Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>U=538.911<.>)

Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8

538.911
Г 438

Гестрин, С. Г.
Переходное излучение движущихся заряженных дислокаций в щелочно-галоидных кристаллах [Текст] / С. Г. Гестрин, А. Н. Сальников, Е. В. Струлева // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N8. - Библиогр.: с.38 (9 назв.) . - ISSN 0021-3411

УДК

538.911

Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
дислокации -- переходное излучение -- щелочно-галоидные кристаллы
Аннотация: Исследовано переходное излучение при прохождении заряженной краевой дислокацией границы раздела между областями щелочно-галоидного кристалла с различными диэлектрическими проницаемостями. В работе получено выражение для полной энергии излучения деформируемого кристалла

Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics

Доп.точки доступа:
Сальников, А.Н.; Струлева, Е.В.

Найти похожие

538.911
Г 43

Гестрин, С. Г.
Локализация экситонов Френкеля на дислокациях [Текст] / С. Г. Гестрин, авт. А. Н. Сальников // Известия вузов. Физика. - 2005. - Т. 48, N 7. - С. 23-25. - Библиогр.: с. 25 (4 назв. ) . - ISSN 0021 - 34

УДК

538.911

ББК 22.36
Рубрики: Физика--Молекулярная физика
Кл.слова (ненормированные):
локализация; дислокации; экситоны Френкеля; Френкеля экситоны; экситоны; интегрирование; физика конденсированного состояния
Аннотация: Показано, что наличие в кристалле дислокаций приводит к локализации на них экситонов Френкеля. Получено и исследовано дисперсионное уравнение для локализованных экситонов. Определена зависимость амплитуды локализованных волн от расстояния до дислокации. Найден частотный интервал, отделяющий локализованные колебания от объемных.

Доп.точки доступа:
Сальников, А. Н.

Найти похожие

538.911
Г 43

Гестрин, С. Г.
Механизмы торможения заряженных дислокаций в ионных кристаллах [Текст] / С. Г. Гестрин, А. Н. Сальников, Т. В. Самородина // Известия вузов. Физика. - 2005. - Т. 48, N 8. - С. 76-81. - Библиогр.: с. 81 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

538.911

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
дислокации; механизмы торможения заряженной дислокации; ионные кристаллы; фонон; поляритон
Аннотация: Показано, что в ионном кристалле значительную роль играет механизм торможения заряженной краевой дислокации, связанный с ее возбуждением электрическим полем продольных вынужденных колебаний ионов. Получено выражение для действующей на дислокацию силы торможения, обусловленной изучением продольных оптических фононов. Найдено выражение для интенсивности черенковского излучения движущейся дислокации поляритонов. Проведено сравнение эффективности различных механизмов торможения.

Доп.точки доступа:
Сальников, А. Н.; Самородина, Т. В.

Найти похожие

538.911
Г 43

Гестерин, С. Г.
Винтовые колебания, локализованные на заряженных дислокациях в полупроводниковых кристаллах [Текст] / С. Г. Гестерин, А. Н. Сальников, Е. В. Щукина // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 10. - С. 66-69. - Библиогр.: с. 66 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411

УДК

538.911

ББК 22.33
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
винтовые колебания; полупроводниковые кристаллы; заряженные дислокации; частотные интервалы; дисперсионные уравнения
Аннотация: Показано, что в полупроводниковых кристаллах существуют локализованные на заряженных дислокациях винтовые колебания дырочного газа. Получены дисперсионные уравнения для локализованных волн. Найдены частотные интервалы, отделяющие частоты локализованных волн от объемных.

Доп.точки доступа:
Сальников, А. Н.; Щукина, Е. В.

Найти похожие

538.911
Т 327

Температурная зависимость энергии активации электропроводности манганитов в парамагнитной фазе [Текст] / Э. А. Нейфельд [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 11. - С. 1602-1603. - Библиогр.: c. 1603 (3 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

538.911

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
антиферромагнитные манганиты -- манганиты -- парамагнитная фаза -- прыжковая проводимость -- температурная зависимость -- ферромагнитные манганиты -- флуктуации -- электропроводность -- энергия активации
Аннотация: Обнаружена и исследована температурная зависимость магнитной составляющей энергии активации прыжковой проводимости манганитов эпсилон[m] в парамагнитной фазе.

Доп.точки доступа:
Нейфельд, Э. А.; Архипов, В. Е.; Угрюмова, Н. А.; Королев, А. В.; Муковский, Я. М.

Найти похожие

538.911
С 873

Структура и оптические свойства ZnO-нанокристаллов, полученных методом импульсного лазерного напыления на пленках GaN/Si (111) с использованием Au- и NiO-катализаторов [Текст] / Е. М. Кайдашев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 8. - С. 1195-1197 : Рис. - Библиогр.: c. 1197 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

538.911

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые нанокристаллы -- ZnO-нанокристаллы -- оптические свойства -- высокое давление -- импульсное лазерное напыление -- аргон -- NiO-катализаторы -- Au-катализаторы -- структурные свойства
Аннотация: Исследован рост ZnO-нанокристаллов на пленочном подслое GaN/Si (111) методом импульсного лазерного напыления при высоком давлении аргона с использованием Au- и NiO-катализаторов.

Доп.точки доступа:
Кайдашев, Е. М.; Lorenz, M.; Lenzner, J.; Ramm, A.; Nobis, T.; Grundmann, M.; Zakharov, N.; Козаков, А. Т.; Шевцова, С. И.; Абдулвахидов, К. Г.; Кайдашев, В. Е.

Найти похожие

538.911
В 586

Влияние локализованных зарядовых состояний на низкочастотную составляющую спектра туннельного тока вида 1/f{альфа} [Текст] / В. Н. Манцевич [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 7. - С. 940-942 : Рис. - Библиогр.: c. 942 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

538.911

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
зарядовые состояния -- кристалл InAs (100) -- кулоновское взаимодействие -- поверхности -- сверхвысокий выкуум -- сканирующая туннельная микроскопия -- сканирующая туннельная спектроскопия -- теоретические модели -- экспериментальные результаты
Аннотация: Методами сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (СТМ/СТС) в условиях сверхвысокого вакуума исследована зависимость низкочастотной составляющей спектра туннельного тока вида 1/f{альфа} над чистой поверхностью и над изолированными примесными атомами на сколотой поверхности кристалла InAs (100).

Доп.точки доступа:
Манцевич, В. Н.; Маслова, Н. С.; Орешкин, А. И.; Орешкин, С. И.; Музыченко, Д. А.; Савинов, С. В.; Панов, В. И.

Найти похожие

538.911
П 370

Плазмонное усиление одиночных экситонных переходов в InGaN [Текст] / А. А. Торопов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 66-69. - Библиогр.: c. 69 (15 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

538.911

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
ближнепольные оптические микроскопы -- квантовая оптика -- коллоидные растворы -- локализованные экситоны -- микро-фотолюминесценция -- осаждение золотых частиц -- полупроводниковые структуры -- спектры микро-фотолюминесценции -- твердые растворы -- химическое осаждение -- экситоны
Аннотация: Экспериментально наблюдалось увеличение скорости спонтанной рекомбинации экситонов, локализованных в пленках твердого раствора InGaN, в результате взаимодействия с плазмоном, локализованным в золотой частице.

Доп.точки доступа:
Торопов, А. А.; Беляев, К. Г.; Кайбышев, В. Х.; Шубина, Т. В.; Жмерик, В. Н.; Иванов, С. В.; Копьев, П. С.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)