Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Электронный каталог (9)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=PbTe<.>)
Общее количество найденных документов : 32
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-32 
1.
539.2
А 39


    Акимов, Б. А.
    Рекомбинация на примесных центрах с переменной валентностью в эпитаксиальных слоях PbTe (Ga [] / Б. А. Акимов, В. А. Богоявленский [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 160-163. - Библиогр.: с. 163 (5 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
валентность; галлий; легирование; нанофотоника; переменная валентность; пленки; рекомбинация; слои; теллур; фотопроводимость; цинк; эпитаксиальные пленки; эпитаксиальные слои
Аннотация: Приведены исследования кинетики фотопроводимости в эпитаксиальных пленках PbTe (Ga) , синтезированных методом "горячей стенки". Полученные данные обсуждаются в рамках модели, учитывающей возможность существования примесного атома галлия в различных зарядовых состояниях.


Доп.точки доступа:
Богоявленский, В. А.; Васильков, В. А.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р.

Найти похожие

2.
539.2
Ш 264


    Шаров, М. К.
    Микродеформация кристаллической решетки легированных галлием пленок РbТе на Si-подложках [Текст] / М. К. Шаров, авт. Я. А. Угай // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 6. - С. 80-83 . - ISSN 0207-3528
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
пленки (физика) -- кристаллическая решетка -- PbTe -- галлий -- Si-подложки
Аннотация: Методом "горячей стенки" из независимых источников пара теллура и металлических компонентов получены пленки PbTe (Ga) на кремниевых подложках. С помощью рентгеноструктурного анализа установлена взаимосвязь между микродеформацией кристаллической решетки и параметром элементарной ячейки.


Доп.точки доступа:
Угай, Я. А.

Найти похожие

3.
621.3
Д 206


    Дарчук, Л. А.
    Сверхпроводящие состояния нановключений свинца в полупроводниковой матрице PbTe [Текст] / Л. А. Дарчук, С. Д. Дарчук, Ф. Ф. Сизов, А. Г. Голенков // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 144-148 . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
теллурид свинца -- нановключения свинца -- свинец -- полупроводниковая матрица PbTe -- сверхпроводящие состояния
Аннотация: Исследованы фазовые состояния нановключений свинца в стехиометрическом теллуриде свинца в магнитных полях от 0 до 1 кЭ в области температур ниже температуры перехода свинца в сверхпроводящее состояние (T = 1. 7 - 6. 5 K). Показано, что включения свинца ведут себя как сверхпроводники первого рода. Размеры включений свинца, которые находятся в сверхпроводящем состоянии при 1. 7 K, составляют не менее 200 нм. Полученная экспериментально температурная зависимость диамагнитной добавки может быть объяснена в рамках модели, учитывающей существование "промежуточного" сверхпроводящего состояния, обусловленного геометрической формой включений свинца.


Доп.точки доступа:
Дарчук, С. Д.; Сизов, Ф. Ф.; Голенков, А. Г.

Найти похожие

4.


   
    Моделирование химических сдвигов остовных электронных уровней в кристаллическом PbTe с примесью Ge [Текст] / А. С. Зюбин [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2007. - Т. 52, N 2. - С. 283-291 : табл. - Библиогр.: с. 291 (21 назв. ) . - ISSN 0044-457X
УДК
ББК 24.1
Рубрики: Химия
   Неорганическая химия

Кл.слова (ненормированные):
спектроскопия -- кластеры -- теллурид -- германий -- энергия связи -- примесные атомы -- легирование примесями -- ширина запрещенной зоны -- междоузлия -- эффективные заряды
Аннотация: Выполнены расчеты изменений электростатического потенциала на соответствующих центрах с целью моделирования изменений энергий связей остовных электронов в теллуриде свинца с примесью германия в рамках кластерного подхода.


Доп.точки доступа:
Зюбин, А. С.; Дедюлин, С. Н.; Яшина, Л. В.; Штанов, В. И.

Найти похожие

5.


   
    Теоретическое и экспериментальное исследование реакционной способности PbTe при взаимодействии с кислородом: влияние примесных атомов Ge [Текст] / А. С. Зюбин [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2008. - Т. 53, N 1. - С. 91-100 : рис. - Библиогр.: с. 100 (18 назв. ) . - ISSN 0044-457X
УДК
ББК 24.1
Рубрики: Химия
   Общая химия. Теоретическая химия

Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- химические сдвиги -- кластеры -- длины связей -- окисление -- кислород -- хемосорбция -- фотоэмиссия -- германий -- свинец
Аннотация: Проведены исследования и установлено, что атомы примеси германия в теллуриде свинца являются центрами реакции окисления молекулярным кислородом. В рамках кластерного подхода с использованием гибридного функционала плотности выполнены расчеты строения, стабильности и энергий связей остовных электронов атомов в реакционных центрах.


Доп.точки доступа:
Зюбин, А. С.; Зюбина, Т. С.; Покатович, Г. А.; Яшина, Л. В.; Пойгин, М. В.; Штанов, В. И.

Найти похожие

6.


   
    Теоретическое моделирование адсорбции кислорода на поверхности PbTe (001) [Текст] / Т. С. Зюбина [и др. ] // Журнал неорганической химии. - 2008. - Т. 53, N 5. - С. 817-825 : рис. - Библиогр.: с. 825 (16 назв. ) . - ISSN 0044-457X
УДК
ББК 24.58
Рубрики: Химия
   Физическая химия поверхностных явлений

Кл.слова (ненормированные):
адсорбция -- кислород -- окисление -- свинец -- теллурид свинца -- хемосорбция -- химические сдвиги
Аннотация: Для полупроводникового соединения PbTe теоретически исследованы начальные стадии окисления, важные для технологии ИК- и термоэлектрических устройств.


Доп.точки доступа:
Зюбина, Т. С.; Зюбин, А. С.; Яшина, Л. В.; Штанов, В. И.

Найти похожие

7.


   
    Синтез легированных In пленок PbTe с контролируемым содержанием примесных атомов и отклонением от стехиометрии [Текст] / Э. А. Долгополова [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 10. - С. 17-22 . - ISSN 0207-3528
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
пленки теллурида свинца -- индий -- термическое испарение элементов -- подложки кремния -- рентгенографические исследования
Аннотация: Комплексное изучение состава, фазовой природы и микроструктуры пленок PbTeIn, синтезированных при помощи модифицированного метода “горячей стенки”, позволило установить, что в зависимости от общего давления в реакционной камере скорость формирования слоев изменялась. Увеличение температуры подложки от T[sub] = 583 плюс минус 3 К до T[sub] = 623 плюс минус 3 К приводит к уменьшению скорости роста на 20–25%. Было установлено, что повышение температуры подложки не только замедляет скорость формирования слоев, но и приводит к заметному снижению содержания примесных атомов индия в синтезируемых пленках Pb[1 – y]In[y]Te[1 плюс минус дельта].


Доп.точки доступа:
Долгополова, Э. А.; Самойлов, А. М.; Сыноров, Ю. В.; Ховив, А. М.

Найти похожие

8.


    Шаров, М. К.
    Кристаллическая структура твердых растворов серебра в PbTe [Текст] / М. К. Шаров // Журнал неорганической химии. - 2009. - Т. 54, N 1. - С. 35-37 : граф. - Библиогр.: с. 37 (12 назв. ) . - ISSN 0044-457X
УДК
ББК 24.44 + 24.51
Рубрики: Химия
   Анализ неорганических веществ

   Химическая связь и строение молекул

Кл.слова (ненормированные):
кристаллические решетки -- растворимость -- твердые растворы -- монокристаллы -- параметры решетки -- ионные радиусы -- длины связей
Аннотация: Изучено влияние примесей серебра на кристаллическую решетку PbTe и выявлен механизм образования твердых растворов.


Найти похожие

9.


   
    Неоднородность электрических свойств монокристаллов PbTe в направлении роста [Текст] / Н. Б. Мустафаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 2. - С. 149-151
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- PbTe -- электрические свойства -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод
Аннотация: Установлено, что вдоль монокристаллического слитка PbTe, выращенного методом Бриджмена, существует неоднородность электрических параметров, обусловленная неравномерным распределением "избыточного" теллура. В запрещенной зоне монокристаллов PbTe, кроме мелких акцепторных и донорных уровней, имеются глубокие акцепторные уровни с энергией активации ~0. 1 эВ, не связанные с избыточным теллуром и проявляющиеся в образцах с малой концентрацией мелких уровней при относительно высоких температурах.


Доп.точки доступа:
Мустафаев, Н. Б.; Багиева, Г. З.; Ахмедова, Г. А.; Агаев, З. Ф.; Абдинов, Д. Ш.

Найти похожие

10.


    Панахов, М. М.
    Влияние сегнетоэлектрической подложки на проводимость полупроводниковой пленки [Текст] / М. М. Панахов, А. А. Агасиев, С. Н. Сармасов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 2. - С. 201-203
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые пленки -- PbTe -- SnO[2-x] -- сегнетоэлектрические подложки
Аннотация: Исследовано влияние потенциального барьера сегнетоэлектрической подложки на проводимость пленок PbTe и SnO[2-x]. Мы изготовили управляемые тонкопленочные резисторы с кратностью 10\{4\} и высокой стабильностью, усовершенствовав подготовку поверхности подложки и технологию осаждения пленки.


Доп.точки доступа:
Агасиев, А. А.; Сармасов, С. Н.

Найти похожие

11.


   
    Влияние окисления на проводимость нанокристаллических пленок PbTe (In) в переменном электрическом поле [Текст] / А. А. Добровольский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 2. - С. 265-268
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллические пленки -- PbTe (In) -- электрическое поле -- проводимость -- окисление
Аннотация: Исследованы температурные и частотные зависимости компонент полного импеданса нанокристаллических пленок PbTe (In) в температурном диапазоне 4. 2-300 K в области частот 20 Гц-1 МГц. Пленки осаждались на охлажденную стеклянную подложку и отжигались в кислороде при температурах 300 и 350 градусах C. Транспорт носителей заряда в исследованных пленках определяется переносом заряда по инверсионным каналам на поверхности зерен и переходами через барьеры на межзеренных границах. Определены параметры (сопротивления и емкости), соответствующие каждому из указанных механизмов. В пленке, отожженной при 350 градусах C, доминирующий вклад в проводимость определяется инверсионными каналами. Показано, что в области низких температур перенос носителей по инверсионным каналам осуществляется посредством прыжковой проводимости.


Доп.точки доступа:
Добровольский, А. А.; Комиссарова, Т. А.; Дашевский, З. М.; Касиян, В. А.; Акимов, Б. А.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р.

Найти похожие

12.


   
    Электронный спектр и рассеяние носителей тока в PbTe (Na+Te) [Текст] / Л. В. Прокофьева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1195-1198 : ил. - Библиогр.: с. 1198 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
межзонное рассеяние -- МР -- резонансное рассеяние -- спектры -- электронные спектры -- теллурид свинца -- PbTe -- дырки квазилокальных состояний -- квазилокальные состояния -- электропроводность -- термоэдс -- число Лоренца -- Лоренца число -- валентные зоны -- акцепторные примеси -- Na+Te -- температура -- эксперименталные данные -- рассеяние носителей тока
Аннотация: В рамках двузонной модели с учетом межзонного рассеяния проведены расчеты концентрационных зависимостей кинетических коэффициентов в PbTe{Na + Te) в диапазоне 100-300 К. Результаты сопостав­ления расчетных и экспериментальных данных для температур ~ 100 К имеют противоречивый характер. Преодолеть эти трудности позволяет предположение о существовании в энергетическом спектре дырок квазилокальных состояний, связанных с введением Na + Те. Резонансное рассеяние носителей тока в эти состояния вносит как количественные (электропроводность), так и качественные (термоэдс, число Лоренца) изменения в температурное и концентрационное поведение транспортных свойств. На основании анализа результатов делается вывод, что роль резонансного рассеяния при низких температурах является основной. Предложен механизм образования квазилокальных состояний в валентной зоне материалов данной группы.


Доп.точки доступа:
Прокофьева, Л. В.; Пшенай-Северин, Д. А.; Константинов, П. П.; Шабалдин, А. А.

Найти похожие

13.


   
    О природе глубоких акцепторных уровней в запрещенной зоне неотожженных образцов монокристаллов PbTe [Текст] / Г. А. Ахмедова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1456-1459 : ил. - Библиогр.: с. 1458-1459 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- PbTe -- глубокие акцепторные уровни -- энергия активации -- образцы -- неотожженные образцы -- запрещенные зоны -- дефекты -- макронапряжения -- отжиг
Аннотация: Установлено, что в образцах монокристаллов PbTe, отожженных при 473 и 673 K, отсутствуют акцепторные уровни с энергией активации ~0. 1 эВ, наблюдаемые в неотожженных образцах. Сделано заключение о том, что указанные уровни в неотожженных образцах были связаны с дефектами, вызванными макронапряжениями, и неоднородным распределением атомов сверхстехиометрического теллура вдоль слитка, возникающими в процессе выращивания кристаллов PbTe и залечивающимися при отжиге.


Доп.точки доступа:
Ахмедова, Г. А.; Багиева, Г. З.; Агаев, З. Ф.; Абдинов, Д. Ш.

Найти похожие

14.


   
    Легирование полупроводников A{IV}B{VI} и энергетический спектр дырок с учетом резонансных состояний [Текст] / Л. В. Прокофьева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 742-748 : ил. - Библиогр.: с. 747 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
легирование полупроводников -- полупроводники А{IV}В{VI} -- энергетические спектры дырок -- дырки -- акцепторное легирование -- твердые растворы -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- термоэдс -- электропроводность -- резонансные состояния -- PbTe -- теллурид свинца -- кинетические явления
Аннотация: В широких концентрационном и температурном диапазонах проведены исследования кинетических явлений в твердом растворе Pb[0. 5]Sn[0. 5]Te при двух видах акцепторного легирования: сверхстехиометрическим теллуром и совокупностью равных количеств атомов Na и Te, в последнем случае использовались две добавки с 1. 0 и 1. 5 ат% каждого компонента; достигнутные при этом плотности дырок существенно превосходили максимум значений, соответствующих образцам Pb[0. 5]Sn[0. 5]Te. При обоих видах акцепторов концентрация дырок в твердом растворе оказывается в 2 раза выше, чем в PbTe при том же уровне легирования. Особенности поведения коэффициентов Холла, термоэдс и электропроводности интерпретируются в рамках модели однозонного спектра с широкой полосой резонансных уровней. Обсуждается механизм их образования в PbTe и Pb[0. 5]Sn[0. 5]Te.


Доп.точки доступа:
Прокофьева, Л. В.; Равич, Ю. И.; Пшенай-Северин, Д. А.; Константинов, П. П.; Шабалдин, А. А.

Найти похожие

15.


    Зимин, С. П.
    Особенности травления в плазме спиралевидных структур PbTe на подложках BaF[2] (111) [Текст] / С. П. Зимин, Е. С. Горлачев, С. В. Кутровская // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 9. - С. 1808-1811. - Библиогр.: с. 1811 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
атомно-силовая микроскопия -- пленки -- поверхности пленок -- теллурид свинца -- механизмы спирального роста -- эпитаксильные пленки -- спиралевидные структуры на пленках -- плазменные обработки -- микрорельефы поверхностей пленок
Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности пленок теллурида свинца с образованиями спиралевидной формы на подложках фторида бария ориентации (111) в исходном состоянии и после обработки в аргоновой плазме. Показано, что присутствие крупных спиралевидных ступенчатых структур в области выходов пронизывающих дислокаций приводит к специфическим явлениям при распылении. Определены основные особенности модификации рельефа поверхности и взаимосвязь формирующихся одиночных и сгруппированных микровыступов с исходным рельефом и дислокациями.


Доп.точки доступа:
Горлачев, Е. С.; Кутровская, С. В.

Найти похожие

16.


   
    Кристаллохимический механизм легирования кристаллов PbTe примесями Ga, In, TI [Текст] / Д. М. Френк [и др. ] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2010. - Т. 53, вып: вып. 12. - С. 40-43 : 2 рис. - Библиогр.: с. 43 (11 назв. ) . - ISSN 0579-2991
УДК
ББК 24.5 + 24.52
Рубрики: Химия
   Физическая химия в целом

   Химия твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
теллуриды свинца -- точечные дефекты -- легирование -- кристаллохимия -- легирование теллурида свинца
Аннотация: Проанализировано влияние примесей на физико-химические свойства кристаллов PbTe и предложены кристаллоквазихимические формулы для различных механизмов легирования.


Доп.точки доступа:
Френк, Д. М.; Туровская, Л. В.; Борык, В. В.; Межиловская, Л. И.

Найти похожие

17.


   
    Особенности примесных состояний ванадия в теллуриде свинца [Текст] / А. Б. Артамкин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1591-1595 : ил. - Библиогр.: с. 1594-1595 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 22.338
Рубрики: Физика
   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях

Кл.слова (ненормированные):
примесные состояния -- ванадий -- теллурид свинца -- PbTe -- температурные зависимости -- носители заряда -- магнитная восприимчивость -- зависимость сопротивления -- магнитные измерения -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- электронный транспорт -- частотные зависимости -- межпримесные корреляции
Аннотация: Исследованы температурные зависимости сопротивления, магнитной восприимчивости, концентрации носителей заряда и подвижности в монокристаллических образцах PbTe (V) с варьируемым содержанием примеси. Показано, что ванадий формирует донорный уровень, расположенный на ~20 мэВ ниже дна зоны проводимости. Подвижность электронов достигает 10{5} см2В{-1}с{-1} в образцах с N[V] <= 0. 21 ат% и оказывается более чем на порядок выше в образцах с максимальным содержанием ванадия N[V]=0. 26 ат%. В этих же образцах реальная часть проводимости характеризуется выраженной частотной зависимостью. Увеличение концентрации ванадия сопровождается уменьшением эффективного магнитного момента атомов примеси. Особенности электронного транспорта в PbTe (V) могут быть обусловлены переменной валентностью ванадия и эффектами межпримесной корреляции.


Доп.точки доступа:
Артамкин, А. Б.; Добровольский, А. А.; Винокуров, А. А.; Зломанов, В. П.; Гаврилкин, С. Ю.; Иваненко, О. М.; Мицен, К. В.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р.

Найти похожие

18.
546
П 535


   
    Получение материалов на основе PbTe методом термического разложения ацетата свинца [Текст] / В. Г. Леонтьев [и др.] // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 6. - С. 654-660 : 7 рис. - Библиогр.: с. 660 (9 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
УДК
ББК 24.12
Рубрики: Химия
   Химические элементы и их соединения

Кл.слова (ненормированные):
метод термического разложения -- ацетат свинца -- метод дифференциального термического анализа -- метод термогравиметрического анализа -- высокодисперсные частицы -- теллурид свинца -- полидисперсные частицы
Аннотация: Изучена возможность создания микроструктурированного теллурида свинца с высокой плотностью границ зерен методом термического разложения ацетата свинца в присутствии теллура в восстановительной атмосфере с последующим холодным компактированием порошка и горячим прессованием брикетов. С помощью методов дифференциального термического и термогравиметрического анализов исследован процесс формирования высокодисперсных частиц теллурида свинца. Методами электронной микроскопии, рентгеновского микроанализа, анализа удельной поверхности частиц исследованы морфология и размеры частиц порошка, а также структура и состав зерен горячепрессованных образцов в зависимости от условий получения и состава исходной смеси.


Доп.точки доступа:
Леонтьев, В. Г.; Иванова, Л. Д.; Бенте, К.; Гременок, В. Ф.

Найти похожие

19.
539.2
А 954


    Ахмедова, Г. А.
    Влияние отжига на электрические свойства монокристаллов PbTe, легированных таллием [Текст] / Г. А. Ахмедова, Г. Дж. Абдинова, Д. Ш. Абдинов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 149-151 : ил. - Библиогр.: с. 151 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
монокристаллы -- PbTe -- электрические свойства -- легирование таллием -- таллий -- отжиг -- температура отжига -- теллур
Аннотация: Выяснено, что значения электрических параметров образцов монокристаллов PbTe и характер зависимости этих параметров от температуры и концентрации примеси Tl, а также тип проводимости кристаллов (знаки alpha и R) существенно определяются температурой предварительного их отжига. Это объясняется тем, что с ростом температуры отжига растет концентрация двукратно заряженных вакансий в подрешетке теллура, приводящей к увеличению вероятности образования электронейтральных или однократно заряженных комплексов типа примесный атом-вакансия.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p149-151.pdf

Доп.точки доступа:
Абдинова, Г. Дж.; Абдинов, Д. Ш.

Найти похожие

20.
621.315.592
С 668


   
    Состояния атомов сурьмы и олова в халькогенидах свинца [Текст] / Г. А. Бордовский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 437-440 : ил. - Библиогр.: с. 440 (4 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
эмиссионная мессбауэровская спектроскопия -- метод эмиссионной мессбауэровской спектроскопии -- атомы сурьмы -- олово -- халькогениды свинца -- атомы олова -- сурьма -- подрешетки -- катионные подрешетки -- анионные подрешетки -- радиоактивный распад -- электронный обмен -- донорные центры (физика) -- ионизированные центры -- мессбауэровские спектры -- PbSe -- PbS -- PbTe
Аннотация: Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе {119}Sb ({119m}Sn) показано, что примесные атомы сурьмы в решетках PbS, PbSe и PbTe распределяются между катионными и анионными подрешетками. В электронных образцах основная часть сурьмы локализована в анионной подрешетке, а в дырочных образцах основная часть сурьмы локализована в катионной подрешетке. Атомы олова, образующиеся после радиоактивного распада {119}Sb, в анионной подрешетке PbS и PbSe (антиструктурное состояние) электрически неактивны, тогда как в катионной подрешетке атомы олова образуют донорные U-центры. Наблюдался процесc электронного обмена между нейтральными и двукратно ионизованными U-центрами олова с использованием состояний разрешенных зон. Атомы олова, образующиеся после радиоактивного распада {119}Sb, в анионной и катионной подрешетках PbTe электрически неактивны.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p437-440.pdf

Доп.точки доступа:
Бордовский, Г. А.; Немов, С. А.; Марченко, А. В.; Зайцева, А. В.; Кожокарь, М. Ю.; Серегин, П. П.

Найти похожие

 1-20    21-32 
 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)