псевдоморфных квантовых точек Ge хорошо описываются с помощью простейшей модели "квантового ящика" с использованием реальных размеров островков Ge. Установлена возможность управления положением длинноволновой границы фоточувствительности с помощью изменения параметров роста структур Si/Ge с квантовыми точками Ge.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p936-940.pdf

Доп.точки доступа:
Чистохин, И. Б.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)