Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Арсентьев, И. Н.$<.>)

Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-23

539.2
Д 660

Домашевская, Э. П.
Масштабированный нано- и микрорельеф областей упорядочения в эпитаксиальиых гетероструктурах Al[x]Ga[1-x]As/GaAs (100 [Текст] / Э. П. Домашевская, П. В. Середин [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 2. - С. 62-65 . - ISSN 0207-3528

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- Al[x]Ga[1-x]As/GaAs (100) -- МОС-гидридная эпитаксия -- нанорельеф -- области упорядочивания
Аннотация: Методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии исследованы гетероструктуры Al[x]Ga[1-x]As/GaAs (100), выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии. На поверхности образца состава х ~ 0. 50 обнаружены области упорядоченного нанорельефа с периодом ~115 нм, в которых проявляется сверхструктурная фаза AlGaAs[2].

Доп.точки доступа:
Середин, П. В.; Битюцкая, Л. А.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

621.3
В 496

Винокуров, Д. А.
Двухполосная генерация в квантово-размерной активной области полупроводникового лазера при высоких уровнях накачки [Текст] / Д. А. Винокуров, С. А. Зорина [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1247-1250 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые лазеры -- лазеры -- асимметричные гетероструктуры -- гетероструктуры -- квантово-размерная активная область -- квантование -- двухполосная генерация
Аннотация: Экспериментально исследованы спектральные и мощностные характеристики полупроводниковых лазеров на основе квантово-размерных асимметричных гетероструктур раздельного ограничения в системе твердых растворов InGaAs/GaAs/AlGaAs, при высоких уровнях накачки в импульсом режиме генерации (200 А, 100 нс и 10 кГц).

Доп.точки доступа:
Зорина, С. А.; Капитонов, В. А.; Лешко, А. Ю.; Лютецкий, А. В.; Налет, Т. А.; Николаев, Д. Н.; Пихтин, Н. А.; Рудова, Н. А.; Слипченко, С. О.; Соколова, З. Н.; Станкевич, А. Л.; Фетисова, Н. В.; Хомылев, М. А.; Шамахов, В. В.; Борщев, К. С.; Арсентьев, И. Н.; Бондарев, А. Д.; Трукан, М. К.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

621.3
В 496

Винокуров, Д. А.
Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (ламбда=1. 0-1. 8 мкм) в импульсном режиме генерации [Текст] / Д. А. Винокуров, В. А. Капитонов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 1003-1009 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
лазеры раздельного ограничения -- полупроводниковые лазеры -- твердые растворы -- импульсный режим генерации -- ватт-амперные характеристики -- спектральные характеристики
Аннотация: Исследованы спектральные и ватт-амперные характеристики лазеров раздельного ограничения на основе твердых растворов InAlGaAs/InP и InGaAsP/InP, излучающие в диапазоне длин волн 1. 5-1. 8 мкм при высоких уровнях возбуждения (до 80 кА/см\{2\}) в импульсном режиме генерации (100 нс, 10 кГц). Показано, что интенсивность максимума спектра генерации с увеличением тока накачки насыщается и дальнейшее увеличение излучаемой оптической мощности достигается за счет расширения спектра генерации в коротковолновую область, аналогично лазерам на подложках GaAs с ламбда=1. 04 мкм. Экспериментально установлено, что расширение спектра генерации в коротковолновую область связано с увеличением порогового тока и с ростом концентрации носителей заряда в активной области. В импульсном режиме за порогом генерации концентрация носителей заряда в активной области возрастает в 6-7 раз и может достигать величины 10\{19\} см\{-3\}. Показано, что в лазерах InAlGaAs/InP и InGaAsP/InP с ростом тока накачки наступает насыщение ватт-амперных характеристик в импульсном режиме генерации. Экспериментально установлена корреляция насыщения ватт-амперной характеристики с ростом порогового тока в активной области при увеличении тока накачки. С ростом тока накачки обнаружены рост концентрации носителей заряда и последовательное заполнение инжектированными электронами активной области и волноводных слоев, а при больших токах накачки наблюдается стимулированное излучение из волновода.

Доп.точки доступа:
Капитонов, В. А.; Лютецкий, А. В.; Пихтин, Н. А.; Слипченко, С. О.; Соколова, З. Н.; Станкевич, А. Л.; Хомылев, М. А.; Шамахов, В. В.; Борщев, К. С.; Арсентьев, И. Н.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

621.315.592
А 852

Арсентьев, И. Н.
Свойства барьерных контактов к InP с наноразмерными слоями TiB[x] [Текст] / И. Н. Арсентьев, А. В. Бобыль [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 793-798 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
многослойные барьерные структуры -- наноразмерные слои -- пористые подложки -- газофазная эпитаксия -- магнетронное распыление -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер
Аннотация: Исследованы структурные и электрические свойства многослойных барьерных структур Au-TiB[х]-nn\{+\}n\{++\}-InP и TiB[x]-nn\{+\}n\{++\}-InP на стандартных ("жестких") и пористых ("мягких") подложках n\{++\}-InP. Полупроводниковые слои были изготовлены методом газофазной эпитаксии, металлические - магнетронным распылением, а пористые подложки - электрохимическим травлением стандартного InP. Образцы на пористых подложках имеют преимущества по следующим параметрам: токи утечек обратной ветви вольт-амперной характеристики меньше в 10 раз; на порядок больше диапазон экспоненциального роста тока на прямой ветви; при изменении площади контакта в 100 раз изменение фактора идеальности и высоты барьера Шоттки соответственно в 3 и ~ 10 раз меньше; более стабильная структура слоев при отжигах до 800 градусов C.

Доп.точки доступа:
Бобыль, А. В.; Тарасов, И. С.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Беляев, А. Е.; Камалов, А. Б.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.; Руссу, Е. В.

Найти похожие

621.315.592
А 852

Арсентьев, И. Н.
Морфология поверхности автоэпитаксиальных слоев на пористых подложках InP и вольтамперные характеристики диодов Шоттки на их основе [Текст] / И. Н. Арсентьев, М. В. Байдакова [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 2. - С. 43-47 . - ISSN 0015-3214

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
автоэпитаксиальные пленки -- полупроводниковые структуры -- тонкопленочные полупроводниковые структуры -- пористые подложки -- стандартные подложки -- безбуферные подложки -- подложки с буфером -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- эпитаксиальные слои
Аннотация: Изучена морфология поверхности автоэпитаксиальных пленок n-InP, выращенных на пористых и стандартных "жестких" подложках n{+}-InP ( 100) с буферным слоем и без него.

Доп.точки доступа:
Байдакова, М. В.; Бобыль, А. В.; Конников, С. Г.; Ситникова, А. А.; Улин, В. П.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Беляев, А. Е.; Камаилов, А. Б.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.

Найти похожие

Пассивация поверхности арсенида галлия халькогенидом галлия [Текст] / Н. Н. Безрядин [и др. ] // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 10. - С. 47-52

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
селенид галлия -- арсенид галлия -- тонкие пленки -- наноструктуры -- гетеровалентное замещение
Аннотация: Изучаются защитные свойства тонких пленок селенида галлия на GaAs, сформированных методом гетеровалентного замещения. Методами просвечивающей (Hitachi H-800) и растровой электронной микроскопии (JEOL JSM-638 OLV) установлено, что обработка в парах селена усиливает ориентирующее действие подложки GaAs на последующее осаждение пленок этого же соединения по сравнению с подложками, покрытыми естественным оксидом.

Доп.точки доступа:
Безрядин, Н. Н.; Котов, Г. И.; Кузубов, С. В.; Арсентьев, И. Н.; Тарасов, И. С.; Стародубцев, А. А.; Сысоев, А. Б.

Найти похожие

Инфракрасные спектры отражения многослойных эпитаксиальных гетероструктур с погруженными слоями InAs и GaAs [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1072-1078 . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
инфракрасные спектры отражения -- многослойные эпитаксиальные гетероструктуры -- погруженные слои -- дисперсионный анализ
Аннотация: Исследовано влияние толщины погруженных InAs- и GaAs-слоев на инфракрасные спектры отражения колебаний решетки в многослойных эпитаксиальных гетероструктурах AlInAs/InAs/AlInAs, InGaAs/GaAs/InGaAs, AlInAs/InGaAs/GaAs/InGaAs/AlInAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках InP (100). Оценены относительные напряжения, возникающие в слоях, окружающах погруженные, при изменении числа монослоев, из которых формируются квантовые точки, а также при изменении толщины самих слоев, окружающих погруженные.

Доп.точки доступа:
Середин, П. В.; Домашевская, Э. П.; Лукин, А. Н.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

Состав и параметры доменов, образующихся в результате спинодального распада четверных твердых растворов в эпитаксиальных гетероструктурах GaInP/Ga[x]In[1-x]As[y]P[1-y]/GaInP/GaAs (001) [Текст] / Э. П. Домашевская [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1086-1093 . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
домены -- эпитаксиальные гетероструктуры -- спинодальный распад -- наногетероструктуры -- закон Вегарта -- Вегарта закон -- уравнение Куфала -- Куфала уравнение
Аннотация: Исследованы структурные и оптические свойства двухслойных и трехслойных эпитаксиальных гетероструктур, содержащих слои четверного твердого раствора Ga[x]In[1-x]AsyP[1-y]. В трехслойных гетероструктурах обнаружено образование доменов в результате спинодального распада четверного твердого раствора. В результате в спектрах фотолюминесценции возникает дополнительная длинноволновая полоса, а на дифрактограммах линии (006) появляется дополнительный дублет CuK[aльфа1, 2]-линии. На основании закона Вегарда и уравнения Куфала определены составы доменов.

Доп.точки доступа:
Домашевская, Э. П.; Гордиенко, Н. Н.; Румянцева, Н. А.; Середин, П. В.; Агапов, Б. Л.; Битюцкая, Л. А.; Арсентьев, И. Н.; Вавилова, Л. С.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

Адсорбционные слои воды на поверхности тонких пленок оксида алюминия [Текст] / Д. С. Сайко [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 12. - С. 86-91. - Библиогр.: c. 91 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a536.42

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
оксид алюминия -- тонкие пленки -- пьезоэлектрическое микровзвешивание -- адсорбционные слои -- пары воды -- кварцевые резонаторы -- кварцевые генераторы -- частоты кварцевых генераторов -- адсорбция
Аннотация: Описано влияние ненасыщенных паров воды на кварцевые резонаторы, на поверхности которых путем магнетронного распыления были сформированы оксидные пленки. Описана методика высокопрочных измерений влияния малых концентраций паров на изменение частот кварцевых генераторов. Предложено новое модельное описание процесса адсорбции на поверхности Al[2]O[3]. Модель позволяет перечислить слои воды, образующиеся на поверхности, и установить число слоев в зависимости от условий эксперимента. Оценки параметров адсорбции согласуются с известными экспериментальными данными и результатами, полученными в работах других авторов.

Доп.точки доступа:
Сайко, Д. С.; Ганжа, В. В.; Титов, С. А.; Арсентьев, И. Н.; Костюченко, А. В.; Солдатенко, С. А.

Найти похожие

10.

Влияние буферного пористого слоя и легирования диспрозием на внутренние напряжения в гетероструктурах GalnP: Dy/por-GaAs/GaAs (100) [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1137-1141 : ил. - Библиогр.: с. 1140 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
слои -- пористые слои -- буферные слои -- кристаллические решетки -- внутренние напряжения -- легирование -- диспрозия -- гетероструктуры -- GalnP/GaAs -- твердые растворы -- эпитаксиальные твердые растворы -- подложки -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ
Аннотация: В структурах с буферным пористым слоем остаточные внутренние напряжения, вызванные рассогласованием параметров кристаллических решеток эпитаксиального твердого раствора GalnP и подложки GaAs, перераспределяются в пористый слой, который играет роль буфера и способствует исчезновению внутренних напряжений. Аналогичные воздействия на внутренние напряжения в структуре пленка-подложка оказывает легирование эпитаксиального слоя диспрозием.

Доп.точки доступа:
Середин, П. В.; Гордиенко, Н. Н.; Глотов, А. В.; Журбина, И. А.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Шишков, М. В.

Найти похожие

11.

Фазообразование под воздействием спинодального распада в эпитаксиальных твердых растворах гетероструктур Ga[x]In[1-x]P/GaAs (100) [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1261-1266 : ил. - Библиогр.: с. 1265 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- Ga[x]In[1-x]P/GaAs (100) -- спинодальный распад -- твердые растворы -- эпитаксиальные твердые растворы -- фазообразование -- рентгеновская дифракция -- электронная микроскопия -- сателлиты -- рентгеновские рефлексы -- рентгеноструктурные исследования
Аннотация: Методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии изучено явление неустойчивости твердых растворов полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур Ga[x]In[1-x]P/GaAs (100) в области составов x ~ 0. 50. Показана возможность появления модулированных релаксационных структур на поверхности твердого раствора Ga[x]In[1-x]P, вследствие чего появляются сателлиты основных рентгеновских рефлексов, соответствующих однофазной структуре.

Доп.точки доступа:
Середин, П. В.; Домашевская, Э. П.; Руднева, Вал. Е.; Руднева, В. Е.; Гордиенко, Н. Н.; Глотов, А. В.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Станкевич, А. Л.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

12.

Структурные и оптические свойства низкотемпературных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100) на основе твердых растворов вычитания [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 12. - С. 1654-1661 : ил. - Библиогр.: с. 1660 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- МОС-гидридные гетероструктуры -- низкотемпературные МОС-гидридные гетероструктуры -- AlGaAs/GaAs (100) -- твердые растворы вычитания -- структурные свойства -- оптические свойства -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- сканирующая электронная микроскопия -- метод сканирующей электронной микроскопии -- ИК-спектроскопия -- метод ИК-спектроскопии -- эпитаксиальные гетероструктуры -- кристаллические решетки -- твердые растворы -- температура -- закон Вегарда -- Вегарда закон
Аннотация: Методами рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии и ИК-спектроскопии на отражение изучены свойства эпитаксиальных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100), выращенных при пониженных температурах. Установлено, что изменение параметра кристаллической решетки твердых растворов AlGaAs от концентрации Al не подчиняется классическому закону Вегарда, а значения параметров меньше, чем у GaAs.

Доп.точки доступа:
Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Станкевич, А. Л.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

13.

Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100) [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 194-199 : ил. - Библиогр.: с. 198-199 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

^a535.37

ББК 22.37 + 22.345
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- AlGaAs/GaAs (100) -- твердые растворы -- эпитаксиальные твердые растворы -- рамановское рассеяние -- фотолюминесценция -- спектроскопия -- фотолюминесцентная спектроскопия -- люминесценция -- кристаллические решетки -- дефекты -- нанокластеры -- акцепторы -- углеродные акцепторы
Аннотация: Методами рамановского рассеяния и фотолюминесцентной спектроскопии изучены субструктура и люминесценция низкотемпературных эпитаксиальных твердых растворов AlGaAs. Показано, что полученные в ходе работы экспериментальные данные коррелируют с результатами структурных и оптических исследований, проведенных в предыдущей работе. Подтверждено предположение о том, что при высоких концентрациях углеродного акцептора атомы последнего концентрируются на дефектах кристаллической решетки твердого раствора AlGaAs с образованием нанокластеров углерода.

Доп.точки доступа:
Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Тарасов, И. С.; Журбина, И. А.

Найти похожие

14.

Релаксация параметров кристаллической решетки и структурное упорядочение в эпитаксиальных твердых растворах In[x]Ga[1-x]As [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1140-1146 : ил. - Библиогр.: с. 1146 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
релаксация (физика) -- кристаллические решетки -- эпитаксиальные пленки -- твердые растворы -- In[x]Ga[1-x]As -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- сканирующая электронная микроскопия -- метод сканирующей электронной микроскопии -- гетероструктуры -- МОС-гидридная эпитаксия -- металлические подрешетки
Аннотация: Методами рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии исследованы эпитаксиальные гетероструктуры In[x]Ga[1-x]As/GaAs (100), выращенные МОС-гидридным методом, со значительно рассогласованными параметрами решетки. Рассчитан коэффициент релаксации кристаллической решетки эпитаксиального твердого раствора, и оценена энергия деформации. Показано, что при концентрациях атомов In в металлической подрешетке, близких к x=0. 5, сверхструктурная фаза, образовавшаяся на поверхности эпитаксиального твердого раствора In[x]Ga[1-x]As, представляет собой соединение InGaAs[2] со слоисто-тетрагональной (layered thetragonal) кристаллической решеткой и упорядоченным расположением атомов металлической подрешетки в плоскости роста эпитаксиальной пленки.

Доп.точки доступа:
Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Станкевич, А. Л.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

15.

539.2
В 586

Влияние кремния на релаксацию кристаллической решетки в гетероструктурах Al[x]Ga[1-x]As : Si/GaAs (100), полученных МОС-гидридным методом [Текст] / П. В. Середин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 488-499 : ил. - Библиогр.: с. 499 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- релаксация -- кристаллические решетки -- гетероструктуры -- рентгеновская дифракция -- инфракрасная спектроскопия -- МОС-гидридный метод -- гомоэпитаксиальные структуры -- легирование кремнием -- твердые растворы -- эпитаксиальные слои -- подложки -- монокристаллические подложки -- инфракрасные спектры -- ИК спектры
Аннотация: Представлены данные рентгеновской дифракции и инфракрасной спектроскопии для полученных МОС-гидридным методом гетероструктур Al[x]Ga[1-x]As : Si/GaAs (100) и гомоэпитаксиальных структур GaAs : Si/GaAs (100), легированных кремнием до ~1 ат%. Показано, что образование твердых растворов с кремнием в гомоэпитаксиальных структурах приводит к уменьшению параметра кристаллической решетки эпитаксиального слоя и отрицательной величине рассогласования с параметром монокристаллической подложки, Delta a<0. В то же время образование четверных твердых растворов в гетероструктурах Al[x]Ga[1-x]As : Si/GaAs (100) не приводит к существенным напряжениям кристаллической решетки. Введением кремния в эпитаксиальные слои этих гетероструктур можно добиться полного согласования параметров кристаллических решеток пленки и подложки при соответствующем подборе технологических условий роста эпитаксиальных слоев.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p488-499.pdf

Доп.точки доступа:
Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Терновая, В. Е.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Станкевич, А. Л.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

16.

621.315.592
С 873

Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов Al[x]Ga[y]In[1-x-y]As[z]P[1-z]/ GaAs(100) [Текст] / П. В. Середин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 739-750 : ил. - Библиогр.: с. 749-750 (16 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

539.2

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
структурные особенности -- твердые растворы -- МОС-гидридные гетероструктуры -- эпитаксиальные гетероструктуры -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- атомно-силовая микроскопия -- метод атомно-силовой микроскопии -- поверхность гетероструктур -- кристаллические решетки -- рентгеноструктурные исследования -- эпитаксиальные пленки -- фотолюминесценция -- ФЛ
Аннотация: Исследовались МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе пятикомпонентных твердых растворов Al[x]Ga[y]In[1-x-y]As[z]P[1-z], выращенные в области составов изопериодических GaAs. Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии показано, что на поверхности гетероструктур присутствуют наноразмерные объекты, имеющие форму островков, которые могут выстраиваться на поверхности твердого раствора в линейном направлении. На основании расчетов параметров кристаллической решетки с учетом внутренних напряжений можно предположить, что новое соединение является фазой на основе твердого раствора Al[x]Ga[y]In[1-x-y]As[z]P[1-z].

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p739-750.pdf

Доп.точки доступа:
Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Леньшин, А. С.; Смирнов, М. С.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Станкевич, А. Л.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

17.

621.315.592
В 586

Влияние финишной подготовки поверхности арсенида галлия на спектр электронных состояний n-GaAs(100) [Текст] / Н. Н. Безрядин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 756-760 : ил. - Библиогр.: с. 760 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

539.2

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- поверхность арсенида галлия -- электронные состояния -- метод нестационарной спектроскопии -- глубокие уровни -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- границы раздела -- металл-полупроводник -- кластеры -- поверхность кластеров -- химическое травление -- отжиг -- поверхностные электронные состояния -- ПЭС -- нестационарная спектроскопия глубоких уровней -- НСГУ -- спектры электронных состояний
Аннотация: Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследовано влияние предварительной подготовки подложек на спектр электронных состояний диодов Шоттки Au/n-GaAs (100). Обнаружены две полосы распределенных по энергии состояний вблизи границы раздела металл-полупроводник. Полоса состояний, проявляющаяся в спектрах при температурах 200-300 K, объясняется присутствием на поверхности кластеров элементарного As, который скапливается в ходе оксидообразования при выдержке образцов на воздухе. Разупорядочением поверхности в процессе селективного травления объясняется появление полосы состояний, проявляющейся в диапазоне 100-250 K. Отжиг в парах селена залечивает дефекты приповерхностной области и удаляет обе полосы состояний из спектров. Отожженные в Se2 образцы содержат только набор уровней, характерных для объема GaAs.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p756-760.pdf

Доп.точки доступа:
Безрядин, Н. Н.; Котов, Г. И.; Арсентьев, И. Н.; Власов, Ю. Н.; Стародубцев, А. А.

Найти похожие

18.

621.315.592
С 721

Спинодальный распад четверных твердых растворов Ga[x]In[1-x]As[y]P[1-y] [Текст] / П. В. Середин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 11. - С. 1489-1497 : ил. - Библиогр.: с. 1496-1497 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
рентгеноструктурный анализ -- растровая электронная микроскопия -- атомно-силовая микроскопия -- фотолюминесцентная спектроскопия -- жидкофазные гетероструктуры -- эпитаксиальные гетероструктуры -- гетероструктуры -- твердые растворы -- методы исследований -- морфология поверхности -- спинодальный распад -- релаксация (физика) -- кристаллические решетки
Аннотация: Методами рентгеноструктурного анализа, растровой электронной и атомно-силовой микроскопии и фотолюминесцентной спектроскопии показана возможность получения на поверхности жидкофазных эпитаксиальных гетероструктур мелкомасштабной доменной структуры, возникающей в результате спинодального распада четверного твердого раствора Ga[x]In[1-x]As[y]P[1-y] по причине несмешиваемости его компонентов и релаксации параметра его кристаллической решетки к окружающим слоям.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/11/p1489-1497.pdf

Доп.точки доступа:
Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Терновая, В. Е.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Вавилова, Л. С.; Тарасов, И. С.

Найти похожие

19.

538.975
И 889

Исследования пористого InP методами рентгеновской дифракции, ИК-спектроскопии, УМРЭС, XANES и ФЛ [Текст] / Э. П. Домашевская [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 4. - С. 470-473. - Библиогр.: c. 473 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

538.975

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
рентгеновская дифракция -- ИК-спектроскопия -- ультрамягкая рентгеновская спектроскопия -- спектроскопия ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения -- дисперсионный анализ -- методы исследования -- фотолюминесценция -- пористый фосфид индия -- XANES -- рентгеноструктурный анализ
Аннотация: Проведены комплексные исследования методами рентгеновской дифракции и ИК-спектроскопии, ультрамягкой рентгеновской спектроскопии (УМРЭС), спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения (XANES - X-ray absorption near edge structure) и фотолюминесценции (ФЛ) слоев пористого фосфида индия (por-InP), полученных анодным импульсным электрохимическим травлением монокристаллических пластин InP (100) n-типа проводимости (n~10{18}).

Доп.точки доступа:
Домашевская, Э. П.; Кашкаров, В. М.; Середин, П. В.; Терехов, В. А.; Турищев, С. Ю.; Арсентьев, И. Н.; Улин, В. П.

Найти похожие

20.

539.21:537
П 194

Пассивация поверхности GaP(111) обработкой в парах селена / Н. Н. Безрядин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 3. - С. 20-26 : ил. - Библиогр.: с. 26 (10 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
структурно-фазовые превращения -- поверхности -- пассивация -- термическая обработка -- вакуум -- электрофизические характеристики -- диоды -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- селен -- пары селена -- вольт-амперные характеристики -- металлы -- правило Шоттки - Мотта -- Шоттки - Мотта правило -- стехиометрические вакансии -- галлий
Аннотация: Представлены результаты исследования структурно-фазовых превращений на поверхности GaP (111) после термической обработки в парах селена в камере квазизамкнутого объема в вакууме. Электрофизические характеристики диодов с барьером Шоттки на GaP (111) исследовали до и после обработки в парах селена путем измерения вольт-амперных характеристик и методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней. Установлено, что после обработки в парах селена появляется зависимость высоты барьера Шоттки от работы выхода металла в соответствии с правилом Шоттки-Мотта для идеального диода. Показано, что снижение плотности поверхностных электронных состояний в GaP (111) обусловлено образованием поверхностной фазы Ga[2]Se[3] (111) (\surd 3x\surd3) -R30° с упорядоченными стехиометрическими вакансиями галлия.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/03/p20-26.pdf

Доп.точки доступа:
Безрядин, Н. Н.; Котов, Г. И.; Арсентьев, И. Н.; Кузубов, С. В.; Власов, Ю. Н.; Панин, Г. А.; Кортунов, А. В.

Найти похожие

1-20 21-23

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)