Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Найдено в других БД:

Электронный каталог (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Барабан, А. П.$<.>)

Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7

Барабан, А. П.
Дефекты и дефектообразование в окисном слое ионно-имплантированных структур кремний-двуокись кремния [Текст] / А. П. Барабан, Л. В. Милоглядова // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N5. - Библиогр.: с. 60 (7 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
дефекты -- ионная имплантация -- кремний -- оксид кремния
Аннотация: Совместно методами электролюминесценции и методами, основанными на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик, исследовались структуры Si-SiO[2], полученные термическим окислением кремния КЭФ-5 (100) во влажном кислороде при температуре 950C (толщина окисного слоя 250 nm), имплантированные ионами аргона с энергией 130 keV и дозами 10{13}-3.2* 10{17} cm{-2}. Установлена связь природы, свойств и механизмов формирования дефектов, образующихся в окисном слое имплантированных структур. На основании этого предложена модель дефектообразования в результате имплантации ионов Ar в структуры Si-SiO[2]

Доп.точки доступа:
Милоглядова, Л.В.

Найти похожие

Аскинази, А. Ю.
Роль маскирующего оксида на кремнии в процессах дефектообразования при формировании SIMOX-структур [Текст] / А. Ю. Аскинази, А. П. Барабан, Л. В. Милоглядова // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N5. - Библиогр.: с. 64 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
дефекты -- ионная имплантация -- кремний -- маскирующий оксид -- оксид кремния
Аннотация: Исследованы структуры Si-SiO[2], сформированные путем имплантации в кремний ионов кислорода (SIMOX-технология) методами, основанными на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик, и методом электролюминесценции. Установлено существование в сформированном окисном слое вблизи границы с кремнием электрически активных центров и центров люминесценции. Выяснена роль маскирующего слоя SiO[2] на кремнии в процессах дефектообразования при формировании замурованного окисного слоя. Установлена зависимость концентрации электрически активных и люминесцентных центров от толщины маскирующего слоя

Доп.точки доступа:
Барабан, А.П.; Милоглядова, Л.В.

Найти похожие

539.2
Б 24

Барабан, А. П.
Электролюминесценция структур Si-SiO[2], последовательно имплантированных кремнием и углеродом [Текст] / А. П. Барабан, авт. Ю. В. Петров // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 5. - С. 909-911. - Библиогр.: с. 911 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
ионная имплантация; кремний; окисные слои; постимплантационный отжиг; углерод; электролюминесценция
Аннотация: Изучена электролюминесценция структур Si-SiO[2], подвергнутых ионной имплантации кремния с энергиями 130 и 60 keV и углерода с энергией 60 keV в окисный слой. Результатом ионной имплантации явилось возникновение полос электролюминесценции с максимумами около 2. 7 и 4. 3 eV, которые связывались с образованием силиленовых центров. Постимплантационный отжиг приводил к уменьшению интенсивности данных полос электролюминесценции, а также к появлению плеча с коротковолновой стороны полосы 2. 7 eV.

Доп.точки доступа:
Петров, Ю. В.

Найти похожие

544.52
Т 352

Термо- и фотоактивация разложения гидрида алюминия [Текст] / И. Е. Габис [и др.] // Журнал физической химии. - 2012. - Т. 86, № 11. - С. 1864-1870. - Библиогр.: c. 1870 (29 назв. ) . - ISSN 0044-4537

УДК

544.52

ББК 24.552
Рубрики: Химия
Фотохимия
Кл.слова (ненормированные):
водородные вакансии -- гидрид алюминия -- кинетика дегидрирования -- метод функционала плотности -- методы активации кинетики -- термодесорбционная спектроскопия -- ультрафиолет
Аннотация: Методами термодесорбционной спектрометрии и барометрии исследованы процессы, проходящие в фазе инкубации дегидрирования AlH[3], которая предшествует активному разложения гидрида и, по-видимому, сопровождается изменением свойств материала. Методом функционала плотности проведены расчеты электронной структуры. Показано, что источником зародышей металлической фазы являются водородные вакансии, появление которых может быть активировано термически.

Доп.точки доступа:
Габис, И. Е.; Елец, Д. И.; Кузнецов, В. Г.; Барабан, А. П.; Добротворский, М. А.; Добротворский, А. М.

Найти похожие

539.2
Л 947

Люминесценция слоев SiO[2] на кремнии, возбуждаемая электронами [Текст] / А. П. Барабан [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 6. - С. 1080-1083. - Библиогр.: с. 1083 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
люминесценция -- спектры катодолюминесценции -- спектры электролюминесценции -- кремний -- электроны
Аннотация: На основании сравнительного анализа вида спектров катодолюминесценции и электролюминесценции структур Si-SiO[2] сделано заключение о процессах возбуждения и области локализации центров свечения, проявляющихся в УФ-области спектра. Электролюминесценция в этой области спектра обусловлена возбуждением центров свечения, локализованных в непосредственной близости от межфазовой границы Si-SiO[2]. В случае катодолюминесценции наблюдаемые полосы излучения с максимумами при энергиях ~4. 3 и ~2. 7 eV связаны с образованием в процессе возбуждения люминесценции силиленовых центров в области межфазовой границы Si-SiO[2].

Доп.точки доступа:
Барабан, А. П.; Дмитриев, В. А.; Петров, Ю. В.; Тимофеева, К. А.

Найти похожие

535.37
О-754

Особенности полевой генерации неосновных носителей заряда в структурах Si-SiO[2] / А. П. Барабан [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 490-492 : ил. - Библиогр.: с. 492 (10 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.37

ББК 22.345
Рубрики: Физика
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
неосновные носители заряда -- ННЗ -- полевая генерация -- структуры -- кремний -- Si -- электрические поля -- окисные слои -- электролюминесценция -- ЭЛ
Аннотация: Рассмотрены особенности генерационных процессов в структурах Si-SiO[2] при наличии сильного электрического поля в окисном слое (E[ox]~ 10 МВ/см). Показано, что при достижении определенного порогового значения напряженности электрического поля происходит подключение дополнительного механизма генерации неосновных носителей заряда в кремнии, связанного с развитием процессов электролюминесценции в окисном слое.
The peculiarities of the generation process in Si? SiO[2] structures in the presence of a strong electric field in the oxide layer (~ 10 E[ox] MV/cm) are considered. It is shown that additional mechanism of minority carriers generation in silicon when a certain threshold value of the electric field strength has been reached. This mechanism is conditioned by the development of the electroluminescence process in the oxide layer.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p490-492.pdf

Доп.точки доступа:
Барабан, А. П.; Коноров, П. П.; Дмитриев, В. А.; Прокофьев, В. А.

Найти похожие

537.311.33
Б 240

Барабан, А. П.
Люминесценция деградированных структур Si-SiO_2 / А. П. Барабан, В. А. Дмитриев, А. А. Гаджала // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 5. - С. 56-61 : рис. - Библиогр.: c. 61 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
деградация -- катодолюминесценция -- структуры кремний-оксид кремния -- физико-химические процессы -- электролюминесценция
Аннотация: Рассмотрены возможности методов электролюминесценции (ЭЛ) и катодолюминесценции (КЛ) в спектральном диапазоне 250-800 нм при изучении физико-химических процессов, протекающих в структурах Si-SiO_2 в результате экстремальных внешних воздействий (сильные электрические поля, Y-облучение). Установлено, что деградационные процессы наряду с изменением электрофизических характеристик структур Si-SiO_2 проявлялись в изменениях спектров люминесценции, особенно в красной области. Схожесть изменений спектров КЛ и ЭЛ структур Si-SiO_2 при полевых и радиационных воздействиях указывала на аналогичность протекающих при деградации физико-химических процессов, что подтверждалось качественным совпадением изменений зарядовых характеристик. Практическая неизменность спектрального состава люминесценции указывала на то, что протекающие при деградации процессы не приводят к образованию новых центров люминесценции, а изменяют концентрацию уже существующих биографических дефектов. Это свидетельствует о существовании прямой связи между деградационной стойкостью и технологией формирования окисного слоя на поверхности кремния.

Доп.точки доступа:
Дмитриев, В. А.; Гаджала, А. А.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)