Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>U=537.37<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.
537.37
С 242

   
    Сверхширокий спектр электролюминесценции светодиодных гетероструктур на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN / А. В. Бабичев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 4. - С. 518-522 : ил. - Библиогр.: с. 521-522 (23 назв.) . - ISSN 0015-3222
УДК
537.37
621.315.592
ББК 22.345 + 31.233
Рубрики: Физика
   Люминесценция
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
светодиоды -- полупроводниковые твердые растворы -- твердые растворы -- GaPAsN -- электролюминесценция -- подложки -- фосфид галлия -- гетероструктуры -- длина волны -- спектры электролюминесценции -- светодиодные гетероструктуры -- множественные квантовые ямы
Аннотация: Впервые представлены результаты по созданию светодиодов белого свечения на основе полупроводниковых твердых растворов GaPAsN на подложке фосфида галлия. Продемонстрирована электролюминесценция гетероструктур с непрерывным спектром в диапазоне длин волн от 350 до 1050 нм. Вывод света через боковые грани и лицевую часть образца позволил реализовать белое свечение за счет сверхширокого спектра электролюминесценции, перекрывающего весь видимый диапазон и часть ближнего инфракрасного диапазона. При выводе излучения через подложку коротковолновая часть спектра поглощается в слое GaP.
In this paper we present the results of white lightemitting diodes (LEDs) construction based on GaPAsN semiconductor alloys on GaP substrate. The heterostructure electroluminescence with continuous emission spectrum in the range from 350 to 1050 nm is observed. Extracting light through side walls and face side of the sample enabled us to achieve white light emission by means of ultra-wide electroluminescence spectrum covering all visible spectrum and part of the near IR spectral range. While extracting emission through substrate, the short-wavelength part of the visible spectra is absorbed at GaP layer.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/04/p518-522.pdf

Доп.точки доступа:
Бабичев, А. В.; Лазаренко, А. А.; Никитина, Е. В.; Пирогов, Е. В.; Соболев, М. С.; Егоров, А. Ю.; Санкт-Петербургский aкадемический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский aкадемический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский aкадемический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский aкадемический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский aкадемический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук; Санкт-Петербургский aкадемический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наукФизико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)