Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=сублимационная эпитаксия<.>)

Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9

621.3
Л 330

Лебедев, А. А.
Исследование толстых эпитаксиальных слоев 3C-SiC, полученных методом сублимации на подложках 6H-SiC [Текст] / А. А. Лебедев, В. В. Зеленин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 273-275 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- эпитаксиальные слои -- сублимационная эпитаксия
Аннотация: Эпитаксиальные слои 3C-SiC толщиной до 100 мкм были получены методом сублимационной эпитаксии на гексагональных подложках 6H-SiC. Площадь выращенных слоев составляла 0. 3 - 0. 5 см\{2\}. Максимальные скорости роста достигали 200 мкм/ч. Были получены эпитаксиальные слои n-типа проводимости с концентрацией нескомпенсинованных доноров N[d] - N[a] ~ (10\{17\} - 10\{18\}) см\{-3\}. Рентгеновские исследования показали, что эпитаксиальный слой состоит из политипа 3C-SiC, без включений других политипов. В спектре фотолюминесценции преобладала донорно-акцепторая рекомбинация (Al - N) с энергией максимума полосы h ню ? 2. 12 эВ. Представлен подробный анализ спектра фотолюминесценции, полученного при 6 K. Сделан вывод, что данные эпитаксиальные слои могут быть использованы как подложки для создания приборов на основе 3C-SiC.

Доп.точки доступа:
Зеленин, В. В.; Абрамов, П. Л.; Богданова, Е. В.; Лебедев, С. П.; Нельсон, Д. К.; Разбирин, Б. С.; Щеглов, М. П.; Трегубова, А. С.; Suvajarvi, M.; Yakimova, R.

Найти похожие

О применении сублимационной эпитаксии для получения объемных кристаллов 3C-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 12. - С. 71-77 : ил. - Библиогр.: с. 76-77 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a536.42

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
кристаллы -- объемные кристаллы -- получение объемных кристаллов -- сублимационная эпитаксия -- 3C-SiC -- структурное совершенство -- эпитаксиальные слои -- политипно-однородные толстые эпитаксиальные слои -- подложки (физика) -- метод Лэли -- Лэли метод
Аннотация: Показана возможность получения политипно-однородных толстых (>100 mum), хорошего структурного совершенства, с диаметром не менее 25 mm эпитаксиальных слоев 3C-SiC на основе подложек 6H-SiC. Подобные слои могут быть использованы в качестве затравок для получения объемных кристаллов 3C-SiC модифицированным методом Лэли.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Зубрилов, А. С.; Богданова, Е. В.; Лебедев, С. П.; Середова, Н. В.; Трегубова, А. С.

Найти похожие

Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися нанокластерами GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4] [Текст] / Д. О. Филатов [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 9. - С. 58-67

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
нанокластеры -- гетероструктуры -- фоточувствительность -- спектры фоточувствительности -- сублимационная эпитаксия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- межзонные оптические переходы -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры
Аннотация: Методами спектроскопии фотоэдс на барьере полупроводник/электролит (ФПЭ), фотоэдс и фототока барьеров Шоттки исследованы спектры фоточувствительности (ФЧ) гетероструктур с нанокластерами GeSi/Si (001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4], в том числе температурная зависимость спектров ФЧ барьеров Шоттки в диапазоне температур 10-300 К. В спектрах ФЧ наблюдались полосы, связанные с фононными и бесфононными пространственно-непрямыми межзонными оптическими переходами в нанокластерах GeSi, в том числе при 300 К. Теоретически рассмотрено влияние дисперсии нанокластеров по размерам и/или составу на форму края спектров ФЧ. Развита теория эмиссии фотовозбужденных носителей из квантовых ям нанокластеров GeSi/Si, встроенных в барьер Шоттки (p-n-переход, барьер полупроводник/электролит).

Доп.точки доступа:
Филатов, Д. О.; Круглова, М. В.; Исаков, М. А.; Горшков, А. П.; Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А.

Найти похожие

Переход металл-изолятор в эпитаксиальных пленках n-3C-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 337-341

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
подложки гексагонального карбида кремния -- сублимационная эпитаксия -- гальваномагнитные исследования -- гетероструктуры -- магнетосопротивление -- эпитаксиальные структуры
Аннотация: На подложках гексагонального карбида кремния методом сублимационной эпитаксии выращены пленки n-3C-SiC. Проведено исследование низкотемпературной проводимости и магнетосопротивления полученных пленок в зависимости от уровня легирования и структурного качества. Обнаружено, что при концентрациях нескомпенсированных доноров N[d]-N[a] ? 3 •10\{17\} см\{-3\} в слое n-3C-SiC происходит переход металл-диэлектрик.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Агринская, Н. В.; Козуб, В. И.; Кузнецов, А. Н.; Лебедев, С. П.; Оганесян, Г. А.; Трегубова, А. С.; Черняев, А. В.; Шамшур, Д. В.; Скворцова, М. О.

Найти похожие

Исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 785-788 : ил. - Библиогр.: с. 787-788 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
карбид кремния -- кубический карбид кремния -- слои -- эпитаксиальные слои -- кубические эпитаксиальные слои -- сублимационная эпитаксия -- рентгеновская топография -- рамановская спектроскопия -- вольт-фарадные измерения -- спектроскопия -- 3C-SiC -- подложки -- 15R-SiC
Аннотация: Проведено исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Методами рентгеновской топографии и рамановской спектроскопии показано достаточно высокое структурное качество полученных эпитаксиальных слоев. По данным рамановской спектроскопии и вольт-фарадным измерениям установлено, что концентрация электронов в слое 3C-SiC составляет (4-6) х10{18} см{-3}.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Богданова, Е. В.; Зубрилов, А. С.; Лебедев, С. П.; Нельсон, Д. К.; Середова, Н. В.; Смирнов, А. Н.; Трегубова, А. С.

Найти похожие

Формирование наноуглеродных пленок на поверхности SiC методом сублимации в вакууме [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 4. - С. 783-786. - Библиогр.: с. 786 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
наноуглеродные пленки -- метод сублимации в вакууме -- сублимационная эпитаксия -- двумерные кристаллы графита -- карбид кремния
Аннотация: Показано возможность формирования наноуглеродных пленок на поверхности SiC с использованием технологии и оборудования для сублимационной эпитаксии карбида кремния. Определен температурный диапазон, в котором формируются наноуглеродные пленки толщиной 4-5 постоянных решетки. Обнаружено наличие в пленках двумерных кристаллов графита.

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Котоусова, И. С.; Лаврентьев, А. А.; Лебедев, С. П.; Макаренко, И. В.; Петров, В. Н.; Титков, А. Н.

Найти похожие

Электролюминесценция на длине волны 1. 5 мкм в диодных структурах Si: Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B [Текст] / В. П. Кузнецов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1645-1648 : ил. - Библиогр.: с. 1648 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
электролюминесценция -- диодные структуры -- Si: Er/Si -- легированные акцепторы -- Al -- Ga -- B -- сублимационная эпитаксия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- диоды -- толстые базы -- длина волны
Аннотация: Слои Si: Er в диодных структурах легировались Al, Ga или B в процессе выращивания методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Результат: в диодах с толстой базой (до 0. 8 мкм) наблюдалось резкое увеличение интенсивности электролюминесценции на длине волны 1. 5 мкм.

Доп.точки доступа:
Кузнецов, В. П.; Шмагин, В. Б.; Марычев, М. О.; Кудрявцев, К. Е.; Кузнецов, М. В.; Андреев, Б. А.; Карнаухов, А. В.; Горшков, О. Н.; Красильник, З. Ф.

Найти похожие

539.2
П 535

Получение затравочных кристаллов улучшенного качества для роста объемного карбида кремния [Текст] / М. Г. Мынбаева [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 847-851 : ил. - Библиогр.: с. 850 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
затравочные кристаллы -- карбид кремния -- SiC -- метод сублимационной эпитаксии -- сублимационная эпитаксия -- низкодефектные слои -- подложки пластин -- монокристаллические слитки -- метод Лэли -- Лэли метод -- эпитаксиальные слои -- дефекты -- сравнительные исследования -- структурные дефекты
Аннотация: Методом сублимационной эпитаксии в вакууме выращены низкодефектные слои карбида кремния при использовании в качестве подложек пластин SiC, вырезанных из монокристаллических слитков, полученных модифицированным методом Лэли. На основании проведенных сравнительных исследований распределения структурных дефектов в подложках и эпитаксиальных слоях сделан вывод о том, что изоморфная пара эпитаксиальный слой/монокристаллическая подложка SiC, представляющая собой композицию материалов, полученных в рамках одного и того же метода - сублимационного синтеза - но в различающихся технологических условиях, является перспективной для получения затравочных кристаллов карбида кремния улучшенного качества.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p847-851.pdf

Доп.точки доступа:
Мынбаева, М. Г.; Абрамов, П. Л.; Лебедев, А. А.; Трегубова, А. С.; Литвин, Д. П.; Васильев, А. Б.; Чемекова, Т. Ю.; Макаров, Ю. Н.

Найти похожие

535.37
И 889

Исследование переходного слоя в гетероструктурах 3C-SiC/6H-SiC / А. А. Лебедев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 11. - С. 1554-1558 : ил. - Библиогр.: с. 1558 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.37

621.315.592

ББК 22.345 + 31.233
Рубрики: Физика
   Люминесценция
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
катодолюминесценция -- гетероструктуры -- 3C-SiC/6H-SiC -- карбид кремния -- SiC -- кремний -- Si -- спинодальный распад -- переходные слои -- TEM -- структурные исследования -- сублимационная эпитаксия
Аннотация: Методами ТЕМ и катодолюминесценции проведено исследование переходной области гетероструктур 3C-SiC/6H-SiC. Обнаружено, что данная область, как правило, состоит из чередования слоев 3C-SiC и 6H-SiC с возможным включением и других политипов карбида кремния. Высказано предположение, что подобная структура переходной области может быть объяснена на основе модели спинодального распада.
TEM methods and cathodoluminescence study of the transition region heterostructures 3C-SiC/6H-SiC. It was found that this area usually consists of alternating layers of 3C-SiC and 6H-SiC possibly including other polytypes of silicon carbide. The idea is put forward that such a structure of the transition layer can be considertd on the basis of the spinodal decomposition model.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/11/p1554-1558.pdf

Доп.точки доступа:
Лебедев, А. А.; Заморянская, М. В.; Давыдов, С. Ю.; Кириленко, Д. А.; Лебедев, С. П.; Сорокин, Л. М.; Шустов, Д. Б.; Щеглов, М. П.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)