Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Войцеховский, А. В.$<.>)

Общее количество найденных документов : 40
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40

621.315
В 659

Войцеховский, А. В.
Барьеры Шоттки кремний-силицид платины с высоколегированным поверхностным слоем [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N8. - Библиогр.: с.20 (22 назв.) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315

Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
барьеры Шоттки -- кремний -- силицид платины -- имплантация -- фотоприемники
Аннотация: Для смещения в длинноволновую область спектральной характеристики ИК-фотоприемников на основе барьеров Шоттки кремний-силицид платины предложено создание легированного поверхностного слоя кремния при помощи имплантации бора методом ядер отдачи. Экспериментально исследованы зависимости параметров полученных высоколегированных слоев от режимов высокоэнергетичной имплантации ионов бора. Рассчитаны энергетические диаграммы и понижение высоты барьера для структур p-Si-PtSi с поверхностными высоколегированными слоями, созданными молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантацией методом ядер отдачи

Доп.точки доступа:
Коханенко, А.П.; Несмелов, С.Н.; Ляпунов, С.И.; Комаров, Н.В.

Найти похожие

Войцеховский, А. В.
Фотоэлектрические свойства фотоприемников на основе барьеров Шоттки кремний-силицид платины с высоколегированным поверхностным слоем [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N11. - Библиогр.: с.18 (24 назв.) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
барьеры Шоттки -- фотоприемники -- фотоэлектрические характеристики
Аннотация: Рассчитаны спектральные, пороговые, шумовые характеристики фотоприемников p-Si-PtSi с поверхностным высоколегированными слоями, созданными при помощи молекулярно-лучевой эпитаксии и короткоимпульсной имплантации примеси методом ядер отдачи

Доп.точки доступа:
Коханенко, А.П.; Несмелов, С.Н.; Ляпунов, С.И.; Комаров, Н.В.

Найти похожие

621.315
В 659

Войцеховский, А. В.
Режимы ограничения пороговых характеристик ИК-фотоприемников на основе барьеров PtSi-Si с поверхностным высоколегированным слоем [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, С. Н. Несмелов, В. Н. Соколов // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N5. - Библиогр.: с.77 (7 назв.) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315

Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
барьеры Шоттки -- потенциальный барьер -- фотоприемники
Аннотация: Рассмотрено влияние изменения высоты потенциального барьера при создании высоколегированного слоя в полупроводнике PtSi-p-Si-структур на соотношение плотностей фонового фототока и темнового тока и спектральную обнаружительную способность фотоприемника при регистрации теплового излучения в диапазоне длин волн 3-5 мкм

Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics

Доп.точки доступа:
Коханенко, А.П.; Несмелов, С.Н.; Соколов, В.Н.

Найти похожие

621.315.592
В 659

Войцеховский, А. В.
Расчет профилей радиационных дефектов в КРТ при импульсном ионном воздействии [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, С. А. Шульга // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N6. - Библиогр.: с.89 (15 назв.) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
дефектообразование -- диффузия -- ионное облучение -- радиационные дефекты
Аннотация: В работе рассматривается возникновение и эволюция профилей радиационных дефектов в КРТ при воздействии на него высокоточными ионными импульсами. Приводится математическая модель радиационного дефектообразования с учетом влияния на него возникающего неоднородного нестационарного температурного поля, а также полей механических квазистатических и динамических напряжений. Приводятся примеры расчета и сравнение расчетных и экспериментальных данных

Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics

Доп.точки доступа:
Коханенко, А.П.; Шульга, С.А.

Найти похожие

621.31
В 659

Войцеховский, А. В. (???? 1).
Пороговые характеристики инфракрасных дефекторов на основе гетеропереходов GeSi/Si [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, С. Н. Несмелов // Известия вузов. Физика. - 2003. - N4. - Библиогр.: 5 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.31

ББК 31.28
Рубрики: Энергетика--Отпуск электрической энергии
Кл.слова (ненормированные):
HIP детектор -- барьер Шотки -- эффективная состояния Ричардсона
Аннотация: Рассмотрены возможности использования эмиссионных детекторов на основе гетеропереходов в спектральном диапазоне (8-12) мкм. Проанализированы зависимости обнаружительной способности и пороговой разности температуры от температуры и параметров детектора

Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/

Доп.точки доступа:
Коханенко, А.П.; Несмелов, С.Н.

Найти похожие

621.315.592
В 659

Войцеховский, А. В. (???? 1).
Моделирование взаимодействия мощных импульсных пучков ионов с полупроводниковой мишенью кадмий-ртуть-теллур [Текст] / А. В. Войцеховский // Известия вузов. Физика. - 2003. - N8. - Библиогр.: 13 назв. . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 31.29
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии
Кл.слова (ненормированные):
кадмий -- полупроводники -- полупроводниковая мишень -- ртуть -- теллур
Аннотация: В работе предлагается математическая модель, описывающая взаимодействие мощных импульсных пучков ионов с полупроводниковой мишенью Cd[x]Hg[1-x]Te (кадмий-ртуть-теллур, или КРТ), приводятся результаты численного моделирования и сравнение их с экспериментом

Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/

Найти похожие

621.315.592
В 659

Войцеховский, А. В.
Особенности определения электрофизических параметров вариозных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 7. - Библиогр.: с. 76-77 ( 10 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
молекулярно-лучевая эпитаксия -- вариозные структуры КРТ -- электрофизические параметры
Аннотация: В работе проведено численное моделирование влияния широкозонного и узкозонного вариозных слоев на результаты холловских измерений концентрации и подвижности носителей заряда эпитаксильных структур КРТ, выращенных методом МЛЭ. Исследование зависимости относительно различия между эффективными методами значениями электрофизических параметров, полученных в эксперименте, и параметров основного "рабочего" слоя эпитаксильной пленки от характеристик вариозного слоя показало неравназначное влияние широкозонного и узкозонного слоев.

Доп.точки доступа:
Григорьев, Д. В.; Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П.

Найти похожие

621.315
В 65

Войцеховский, А. В.
Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, А. П. Коханенко // Известия вузов. Физика. - 2005. - N 2. - С. 34-39. - Библиогр.: с. 38-39 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
фотоэдс; МДП-структуры; метод молекулярно-лучевой эпитаксии; варизонные слои; гетероэпитаксиальные варизонные пленки
Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости фотоэдс от напряжения в МДП-структурах. Гетероэпитаксиальные варизонные пленки создавались методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлена связь вида полевых зависимостей фотоэдс с типом проводимости полупроводника и наличием приповерхностных варизонных слоев.

Доп.точки доступа:
Несмелов, С. Н.; Коханенко, А. П.

Найти похожие

621.315
В 65

Войцеховский, А. В.
Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, А. П. Коханенко // Известия вузов. Физика. - 2005. - Т. 48, N 2. - С. 34-39. - Библиогр.: с. 38-39 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315

10.

621.315.592
В 65

Войцеховский, А. В.
Исследование фотоэлектрических и рекомбинационных свойств эпитаксиальных пленок КРТ МЛЭ при фоновом ограничении [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, М. Ф. Филатов // Известия вузов. Физика. - 2005. - Т. 48, N 4. - С. 96 . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные пленки КРТ; пленки КРТ МЛЭ; молекулярно-лучевая эпитаксия; объемные кристаллы КРТ; фоновое излучение; депонированные статьи в ВИНИТИ; неравновесная фотопроводимость
Аннотация: В статье представлены результаты экспериментального исследования влияния фонового излучения на фотоэлектрические и электрофизические характеристики эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Доп.точки доступа:
Коханенко, А. П.; Филатов, М. Ф.

Найти похожие

11.

621.315
В 65

Войцеховский, А. В.
Влияние сопротивления объема эпитаксиальной пленки на вольт - фарадные характеристики МДП - структур HgCdTe / АОП И HgCdTe / Si [O]2 / [Si]3 [N]4 [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия вузов. Физика. - 2005. - Т. 48, N 6. - С. 31-37. - Библиогр.: с. 37 (6 назв. ) . - ISSN 0021 - 34

УДК

621.315

ББК 22.38
Рубрики: Физика--Ядерная физика
Кл.слова (ненормированные):
сопротивление объема; эпитаксиальная пленка; реактивный компонент; смещение; физика полупроводников; физика диэлектриков
Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости активной и реактивной компонент полной проводимости МДП - структур на основе гетероэпитаксиального [Hg]0, 78 [Cd]0, 22 Te, созданного методом молекулярно - лучевой эпитаксии, от напряжения смещения в диапазоне частот 1 кГц - 1МГц. Показано, что сопротивление объема эпитаксиальной пленки оказывает значительное влияние на измеряемую полную проводимость, что проявляется в ряде особенностей вольт - фарадных характеристик. Определены значения сопротивления объема эпитаксиальной пленки для образцов с разной исходной проводимостью, а также для образцов с варизонными приповерхностными слоями. Предложены методики, позволяющие исключить влияние сопротивления объема на полную проводимость МДП - структур на основе эпитаксиального HgCdTe.

Доп.точки доступа:
Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.

Найти похожие

12.

621.315.592
В 65

Войцеховский, А. В.
Динамика накопления электрически активных радиационных дефектов при имплантации варизонных эпитаксиальных пленок МЛЭ КРТ [Текст] / А. В. Войцеховский, А. Г. Коротаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2006. - N 9. - С. 25-28. - Библиогр.: с. 25-28 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315.592

ББК 31.15
Рубрики: Энергетика--Энергетические ресурсы
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные пленки; радиационные дефекты; динамика накопления; ионное легирование; накопление радиационных дефектов; имплантация эпитаксиальных пленок
Аннотация: Проведено исследование динамики накопления электрически активных радиационных дефектов при ионном легировании эпитаксиальных пленок Cd[x]Hg[1-x]Te с различным распределеним состава материала в области внедрения имплантанта. Образцы эпитаксиальных пленок облучались ионами бора при комнатной температуре в непрерывном режиме в диапазоне доз 10{11} - 3*10{15} см{-2}, энергий 20-150 кэВ, плотности тока ионов = 0, 001-0, 2мкА*см{-2}. Обнаружено, что натуральный логарифм скорости введения электрически активных радиационных дефектов линейным образом зависит от состава материала эпитаксиальной пленки в области среднего проецированного пробега имплантируемых ионов. Анализ полученных экспериментальных данных показывает, что динамика накопления электрически активных радиационных дефектов определяется составом материала эпитаксиальной пленки в области внедрения имплантируемых ионов.

Доп.точки доступа:
Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П.; Григорьев, Д. В.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Сидоров, Ю. Г.; Михайлов, Н. Н.; Талипов, Н. Х.

Найти похожие

13.

621.315
В 65

Войцеховский, А. В.
Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe (х=0, 21-0, 23 [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 10. - С. 70-80. - Библиогр.: с. 80 (21 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

621.315

ББК 31.24
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений
Кл.слова (ненормированные):
МПД-структуры; дифференциальное сопротивлнение; молекулярно-лучевая эпитаксия; приповерхностные варизонные слои; фотоэлектрические характеристики МПД-структур; варизонные пленки; фотоэдс
Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости фотоэдс от напряжения, частоты и температуры для МДП-структур HgCdTe/SiO[2]/Si[3]N[4] и HgCdTi/АОП. МПД-структуры формировались на основе гетероэпитаксиальных варизонных пленок Hg[1-x]Cd[x]Te, выращенных на подложках из GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено влияние приповерхностных варизонных слоев на фотоэлектрические характеристики МПД-структур. Выявлены механизмы, ограничивающие дифференциальное сопротивление области пространственного заряда при разных температурах.

Доп.точки доступа:
Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Васильев, В. В.; Захарьяш, Т. И.; Машуков, Ю. П.

Найти похожие

14.

Расчет тепловых параметров SiGe микроболометров [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2007. - N 12. - С. 44-50. - Библиогр.: с. 49-50 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.19

^a539.26

^a621.1.01

ББК 22.36 + 22.361 + 31.31
Рубрики: Молекулярная физика в целом
   Физика
   Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
   Теоретические основы теплотехники
   Энергетика
Кл.слова (ненормированные):
болометрические матрицы -- тепловизионные приборы -- теплопроводность -- микроболометры -- фотодетекторы -- тепловые параметры
Аннотация: Путем численного моделирования проведен расчет тепловых параметров SiGe микроболометра. Расчет величины теплопроводности и времени теплового отклика хорошо согласуются со значениями, определяем из экспериментальных данных, и лежат в диапазоне от 2 10{-7} до 7 10{-8} Bт/К и от 1, 5 до 4, 5 мс соответственно. Получение высоких значений чувствительности микроболометра достигается путем оптимизации величин времени теплового отклика и теплопроводности болометра за счет подбора геометрии поддерживающих теплоотводных балок либо выбором для нее соответствующего материала, обеспечивающего значение граничного теплового сопротивления на границе раздела с SiGe более 8 10-3 см2 К/Вт.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Григорьев, Д. В.; Юрьев, В. А.; Несмелов, С. Н.

Найти похожие

15.

Войцеховский, А. В.
Пороговые характеристики микроболометров на основе поликристаллического силицида германия [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов // Известия вузов. Физика. - 2007. - N 12. - С. 51-55. - Библиогр.: c. 55 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.1.01

^a539.26

^a536.42

ББК 31.31 + 22.361 + 22.375
Рубрики: Теоретические основы теплотехники
   Энергетика
   Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики
   Физика
   Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
болометрические детекторы -- матричные детекторы -- микроболометры -- поликристаллический силицид германия -- матричные фотоприемники -- тепловизионные приборы
Аннотация: Рассчитаны пороговые характеристики микроболометров на основе поликристаллического силицида германия. Показано, что зависимость обнаружительной способности от удельного сопротивления микроболометра характеризуется максимумом. Установлены оптимальные для улучшения пороговых характеристик диапазоны напряжений и удельного сопротивления.

Доп.точки доступа:
Несмелов, С. Н.

Найти похожие

16.

Потекаев, А. И.
Предисловие [Текст] / А. И. Потекаев, А. В. Войцеховский // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 10. - С. 3-4 . - ISSN 0021-3411

УДК

^a53(091)

ББК 22.3г
Рубрики: Физика
История физики
Кл.слова (ненормированные):
вузы -- институты -- юбилеи
Аннотация: Настоящий выпуск журнала приурочен к 80-летию известного в России и за рубежом старейшего научного вузовского центра России - Сибирского физико-технического института им. академика В. Д. Кузнецова (СФТИ). Содержание этого выпуска дает представление о наиболее важных результатах, полученных в институте за последние годы.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Сибирский физико-технический институт им. академика В. Д. Кузнецова

Найти похожие

17.

Войцеховский, А. В.
Ионная имплантация в гетероэпитаксиальный Cd[x]Hg[1-x]Te, выращенный методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 10. - С. 5-18. - Библиогр.: c. 18 (23 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Полупроводниковые материалы и изделия
Энергетика
Кл.слова (ненормированные):
ионная имплантация -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- полупроводниковые соединения Cd[x]HgTe -- гетероэпитаксиальный КРТ -- МЛЭ
Аннотация: Представлены результаты исследований влияния ионной имплантации на электрофизические свойства гетероэпитаксиального полупроводникового материала, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Выявлены основные факторы, определяющие отличия результатов ионной имплантации в объемные кристаллы КРТ и гетероэпитаксиальный МЛЭ КРТ.

Доп.точки доступа:
Григорьев, Д. В.; Талипов, Н. Х.

Найти похожие

18.

Свойства МДП структур на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1327-1332

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
HgCdTe -- варизонные слои -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МДП структуры -- металл-диэлектрик-полупроводник
Аннотация: Экспериментально исследовано влияние приповерхностных варизонных слоев на электрические характеристики МДП структур, созданных на основе гетероэпитаксиального Hg[1-x]Cd[x]Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии с двухслойным диэлектриком SiO[2]/Si[3]N[4] и анодной окисной пленкой. Показано, что в вольт-фарадных характеристиках структур с варизонными слоями наблюдается большая модуляция емкости (глубина и ширина провала), чем для структур без варизонного слоя. Полевые зависимости фотоэдс МДП структур с варизонными слоями у поверхности имели классический вид и характеризовались спадом только в области обогащения. Для структур без варизонного слоя с x=0. 22 в области сильной инверсии наблюдался спад зависимости фотоэдс от напряжения, обусловленный ограничением дифференциального сопротивления области пространственного заряда процессами туннельной генерации через глубокие уровни. Исследованы свойства границ раздела HgCdTe-диэлектрик.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Васильев, В. В.

Найти похожие

19.

Войцеховский, А. В.
Определение концентрации нагретого газа из разности контактных и дистанционных измерений температуры [Текст] / А. В. Войцеховский, О. К. Войцеховская, А. Ю. Запрягаев // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 5. - С. 96-102. - Библиогр.: c. 101-102 (21 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a539.19

ББК 22.36
Рубрики: Молекулярная физика в целом
Физика
Кл.слова (ненормированные):
высокотемпературные измерения -- дистанционные измерения измерений -- загрязнение атмосферы (методы физического эксперимента) -- излучательные характеристики среды -- нагретый газ -- определение концентрации газа -- радиационная температура газовых смесей -- способы измерений температуры (физика) -- экологические проблемы
Аннотация: В работе предложен способ определения малых концентраций высокотемпературных газов из разности показаний датчиков, принципы действия которых основаны на контактном и дистанционном методах измерения температуры газового объема. Предполагается, что контактные измерения позволяют определить реальную кинетическую температуру газа, а дистанционные пирометрические измерения дают радиационную температуру. Возникающая разность температур содержит однозначную зависимость от концентрации газа и поэтому при выборе соответствующих определенным требованиям рабочих спектральных участков имеется возможность найти численное значение концентрации.

Доп.точки доступа:
Войцеховская, О. К.; Запрягаев, А. Ю.

Найти похожие

20.

Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p-НgСdТе при ионно-лучевом травлении [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 9. - С. 51-56. - Библиогр.: c. 56 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

^a621.37/.39

^a621.382

ББК 32 + 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника в целом
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Кл.слова (ненормированные):
варизонные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- ионно-лучевое травление -- полупроводники -- фотоприемные устройства
Аннотация: Представлены результаты исследований по пространственному распределению донорных центров в варизонных слоях HgCdTe р-типа с различным профилем состава в приповерхностной области после ионно-лучевого травления. Обнаружено, что глубина п{+}-слоя, образующегося после облучения, слабо зависит от режимов ионно-лучевого травления и состава поверхности материала и составляет величину 0, 5-1 мкм. С увеличением времени травления наблюдается рост концентрации электронов в п{+}-слое на поверхности. Показано, что режимы ионно-лучевого травления и состав приповерхностной области существенно влияют только на глубину п{-} -слоя с низкой концентрацией электронов. Анализ экспериментальных данных показывает, что процесс ионно-лучевого травления в гетероэпитаксиальных структурах p-НgСdТе с градиентом состава в приповерхностной области отличен от травления в однородных эпитаксиальных структурах и кристаллах HgCdTe.

Доп.точки доступа:
Войцеховский, А. В.; Волков, В. С.; Григорьев, Д. В.; Ижнин, И. И.; Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П.; Посяцк, М.; Средин, В. Г.; Талипов, Н. Х.

Найти похожие

1-20 21-40

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)