Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Найдено в других БД:

Электронный каталог (13)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Попова, Т. Б.$<.>)

Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9

539.2
Г 95

Гурин, В. Н.
Кристаллизация систем Al-Si, Al-Ge, Al-Si-Ge при центрифугировании [] / В. Н. Гурин, С. П. Никаноров [и др.] // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 3. - С. 56-62. - Библиогр.: c. 62 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
кристаллизация; сплавы; центрифугирование
Аннотация: Представлены результаты исследования процессов кристаллизации при центрифугировании систем Al-Si, Al-Ge и Al-Si-Ge. Из них система Al-Si наименее подвержена седиментации, в то время как в системах Al-Ge и Al-Si-Ge седиментация приводит к значительному изменению структуры сплавов внизу образца по сравнению с его верхом. Как правило, для определенных концентраций низ образцов содержит больше кристаллов и они значительно массивнее, чем вверху. В системе Al-Si-Ge соотношение Si : Ge по сравнению с исходным (1: 1) при изменении концентрации (Si + Ge) в результате центрифугирования увеличивается в 2-12 раз; оно изменяется также при перемещении по поверхности кристаллов от одного их края к другому (в отличие от нецентрифугируемых образцов, у которых при таком перемещении соотношение остается постоянным) ; все кристаллы в этой системе покрываются Ge.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2005/03/page-56.html.ru

Доп.точки доступа:
Никаноров, С. П.; Волков, М. П.; Деркаченко, Л. И.; Попова, Т. Б.; Коркин, И. В.; Вилкокс, Б. Р.; Регель, Л. Л.

Найти похожие

621.315.592
П 580

Попова, Т. Б.
Рентгеноспектральный микроанализ полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур на основе моделирования транспорта электронов методом Монте-Карло [Текст] / Т. Б. Попова, Л. А. Бакалейников, М. В. Заморянская, Е. Ю. Флегонтова // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 686-691 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
рентгеноспектральный микроанализ -- моделирование транспорта электронов -- эпитаксиальные гетероструктуры -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод
Аннотация: Рассмотрены особенности рентгеноспектрального микроанализа полупроводниковых гетероструктур на основе твердых растворов A\{III\}B\{V\} и A\{II\}B\{VI\} с тонкими эпитаксиальными слоями. На основе моделирования транспорта электронов методом Монте-Карло рассмотрено влияние слоя и подложки на распределение генерации рентгена по глубине. Продемонстрировано хорошее согласие расчетных и экспериментальных значений отношения интенсивностей излучения из слоя и массивного образца для модельных структур Al[0. 2]Ga[0. 8]As на подложке GaAs с разными толщинами слоя. Предложены методики, позволяющие проводить корректный микроанализ слоев с толщинами, большими 50 нм, а также одновременно определять состав и толщину эпитаксиальных слоев. Разработанные методики можно использовать при анализе тонких слоев и в других системах.

Доп.точки доступа:
Бакалейников, Л. А.; Заморянская, М. В.; Флегонтова, Е. Ю.

Найти похожие

Создание дискового резонатора с вертикальной боковой поверхностью для WGM-лазера (ламбда~3 mum) [Текст] / Е. А. Гребенщикова [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 22. - С. 7-13 . - ISSN 0320-0116

УДК

^a535.2/.3

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
WGM-лазеры -- полупроводниковые лазеры -- дисковые резонаторы
Аннотация: Впервые для WGM лазеров созданы дисковые резонаторы на основе гетероструктур InAs/InAsSb[0. 11]P[0. 24] в форме цилиндров диаметром 200, 100 и 50 mum, высотой до 30 mum, при этом вертикальная часть боковой поверхности достигала 10 mum.

Доп.точки доступа:
Гребенщикова, Е. А.; Шерстнев, В. В.; Кижаев, С. С.; Попова, Т. Б.; Яковлев, Ю. П.

Найти похожие

Исследование многослойных светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN методами рентгеноспектрального микроанализа и катодолюминесценции [Текст] / Я. В. Домрачева [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 8. - С. 10-15

УДК

^a535.33

^a535.37

ББК 22.344 + 22.345
Рубрики: Физика
Спектроскопия
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- светодиодные гетероструктуры -- многослойные гетероструктуры -- квантовые ямы -- барьерные слои -- рентгеноспектральный микроанализ -- катодолюминесценция
Аннотация: В работе представлены результаты исследования многослойных светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN, выращенных методом MOCVD. Разработана методика определения состава и глубины залегания квантовых ям InGaN и барьерных слоев AlGaN и исследованы особенности люминесценции с различной глубины многослойной светодиодной структуры.

Доп.точки доступа:
Домрачева, Я. В.; Заморянская, М. В.; Попова, Т. Б.; Флегонтова, Е. Ю.

Найти похожие

Послойный рентгеноспектральный микроанализ полупроводниковых структур методом вариации энергии электронного зонда [Текст] / Л. А. Бакалейников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 568-573

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
рентгеноспектральный микроанализ -- полупроводниковые структуры -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- светодиодные структуры
Аннотация: Описана методика послойного рентгеноспектрального микроанализа полупроводниковых структур методом вариации энергии электронного зонда с последующей математической обработкой результатов измерений. Экспериментальные зависимости относительной интенсивности рентгеновского излучения от энергии электронного зонда сравнивались с результатами расчетов методом Монте-Карло. При этом делались априорные предположения о характере распределения концентрации по глубине, а численные параметры распределения отыскивались из условия наилучшего совпадения экспериментальных и расчетных зависимостей. Описанная методика применена для анализа распределения концентрации Al по глубине в образцах SiC и GaN.

Доп.точки доступа:
Бакалейников, Л. А.; Домрачева, Я. В.; Заморянская, М. В.; Колесникова, Е. В.; Попова, Т. Б.; Флегонтова, Е. Ю.

Найти похожие

Комплексная диагностика гетероструктур с квантово-размерными слоями [Текст] / С. Г. Конников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1280-1287 : ил. - Библиогр.: с. 1287 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
кванто-размерные слои -- гетероструктуры -- катодолюминесценция -- КЛ -- катодолюминесцентные исследования -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- рентгеновская дифракция -- РД -- рентгеноспектральный микроанализ -- РСМА -- квантовые ямы -- КЯ -- рентгенодифракционные исследования -- комплексная диагностика
Аннотация: Возможности комплексной диагностики сложных квантово-размерных гетероструктур на основе соединений A{III}B{V}, используемых для создания мощных лазеров, продемонстрированы на примере структур с квантовой ямой GalnP/GaAs/AlGaAs, выращенных эпитаксией из металлорганической газовой фазы. Исследования спектров катололюминесценции позволили оценить состав барьерных слоев, подтвердить существование квантовой ямы и обнаружить аномалии в их излучении, связанные с изменением состава. При изучении структур в просвечивающем электронном микроскопе были определены толщина барьерных слоев, ширина и состав квантовой ямы, а также обнаружены переходные слои вблизи интерфейсов. Точное определение состава барьерных слоев было выполнено методом рентгеноспектрального микроанализа. Полученные величины параметров использовались при интерпретации данных рентгеновской дифракции, которые подтвердили существование переходных областей и обнаружили градиенты состава и частичную релаксацию в основной части слоев. Результатом проведенных комплексных исследований явились взаимосогласованные и обоснованные данные о составе и толщине слоев, а также данные о качестве интерфейсов, частичной релаксации слоев, существовании переходных слоев и градиентов состава.

Доп.точки доступа:
Конников, С. Г.; Гуткин, А. А.; Заморянская, М. В.; Попова, Т. Б.; Ситникова, А. А.; Шахмин, А. А.; Яговкина, М. А.

Найти похожие

539.21:534
Т 708

Тройное расслоение в системе Pb(+Ru)-Zn(+Sn) [Текст] / М. В. Коновалов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 13. - С. 65-70 : ил. - Библиогр.: с. 70 (6 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.21:534

536.42

ББК 22.372 + 22.375
Рубрики: Физика
Механические и акустические свойства монокристаллов
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
расслаивающиеся системы -- бинарные системы -- бинарные расслаивающиеся системы -- промежуточные слои -- тройное расслоение -- новые технологии -- эвтектики -- кристаллы
Аннотация: При использовании новой технологии в бинарных расслаивающихся системах наблюдается образование третьего промежуточного слоя в системе Pb (+Ru) -Zn (+Sn). Этот слой содержит все элементы системы и предположительно состоит из смеси тройной эвтектики Pb-Sn-Zn с тремя двойными эвтектиками (Pb-Zn, Pb-Sn и Sn-Zn). Он располагается между исходными слоями Pb и Zn. На его краях со стороны как Pb, так и Zn находятся также образующиеся в системе кристаллы соединения RuZn[13], заключенные в узких областях чистого Zn.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/13/p65-70.pdf

Доп.точки доступа:
Коновалов, М. В.; Гурин, В. Н.; Деркаченко, Л. И.; Попова, Т. Б.; Заморянская, М. В.; Буркхардт, У.; Гринь, Ю.

Найти похожие

539.2
Р 397

Рентгеноспектральный микроанализ гетероструктур с наноразмерными слоями [Текст] / Т. Б. Попова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 263-267 : ил. - Библиогр.: с. 267 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- полупроводниковые гетероструктуры -- наноразмерные слои -- рентгеноструктурный микроанализ -- квантовые ямы -- InGaAs -- ZnCdSe
Аннотация: Описана методика рентгеноспектрального микроанализа для диагностики полупроводниковых гетероструктур с наноразмерными слоями. Рассмотрены особенности анализа таких структур по сравнению со слоистыми структурами с большей характерной толщиной слоев и однородными образцами. Возможности метода проиллюстрированы на примере определения состава слоев в светодиодных и лазерных гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs и ZnCdSe. Применение предложенной методики позволило определить состав и глубину залегания наноразмерных слоев квантовых ям в исследованных образцах с точностью не хуже 10%. Приведено сравнение результатов микроанализа с данными других методов, получено хорошее согласие.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p263-267.pdf

Доп.точки доступа:
Попова, Т. Б.; Бакалейников, Л. А.; Флегонтова, Е. Ю.; Шахмин, А. А.; Заморянская, М. В.

Найти похожие

539.21:537
О-232

Образование дворика кристаллизации в эвтектических системах и рост кристаллов / В. Н. Гурин [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 5. - С. 27-33 : ил. - Библиогр.: с. 33 (5 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
кристаллизация -- электрические системы -- твердые растворы -- микротвердость -- нагревательные системы -- композиционные материалы
Аннотация: Исследован так называемый дворик кристаллизации, образующийся в процессах массовой кристаллизации вокруг кристаллов Ge, Si и их твердых растворов (Ge + Si) при охлаждении заэвтектических составов в эктектических системах Ge-Al, Si-Al и (Ge + Si) -Al. Впервые приводятся данные о составе и микротвердости такого дворика и показана его роль как стопора процесса распространения трещин в системе Al- (Ge, Si) при быстром охлаждении после выключения нагревательной системы. Впервые высказано предположение об образовании дворика кристаллизации во всех заэвтектических системах (к таким системам относятся все системы, в которых количество взятого растворителя не соответствует эвтектической точке).

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/05/p27-33.pdf

Доп.точки доступа:
Гурин, В. Н.; Осипов, В. Н.; Деркаченко, Л. И.; Корчунов, Б. Н.; Попова, Т. Б.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)