Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=N-S переходы<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


    Горбатюк, А. В.
    Механизмы формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках p-i-n-диодах [Текст] / А. В. Горбатюк, Ф. Б. Серков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1237-1243 : ил. - Библиогр.: с. 1242-1243 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
^a621.315.592
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- неизотермические вольт-амперные характеристики -- N-S переходы -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- ОДС -- положительное дифференциальное сопротивление -- ПДС -- диоды -- p-i-n диоды -- полупроводниковые диоды -- рекомбинация -- оже-рекомбинация -- ОР -- инжекция -- численный анализ -- эмиттерные слои -- легированные слои -- эмиттеры -- анодные эмиттеры
Аннотация: На основе самосогласованной модели транспортных процессов в полупроводниковом р-i-я-диоде при его саморазогреве в условиях ограниченного теплоотвода выполнен численный анализ механизмов необычного эффекта - формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках прибора. Установлено, что причиной такого эффекта является сильное температурное снижение подвижности носителей в высокоомной базе и насыщение уровня инжекции при плотностях тока J > 300-500 А/см{2}. Последнее достигается благодаря оже-рекомбинации или утечкам носителей из плазмы в сильно легированные эмиттерные слои, интегральный ток которых в этих условиях, как правило, превышает интегральный ток рекомбинации в базе. Оже-рекомбинация в анодном эмиттере тоже начинает играть заметную роль в ограничении уровня инжекции в базе, если концентрация примеси в нем становится выше 10{18}см{-3}.


Доп.точки доступа:
Серков, Ф. Б.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)