538.911 П 370 Плазмонное усиление одиночных экситонных переходов в InGaN [Текст] / А. А. Торопов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 66-69. - Библиогр.: c. 69 (15 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): ближнепольные оптические микроскопы -- квантовая оптика -- коллоидные растворы -- локализованные экситоны -- микро-фотолюминесценция -- осаждение золотых частиц -- полупроводниковые структуры -- спектры микро-фотолюминесценции -- твердые растворы -- химическое осаждение -- экситоны Аннотация: Экспериментально наблюдалось увеличение скорости спонтанной рекомбинации экситонов, локализованных в пленках твердого раствора InGaN, в результате взаимодействия с плазмоном, локализованным в золотой частице. Доп.точки доступа: Торопов, А. А.; Беляев, К. Г.; Кайбышев, В. Х.; Шубина, Т. В.; Жмерик, В. Н.; Иванов, С. В.; Копьев, П. С. |