Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Авров, Д. Д.$<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

621.315.592
А 217

Авров, Д. Д.
Образование доменов при синтаксическом срастании политипов карбида кремния [Текст] / Д. Д. Авров, С. И. Дорожкин, А. О. Лебедев, Ю. М. Таиров // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 12. - С. 1409-1413 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
доменная структура -- монокристаллы -- карбид кремния
Аннотация: Представлен алгоритм поиска доменной структуры, возникающей в растущем монокристалле карбида кремния при появлении синтаксических включений. Проанализированы реально наблюдавшиеся кристаллические сростки.

Доп.точки доступа:
Дорожкин, С. И.; Лебедев, А. О.; Таиров, Ю. М.

Найти похожие

Рост слитков карбида кремния политипа 4H на затравках с плоскостью (10 1 с чертой 0) [Текст] / Д. Д. Авров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 12. - С. 1483-1487

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- выращивание слитков карбида кремния -- монокристаллические слитки -- метод Лели -- Лели метод
Аннотация: Исследованы особенности выращивания слитков карбида кремния политипа 4H модифицированным методом Лели на затравках с ориентацией поверхности (10 1 с чертой 0). Показано, что данная плоскость затравки допускает интенсивное разращивание слитка. При скоростях роста менее 0. 6 мм/ч получены монокристаллические слитки размером до 60 мм в диаметре. Исследование структуры дефектов показало, что в выращенных слитках практически отсутствуют микропоры, но содержатся дефекты упаковки и микровключения углерода.

Доп.точки доступа:
Авров, Д. Д.; Булатов, А. В.; Дорожкин, С. И.; Лебедев, А. О.; Таиров, Ю. М.

Найти похожие

Об оптимизации структурного совершенства слитков карбида кремния политипа 4H [Текст] / Д. Д. Авров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1288-1294 : ил. - Библиогр.: с. 1294 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- карбид кремния политипа 4H -- метод Лели -- Лели метод -- слитки -- микропоры -- затравки -- разращивание затравок -- многостадийный процесс выращивания -- RAF-процесс -- дислокации -- базисные дислокации
Аннотация: Улучшение структурного совершенства слитков карбида кремния политипа 4H, выращенных модифицированным методом Лели, достигнуто в многостадийном процессе при последовательной смене ориентации затравок (аналогично представленному ранее в литературе RAF-процессу). Выращенные слитки диаметром 20-40 мм характеризуются практически полным отсутствием периферических малоугловых границ, а также значительным снижением плотности микропор (2-3 порядка величины по сравнению с исходным материалом). Повторное разращивание полученных затравок с ориентацией (0001) С до 50-55 мм в диаметре приводит к незначительному ухудшению структурного совершенства во вновь генерируемых периферических областях слитка. Получены качественные образцы пластин карбида кремния, характеризующихся плотностью микропор 5-40 см{-2} и базисных дислокаций 10{3} - 10{4}см{-2}.

Доп.точки доступа:
Авров, Д. Д.; Дорожкин, С. И.; Лебедев, А. О.; Таиров, Ю. М.; Трегубова, А. С.; Фадеев, А. Ю.

Найти похожие

621.315.592
О-110

О механизмах образования дефектов в слитках карбида кремния политипа 4H [Текст] / Д. Д. Авров [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 289-294 : ил. - Библиогр.: с. 294 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- слитки карбида кремния -- дефектные структуры -- оптическая микроскопия -- метод оптической микроскопии -- рентгеновская дифрактометрия -- метод рентгеновской дифрактометрии -- метод Лели -- Лели метод -- монокристаллы -- 4H-SiC -- ямки травления -- линейные особенности -- линии скольжения -- доменные границы -- базисные дислокации -- деградация -- микропоры -- малоугловые границы -- дефекты слитков
Аннотация: Методами оптической микроскопии и рентгеновской дифрактометрии исследованы особенности дефектной структуры слитков карбида кремния политипа 4H различного диаметра, выращиваемых модифицированным методом Лели на затравках с отклонениями в несколько градусов от точной ориентации (0001) С в направлении <1120> (off-cut (0001) seeds). Наблюдаемые в кристаллах полосы скольжения, вытянутые вдоль [1120], соответствуют вторичной системе скольжения прорастающих дислокаций a/3<1120>{1100} для кристаллов с гексагональной плотнейшей упаковкой. Малоугловые дислокационные границы, направленные вдоль [1100], аккомодируют разориентацию соседних доменов, возникающую вследствие их взаимного разворота вокруг оси [0001]. Разращивание кристаллов приводит к некоторому увеличению плотности дислокаций, главным образом за счет прорастающих краевых дислокаций. Средняя плотность микропор лежит в диапазоне 5-20 см{-2} и практически не изменяется при увеличении размера слитков.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p289-294.pdf

Доп.точки доступа:
Авров, Д. Д.; Булатов, А. В.; Дорожкин, С. И.; Лебедев, А. О.; Таиров, Ю. М.; Фадеев, А. Ю.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)