Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=p-Si-n- (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x]<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


   
    Возможность получения пленок (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] на кремниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии [Текст] / Ш. Н. Усмонов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1131-1136 : ил. - Библиогр.: с. 1135-1136 (27 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
растворы -- твердые растворы -- непрерывные твердые растворы -- эпитаксиальные слои -- антимонид галлия -- GaSb -- пленки -- (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] -- кремниевые подложки -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- рентгенограммы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- спектральные характеристики -- фоточувствительность структур -- p-Si-n- (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] -- инжекционное обеднение
Аннотация: Показана возможность выращивания непрерывного твердого раствора (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] (x = 0-1) на крем­ниевых подложках методом жидкофазной эпитаксии из оловянного раствора-расплава. Исследованы рентгенограммы, спектральные и вольт-амперные характеристики полученных структур p-Si-n- (GaSb) [1-x] (Si[2]) [x] в интервале температур 20-200°С. На вольт-амперных характеристиках обнаружен протяженный участок типа V exp (JaW), соответствующий эффекту инжекционного обеднения.


Доп.точки доступа:
Усмонов, Ш. Н.; Саидов, А. С.; Лейдерман, А. Ю.; Сапаров, Д.; Холиков, К. Т.

Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)