Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Махмудов, Ш. А.$<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

808.2
М 363

Махмудов, Ш. А.
Т. Г. Никитина. Молодежный сленг [Текст] / Ш. А. Махмудов // Русский язык в школе. - 2003. - N 5 . - ISSN 0131-6141

УДК

808.2

ББК 81.2Рус
Рубрики: Языкознание--Русский язык
Кл.слова (ненормированные):
молодежный сленг -- рецензии -- русский язык -- сленг -- толковые словари
Аннотация: Рецензия на толковый словарь: Т. Г. Никитина. Молодежный сленг.-М.: ООО "Издательство Астрель", 2003.

Доп.точки доступа:
Никитина, Т. Г.

Найти похожие

621.315.592
М 36

Махкамов, Ш.
К вопросу о термостабильности электрофизических свойств p-SiP, Ni и p-SiP, Cu [Текст] / Ш. Махкамов, М. Каримов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2005. - Т. 48, N 12. - С. 73-75. - Библиогр.: c. 75 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 22.33
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
термостабильность; метод изохронного отжига; электрофизические свойства Ni; электрофизические свойства Cu; кремний в процессе легирования
Аннотация: Методом изохронного отжига исследовались образцы кремния с различными концентрациями никеля и меди. При этом установлена зависимость температуры полного распада центров Ni и Cu от концентрации атомов никеля и меди в перекомпенсированном из n- в p-тип кремнии. С уменьшением расстояния между примесными атомами температура распада центров Ni и Cu повышается. Эффект объясняется особенностями распределения атомов компенсирующих примесей внутри областей флуктуаций, которые образуются в кремнии в процессе легирования.

Доп.точки доступа:
Каримов, М.; Курбанов, А. О.; Махмудов, Ш. А.; Караходжаев, А. К.

Найти похожие

Кинетика релаксации фотопроводимости в кремнии р-типа, компенсированном атомами фосфора [Текст] / М. Каримов [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 5. - С. 9-12. - Библиогр.: c. 12 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a530.1

^a621.315.55/.58

ББК 22.31 + 31.232
Рубрики: Физика
   Теоретическая физика
   Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
глубокоуровневые центры -- иридий -- кинетика фотопроводимости -- компенсирование (физика) -- компенсирующие центры (физика) -- кремний -- легирование -- микронеоднородность кремния -- нейтронно-легированный кремний -- постоянная времен релаксации основных носителей заряда -- радиационный дефект -- термоотжиг радиационных дефектов -- фосфор -- фотопроводимость кремния
Аннотация: Обсуждается кинетика релаксации Фотопроводимости нейтронно-легированного кремния (НЛК) р-типа. Обнаружено, что в компенсированном p-Si<В, Р> и контрольном p-Si<В> релаксационный процесс происходит различным образом. Различие объясняется на базе представлений о разной степени микронеоднородности по проводимости материала. Для определения термоотжига структурных дефектов предлагается метод, основанный на изучении зависимости подвижности носителей заряда от времени отжига.

Доп.точки доступа:
Каримов, М.; Махкамов, Ш.; Турсунов, Н. А.; Махмудов, Ш. А.; Бегматов, К. А.; Караходжаев, А. К.; Садиков, А. Х.

Найти похожие

621.315.592
В 586

Влияние быстрых нейтронов на электрофизические свойства ядерно-легированного кремния р-типа [Текст] / М. Каримов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, N 5. - С. 75-78. - Библиогр.: c. 78 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
быстрые нейтроны -- микронеоднородность -- подвижность носителей заряда -- потенциальный барьер -- радиационные дефекты -- скорость удаления носителей -- удельное сопротивление -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- флюенс быстрых нейтронов -- Холла эффект -- эффект Холла -- ядерно-легированный кремний р-типа
Аннотация: Исследуется влияние дефектов, наведенных облучением быстрыми нейтронами, на скорость удаления носителей заряда в ядерно-легированном кремнии (р-Si<В, P>) и контрольном р-Si<В> методом измерения коэффициента Холла и удельного сопротивления при комнатной температуре. Показано, что скорость удаления носителей заряда в р-Si<В, P> быстрее, чем в р-Si<В>. Предлагается барьерная модель, объясняющая наблюдаемый эффект.

Доп.точки доступа:
Каримов, М.; Махкамов, Ш.; Турсунов, Н. А.; Махмудов, Ш. А.; Сулаймонов, А. А.

Найти похожие

621.315.592
Ф 796

Формирование примесно-дефектных комплексов меди и их влияние на электрофизические свойства кремния / М. Каримов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 1. - С. 57-62 : рис., табл. - Библиогр.: c. 61-62 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
диффузия -- кремний р-типа -- легированный кремний -- легирующие примеси -- медь -- преципитаты -- примеси меди -- примесно-дефектные комплексы меди -- рекомбинационные центры -- скорость охлаждения -- структурные дефекты -- удельное сопротивление -- уровень прилипания -- электрофизические свойства
Аннотация: Методом измерения удельного сопротивления, концентрации и времени жизни носителей заряда, а также с помощью инфракрасного микроскопа определены типы и природа структурных дефектов в кремнии р-типа, легированном медью. Обнаружено увеличение и стабилизация значений, обусловленные образованием уровня прилипания, связанного с комплексом "медь - кислород" [Cu-O] в кремнии. Показано, что уход атомов меди от насыщенной дислокации в объем слаболегированного кремния в процессе медленного охлаждения после высокотемпературной диффузии связан с распадом твердого раствора Si-Cu.

Доп.точки доступа:
Каримов, М.; Махкамов, Ш.; Турсунов, Н. А.; Бакиев, С. А.; Махмудов, Ш. А.; Саттиев, А. Р.; Акрамов, Ф. С.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)