Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=ультразвуковые нагружения<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


    Олих, О. Я.
    Изменение активности рекомбинационных центров в кремниевых p-n-структурах в условиях акустического нагружения [Текст] / О. Я. Олих // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 774-779 : ил. - Библиогр.: с. 779 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
^a621.315.592
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
p-n структуры -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- кремниевые структуры -- ультразвук -- УЗ -- акустические нагружения -- ультразвуковые нагружения
Аннотация: Используя метод дифференциальных коэффициентов вольт-амперных характеристик, исследованы глубокие уровни в Cz-Si p-n-структурах в условиях ультразвукового нагружения (продольные волны частотой 4-26 МГц и интенсивностью до 0. 6 Вт/см{2}). Выявлены уровни с термической энергией активации 0. 44, 0. 40, 0. 37, 0. 48 и 0. 46 эВ. Предполагается, что эти уровни связаны с E-центром, бистабильным комплексом B[s]O[2i], а также межузельными атомами, захваченными дислокационными петлями, соответственно. Установлено, что ультразвук индуцирует увеличение вклада в рекомбинационные процессы более мелких уровней и уменьшение энергии активации дефектов. Проанализирована возможность акустоиндуцированной обратимой перестройки конфигурации комплекса B[s]O[2i].


Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)