Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>A=Карева, Г. Г.$<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.
539.2
К 220

    Карева, Г. Г.
    Электрофизические явления в структуре металл/наноокисел/p{+}-кремний при трансформации ее в резонансно-туннельный диод / Г. Г. Карева, авт. М. И. Векслер // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 8. - С. 1087-1093 : ил. - Библиогр.: с. 1092-1093 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222
УДК
539.2
621.315.592
ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электрофизические явления -- металл-диэлектрик-полупроводник -- МДП -- кремниевая электроника -- резонансно-туннельные диоды -- РТД -- квантовые ямы -- КЯ -- уровни легирования -- кремний -- Si -- наноокислы -- резонансное туннелирование электронов -- туннелирование электронов -- электроны -- наноструктуры -- свойства наноструктуры -- диоды -- область пространственного заряда -- ОПЗ
Аннотация: Для исследования и разработки новой компонентной базы кремниевой электроники проведен анализ электрофизических явлений в структуре металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) при переводе ее размерных параметров в нанометровый диапазон благодаря увеличению уровня легирования дырочного Si до N[A]~ 10{19} см{-3} и уменьшению толщины окисла до 0. 4-4. 0 нм. В результате становится возможным с помощью относительно небольшого (единицы вольт) запирающего напряжения создать необходимые и достаточные условия для резонансного туннелирования электронов. Это приводит к трансформации МДП конденсатора в резонансно-туннельный диод, которая сопровождается принципиальным расширением свойств и функций МДП наноструктуры.
To investigate and develop novel silicon-based electronic components, the electro-physical effects in a metal-insulator- semiconductor (MIS) structure with nanometer size parameters, gained by enhancement of the silicon doping level up to N[A] ~ 10{19} cm? 3 and reduction of the oxide thickness down to 0. 4-4. 0 nm, have been studied. As a result of such changes, the MIS nanostructure satisfies necessary and sufficient conditions for the electron resonant tunneling that can be observed at relatively low (some volts) reverse biases. Thereby a MIS capacitor can be transformed into a resonant-tunneling diode with substantial extension of its properties and functions.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/08/p1087-1093.pdf

Доп.точки доступа:
Векслер, М. И.; Санкт-Петербургский государственный университетФизико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)