Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Найдено в других БД:

Труды ОмГУ (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Сошников, И. П.$<.>)

Общее количество найденных документов : 13
Показаны документы с 1 по 13

Сошников, И. П.
Формирование развитой морфологии на поверхности фосфида индия при распылении ионными пучками аргона [Текст] / И. П. Сошников, А. В. Лунев [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N7. - Библиогр.: с. 110 (17 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
самоорганизация -- фосфид индия -- поверхностные структуры -- аргоновые пучки -- морфология
Аннотация: Проведены исследования самоорганизующихся поверхностных структур InP, образующихся при распылении монохроматичными пучками ионов аргона с энергией от 0.1 до 15 keV. Показано, что обработка аргоновыми пучками поверхности InP может приводить к образованию морфологий "грасс" ли "конус в лунке". Для объяснения формирования рельефа предложена качественная модель, включающая процессы распыления, каскадного перемешивания и поверхностного транспорта. Предложенная модель предсказывает правильный характер зависимости плотности и размеров морфологических элементов от флюенса. Кроме того, модель позволяет объяснить возникновение граничных условий образования морфологий "грасс" и "конус/группа конусов в лунке", а также влияние на них (граничные условия) температуры мишени.Показано, что наличие границ областей травления может приводить к возникновению частичной анизотропии в структуре морфологии

Доп.точки доступа:
Лунев, А.В.; Гаевский, М.Э.; Нестеров, С.И.; Кулагина, М.М.; Роткина, Л.Г.; Барченко, В.Т.; Калмыкова, И.П.; Ефимов, А.А.; Горбенко, О.М.

Найти похожие

539.2
В 78

Востоков, Н. В.
Влияние предосаждения Si (1-x) Ge (x) слоя на рост SiGe/Si (001) самоформирующихся островков [] / Н. В. Востоков, Ю. Н. Дроздов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 29-32. - Библиогр.: с. 32 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
германий; гетеропара; кремний; наноостровки; нанофотоника; плотность; поверхностная плотность; предосаждение; самоформирующиеся наноостровки
Аннотация: Исследован рост Ge (Si) самоформирующихся островков на напряженном Si (1-x) Ge (x) слое. Обнаружено, что размеры и поверхностная плотность островков увеличиваются с ростом содержания Ge в Si (1-x) Ge (x) слое.

Доп.точки доступа:
Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Яблонский, А. Н.; Stoffel, M.; Denker, U.; Schmidt, O.; Горбенко, О. М.; Сошников, И. П.

Найти похожие

539.2
С 69

Сошников, И. П.
Атомная структура нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 12. - С. 2121-2126. - Библиогр.: с. 2125-2126 (36 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
атомные струкутры; вюрцит; гексагональные структуры; метод молекулярно-пучковой эпитаксии; молекулярно-пучковая эпитаксия; нанокристаллы; нитевидные нанокристаллы; сплавы; эпитаксия
Аннотация: Проведено исследование структурных свойств нитевидных нанокристаллов GaAs и Al[0. 3]Ga[0. 7]As, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Продемонстрировано образование в исследуемых материалах гексагональных структур типа вюрцит и 4Н-политип с характерными размерами до 100 nm и более. Сделан вывод о влиянии на образование гексагональной структуры симметрии активационного сплава Au-Ga.

Доп.точки доступа:
Цырлин, Г. Э.; Тонких, А. А.; Самсоненко, Ю. Б.; Дубровский, В. Г.; Устинов, В. М.; Горбенко, О. М.; Litvinov, D.; Gerthsen, D.

Найти похожие

539.2
С 69

Сошников, И. П.
Исследование основных закономерностей формирования массивов нитевидных нанокристаллов GaAs методом магнетронного осаждения [Текст] / И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин [и др.] // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 4. - С. 737-741. - Библиогр.: с. 741 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
кристаллографическая ориентация подложки; метод магнетронного осаждения; нанокристаллы; нитевидные нанокристаллы; полупроводниковые материалы
Аннотация: Показана возможность получения массивов нитевидных нанокристаллов GaAs с плотностью до 10{9}cm{-2} и характерными размерами от 300 до 10 000 nm в высоту и в поперечнике от 200 до 10 nm и менее у вершины. Характерная высота нитевидных нанокристаллов изменяется пропорционально эффективной толщине осаждаемого материала и обратно пропорционально поперечному размеру вершины. Изучено влияние скорости осаждения, температуры и кристаллографической ориентации подложки. На основе анализа полученных зависимостей размеров делается вывод о диффузионном механизме формирования нитевидных нанокристаллов.

Доп.точки доступа:
Цырлин, Г. Э.; Дубровский, В. Г.; Веретеха, А. В.; Гладышев, А. Г.; Устинов, В. М.

Найти похожие

621.3
Д 797

Дубровский, В. Г.
О влиянии условий осаждения на морфологию нитевидных нанокристаллов [Текст] / В. Г. Дубровский, И. П. Сошников [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 7. - С. 888-896 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- морфология нанокристаллов -- рост нанокристаллов -- осаждение материала -- газофазная эпитаксия -- высоковакуумное напыление
Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования влияния условий осаждения на морфологические свойства нитевидных нанокристаллов в различных ростовых технологиях. Получены зависимости длины кристаллов от их радиуса, температуры, скорости осаждения, плотности и среднего размера капель - катализаторов роста. Определены значения эффективной диффузионной длины адатома на поверхности подложки в различных режимах роста. Теоретические зависимости длины нитевидных нанокристаллов от радиуса и ростовой температуры поверхности подтверждены экспериментальными данными, полученными для кристаллов GaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs (111) B, активированной Au.

Доп.точки доступа:
Сошников, И. П.; Сибирев, Н. В.; Цырлин, Г. Э.; Устинов, В. М.; Tchernycheva, М.; Harmand, J. C.

Найти похожие

539.2
С 697

Сошников, И. П.
Особенности картин электронной дифракции нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных на подложках Si (100) и (111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин [и др.] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 8. - С. 1373-1377. - Библиогр.: с. 1377 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
двойникование кристаллов; метод молекулярно-пучковой эпитаксии; нитевидные нанокристаллы; фазовые переходы; фазовые переходы вюрцит/сфалерит; электронная дифракция
Аннотация: Методом дифракции быстрых электронов на отражение проведено исследование кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111) и Si (100). Установлено, что дифракционные картины в обоих случаях содержат суперпозицию систем рефлексов, характерных для гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фаз GaAs. Показано, что при росте на Si (111) формируются нитевидные нанокристаллы с гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фазами с одной и двумя ориентациями соответственно. В случае роста на подложках Si (100) обнаружена система нитевидных нанокристаллов GaAs с кубической фазой и пятью различными ориентациями, а также гексагональной фазы с восемью ориентациями в плоскостях подложки типа (110). Проявление двойственной кристаллической структуры в нитевидных нанокристаллах объясняется фазовыми переходами вюрцит-сфалерит и/или двойникованием кристаллов.

Доп.точки доступа:
Цырлин, Г. Э.; Тонких, А. А.; Неведомский, В. Н.; Самсоненко, Ю. Б.; Устинов, В. М.

Найти похожие

Влияние атмосферы в ростовой камере на распределение температуры в нитевидных нанокристаллах [Текст] / А. Т. Галисултанов [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 12. - С. 34-41

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- атмосфера -- ростовые камеры -- температурное поле
Аннотация: Теоретически и экспериментально исследовано влияние атмосферы в ростовой камере на распределение температуры по длине нитевидных нанокристаллов. Построена и исследована модель расчета температурного поля, учитывающая теплопроводность, тепловое излучение по закону Стефана-Больцмана и теплообмен с газовой средой. Показано, что эффект охлаждения возрастает при увеличении давления. Кривая зависимости разности температур у основания и на вершине кристалла содержит вакуумную ветвь, контролируемую излучением, область высоких давлений, контролируемую теплообменом, и переходную область, которая характеризуется резким возрастанием эффекта охлаждения. Приведено сравнение расчетов с экспериментальными данными в модельной системе и показано их хорошее соответствие.

Доп.точки доступа:
Галисултанов, А. Т.; Федоров, И. А.; Сибирев, Н. В.; Сошников, И. П.; Дубровский, В. Г.

Найти похожие

Гексагональные структуры в нитевидных нанокристаллах GaAs [Текст] / И. П. Сошников [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 12. - С. 88-94

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гексагональные структуры -- нитевидные нанокристаллы -- термодинамические модели
Аннотация: Проведены экспериментальные исследования кристаллографической структуры нитевидных нанокристаллов GaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs (111) B, активированной Au. Методами дифракции быстрых электронов на отражение и просвечивающей электронной микроскопии показано, что нитевидные нанокристаллы GaAs могут образовывать кристаллическую структуру сфалерита, вюрцита или промежуточной фазы, близкой к политипу 4H, в зависимости от условий осаждения и размера капель катализатора. Полученные результаты интерпретируются в рамках термодинамической модели.

Доп.точки доступа:
Сошников, И. П.; Цырлин, Г. Э.; Сибирев, Н. В.; Дубровский, В. Г.; Самсоненко, Ю. Б.; Litvinov, D.; Gerthsen, D.

Найти похожие

Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения [Текст] / И. П. Сошников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 938-942 : ил. - Библиогр.: с. 941 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- метод магнетронного осаждения -- метод МО -- фотолюминесценция -- ФЛ -- физические параметры ННК -- рост ННК -- азот -- температура подложки -- планарные слои -- CaAsN
Аннотация: Продемонстрирована возможность использования метода магнетронного осаждения в плазмообразующей смеси Ar-N[2] для синтеза массивов GaAs[1-х]N[х] нитевидных нанокристаллов (ННК) с характерными диаметрами от 10 до 200 нм и длиной до 3000 нм. Получены данные о зависимости характера роста ННК от физических параметров (размера затравочных капель Au, скорости осаждения, кристаллографического типа поверхности и температуры подложки). Анализ зависимости высоты от диаметра ННК показывает, что механизм роста является преимущественно диффузионным. Стабильное содержание азота наблюдается при температуре роста в диапазоне 400-500{o}C и составляет выше 2. 7%. При температурах подложки в диапазоне 530-600{o}C наблюдается резкое падение содержания азота в твердых растворах. Исследования спектров фотолюминесценции полученных образцов показывают красное смещение полосы излучения, что связано с увеличением процентного содержания азота. Установлена зависимость положения полосы люминесценции и содержания азота от температуры. Наблюдается увеличение интенсивности фотолюминесценции образцов ННК GaAsN с содержанием азота 2. 7% в 5-10 раз по сравнению с планарными слоями, что объясняется отсутствием дефектов в структуре ННК.

Доп.точки доступа:
Сошников, И. П.; Цырлин, Г. Э.; Надточий, А. М.; Дубровский, В. Г.; Букин, М. А.; Петров, В. А.; Бусов, В. В.; Трошков, С. И.

Найти похожие

10.

621.315.592
П 960

Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs [Текст] / И. П. Сошников [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1114-1116 : ил. - Библиогр.: с. 1116 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
пьезоэффект -- структуры -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- GaAs -- кристаллические структуры -- вюрцит -- контактные слои -- пьезоэлектрические преобразования
Аннотация: Обнаружен аномальный пьезоэлектрический эффект в нитевидных нанокристаллах GaAs (коэффициент пьезоэлектрического преобразования d[33]~26 пКл/Н). Полученный результат может объясняться преимущественным содержанием в нитевидных нанокристаллах GaAs фазы с кристаллической структурой типа вюрцита и увеличением усилия при давлении на контактный слой.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1114-1116.pdf

Доп.точки доступа:
Сошников, И. П.; Афанасьев, Дм. Е.; Петров, В. А.; Цырлин, Г. Э.; Буравлев, А. Д.; Самсоненко, Ю. Б.; Хребтов, А.; Танклевская, Е. М.; Селезнев, И. А.

Найти похожие

11.

621.315.592
Ф 796

Формирование упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs с помощью электронной литографии [Текст] / И. П. Сошников [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 840-846 : ил. - Библиогр.: с. 845-846 (39 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нитевидные нанокристаллы -- ННК -- квантовые точки -- КТ -- подложки -- электронная литография -- метод электронной литографии -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- электронные пучки -- экспериментальные исследования
Аннотация: Проведено экспериментальное исследование процессов формирования упорядоченных нитевидных нанокристаллов GaAs на положках GaAs (111) B методами электронной литографии и каталитического роста в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии. Определены основные параметры электронно-литографического процесса для формирования каталитических капель Au с размерами от 10 до 150 нм. Установлено, что последующий рост при молекулярно-пучковой эпитаксии протекает по преимущественно диффузионному механизму. Показано, что на участках с повторным экспонированием в электронном пучке после "взрывного" (lift off) процесса может наблюдаться подавление роста нитевидных нанокристаллов.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p840-846.pdf

Доп.точки доступа:
Сошников, И. П.; Афанасьев, Дм. Е.; Цырлин, Г. Э.; Петров, В. А.; Танклевская, Е. М.; Самсоненко, Ю. Б.; Буравлев, А. Д.; Хребтов, А. И.; Устинов, В. М.

Найти похожие

12.

537
С 697

Сошников, И. П.
Анализ кинетики формирования массивов вискерных структур на поверхности InP и GaAs при распылении ионами Ar [Текст] / И. П. Сошников, В. Г. Дубровский, Н. В. Сибирев // Известия РАН. Серия физическая. - 2006. - Т. 70, N 6. - С. 813-816. - Библиогр.: с. 816 (10 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
вискерные структуры -- формирование вискерной морфологии -- ионная бомбардировка кристаллов -- нановискеры -- кинетические уравнения диффузии вискеров
Аннотация: Представлены результаты исследований закономерностей и причин образования рельефа с массивами нановискеров при облучении ионами Ar кристаллов InP и GaAs.

Доп.точки доступа:
Дубровский, В. Г.; Сибирев, Н. В.

Найти похожие

13.

539.2
Ф 796

Формирование структур с бескаталитическими нитевидными нанокристаллами CdTe / И. П. Сошников [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 865-868 : ил. - Библиогр.: с. 867-868 (32 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
нитевидные нанокристаллы -- бескаталитический синтез -- исследование процессов -- магнетронное осаждение -- структурный синтез -- магнетронное распыление -- пористые слои -- пористость -- оценка пористости
Аннотация: Проведено исследование процессов бескаталитического синтеза структур с CdTe нитевидными нанокристаллами с использованием метода магнетронного осаждения. Показано, что при осаждении магнетронным распылением CdTe на подложки с пористым слоем SiO[2] могут формироваться CdTe нитевидные нанокристаллы. Сделаны оценки пористости слоев SiO[2] с толщиной от 2 до 15 нм, полученных осаждением магнетронным распылением.
In this work we investigate the non-catalytic synthesisof the structures with CdTe nanowires by means of magnetronsputtering deposition. We demonstrate that the structures withnon-catalytic CdTe nanowires can be obtained on substrates withporous layer of SiO[2] using magnetron sputtering deposition. Theporosity of SiO[2] layers with thicknesses from 2 to 15 nm fabricatedby magnetron sputtering deposition is estimated.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p865-868.pdf

Доп.точки доступа:
Сошников, И. П.; Петров, В. А.; Проскуряков, Ю. Ю.; Кудряшов, Д. А.; Нащекин, А. В.; Цырлин, Г. Э.; Treharne, R.; Durose, K.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)