Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=фотоэлектрические преобразования<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Богданов, Н. Г.
Фотоэлектрический контроль частоты изгибных колебаний [Текст] / Н. Г. Богданов, Ю. Б. Иванов, С. Н. Плотников // Контроль. Диагностика. - 2008. - N 9. - С. 64, 69-73. - Библиогр.: с. 73 (7 назв. ) . - ISSN 0201-7032

УДК

^a534.6

^a620.1/.2

ББК 22.321 + 30.3
Рубрики: Физика
   Экспериментальные методы и аппаратура акустики
   Техника
   Материаловедение
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрический контроль -- частота изгибных колебаний -- изгибные колебания -- механические колебания -- электрические колебания -- фотодиодные датчики -- вибрационные методы контроля -- метод свободных колебаний -- фотоэлектрические преобразования
Аннотация: Рассмотрен фотоэлектрический контроль частоты изгибных колебаний, основанный на преобразовании механических колебаний в электрические фотодиодным датчиком.

Доп.точки доступа:
Иванов, Ю. Б.; Плотников, С. Н.

Найти похожие

Высокоэффективные фотоэлементы на основе твердых растворов In[0. 53]Ga[0. 47]As с изовалентным легированием [Текст] / Л. Б. Карлина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 240-245 : ил. - Библиогр.: с. 244-245 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- InGaAs -- изовалентное легирование -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- спектры пропускания -- безызлучательная рекомбинация -- солнечные излучения -- фотоэлектрические преобразования -- фосфор -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- метод комбинационного рассеяния света -- жидкофазная эпитаксия -- одностадийная диффузия
Аннотация: Влияние изовалентного легирования фосфором на поверхностные и объемные свойства слоев In[0. 53]Ga[0. 47]As (далее InGaAs) оценивалось по изменению спектров фотолюминесценции и спектров пропускания. Установлено, что изовалентное легирование уменьшает скорость безызлучательной рекомбинации в объеме и на поверхности легированных слоев. Использование дополнительного изовалентного легирования позволило улучшить параметры узкозонного солнечного элемента на основе InGaAs, предназначенного для преобразования концентрированного солнечного излучения. Значение максимальной эффективности фотоэлектрического преобразования в спектральном диапазоне 900-1840 нм составило 7. 4-7. 35% при кратности концентрирования солнечного излучения 500-1000 для спектра AM1. 5D Low AOD.

Доп.точки доступа:
Карлина, Л. Б.; Власов, А. С.; Кулагина, М. М.; Ракова, Е. П.; Тимошина, Н. Х.; Андреев, В. М.

Найти похожие

Игнатенко, А. А.
Квантовая динамика взаимодействия элементарного детектора с одномодовыми многофотонными состояниями электромагнитного поля [Текст] / А. А. Игнатенко, С. Я. Килин // Оптика и спектроскопия. - 2010. - Т. 108, N 3. - С. 447-451. - Библиогр.: с. 451 (10 назв. ) . - ISSN 0030-4034

УДК

^a535.2/.3

^a530.145

ББК 22.343 + 22.315
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Квантовая теория поля
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлектрические преобразования -- электромагнитные поля -- фотоны -- когерентные поля -- фотовозбуждение
Аннотация: Рассмотрена динамика элементарного фотоэлектрического преобразования при взаимодействии одномодового электромагнитного поля с произвольным распределением по числу фотонов со связанным электроном в одномерной прямоугольной потенциальной яме.

Доп.точки доступа:
Килин, С. Я.

Найти похожие

621.315.592
В 932

Высокоэффективные фотоэлементы на основе GaSb / В. П. Хвостиков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 2. - С. 273-279 : ил. - Библиогр.: с. 278-279 (21 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
фотоэлементы -- сильноточные фотоэлементы -- диффузия цинка -- цинк -- антимонид галлия -- солнечные батареи -- солнечное излучение -- эмиттеры -- лазерная энергия -- p-n переходы -- фотоэлектрические преобразования -- фототоки -- система с расщеплением солнечного излучения -- СРСИ -- термофотоэлектрические генераторы -- ТФЭ генераторы
Аннотация: С помощью метода диффузии цинка из газовой фазы разработаны и изготовлены сильноточные фотоэлементы на основе антимонида галлия для использования в солнечных батареях и системах с расщеплением солнечного спектра при высоких кратностях концентрирования солнечного излучения, для термофотоэлектрических генераторов с высокой температурой эмиттера, а также для преобразования лазерной энергии. Исследовано влияние толщины диффузионного p{+}-слоя на основные характеристики фотоэлемента. Определены оптимальный профиль легирования и глубина залегания p-n-перехода, обеспечивающие высокую эффективность фотоэлектрического преобразования при плотностях фототока вплоть до 100 A/cм{2}.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/02/p273-279.pdf

Доп.точки доступа:
Хвостиков, В. П.; Сорокина, С. В.; Хвостикова, О. А.; Тимошина, Н. Х.; Потапович, Н. С.; Бер, Б. Я.; Казанцев, Д. Ю.; Андреев, В. М.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)