Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=селективная эпитаксия<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Дубровский, В. Г.
Полупроводниковые нитевидные нанокристаллы: синтез, свойства, применения [Текст] : обзор / В. Г. Дубровский, Г. Э. Цырлин, В. М. Устинов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 12. - С. 1585-1628 : ил. - Библиогр.: с. 1625-1628 (176 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- полупроводниковые нитевидные нанокристаллы -- выращивание нанокристаллов -- рост нанокристаллов -- структура нанокристаллов -- эффект Гиббса-Томсона -- Гиббса-Томсона эффект -- пар-жидкость-кристалл -- ПЖК -- эпитаксия -- селективная эпитаксия -- физические свойства -- нанофотоника -- наноэлектроника -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- нанобиотехнологии -- обзоры -- синтез нанокристаллов -- свойства нанокристаллов -- применение нанокристаллов -- кристаллическая структура нанокристаллов -- пар-кристалл-кристалл -- ПКК -- нуклеация -- поверхностная диффузия -- релаксация упругих напряжений -- температурная зависимость -- морфологические свойства -- магнитные свойства -- эмиттеры -- полевые эмиттеры -- фотоэлектрические преобразователи -- ФЭП -- наносенсоры
Аннотация: Дан обзор современных результатов исследований полупроводниковых нитевидных нанокристаллов. Изложены физические основы выращивания нитевидных нанокристаллов по механизму "пар-жидкость-кристалл" и представлены основные эпитаксиальные технологии синтеза нитевидных нанокристаллов. Детально рассмотрены термодинамические и кинетические факторы, определяющие морфологические свойства, состав и кристаллическую структуру нитевидных нанокристаллов. Изложены основные теоретические модели роста и структуры нитевидных нанокристаллов. Приведены данные по физическим свойствам нитевидных нанокристаллов и возможностям их применений в нанофотонике, наноэлектронике и нанобиотехнологии.

Доп.точки доступа:
Цырлин, Г. Э.; Устинов, В. М.

Найти похожие

539.2
О-754

Особенности селективной эпитаксии GaN в круглых окнах [Текст] / В. В. Лундин [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 15. - С. 95-102 : ил. - Библиогр.: с. 102 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.2^V3

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кристаллиты -- эпитаксиальные слои -- GaN -- селективная эпитаксия -- особенности эпитаксии -- исследования -- круглые окна (физика) -- аммиак -- грани (физика) -- рост кристаллитов -- подавление роста -- эффекты подавления роста -- селективный рост -- немаскированные поверхности -- формирование граней
Аннотация: Исследованы особенности селективной эпитаксии GaN в круглых окнах. Показано, что с уменьшением потока аммиака увеличивается ширина кристаллитов, а при самых малых исследованных потоках - уменьшается их высота. В результате в дополнение к обычным для таких объектов граням {1101}, начинают формироваться грани (0001) и {1100}. Обнаружены эффекты подавления роста части кристаллитов при начале их срастания и подавления селективного роста вблизи больших немаскированных поверхностей.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/15/p95-102.pdf

Доп.точки доступа:
Лундин, В. В.; Заварин, Е. Е.; Рожавская, М. М.; Трошков, С. И.; Цацульников, А. Ф.

Найти похожие

539.2
В 586

Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN / М. М. Рожавская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 414-419 : ил. - Библиогр.: с. 419 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
газо-носители -- триметилгаллий -- ТМГ -- селективная эпитаксия -- нитриды -- кристаллографические направления -- азот -- реакторы -- азот-водородные смеси -- полоски -- полосковые окна -- огранка -- поперечное сечение -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- атомно-силовая микроскопия -- метод атомно-силовой микроскопии -- АСМ
Аннотация: Проведено исследование влияния состава газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер протекания процесса селективной эпитаксии GaN в полосковых окнах, ориентированных вдоль кристаллографического направления 1100 GaN для различной ширины маскирующего покрытия. Показано, что добавление азота в атмосферу реактора приводит к изменению огранки полосков, ограниченных широкой (40 мкм) маской, с прямоугольной, ограниченной вертикальной боковой гранью {1120}, на трапециевидную с наклонной боковой гранью {1122}. Показано также, что при росте в азот-водородной смеси поток галлия начинает значительно влиять на огранку формирующихся полосков. Продемонстрирована существенная нестационарность процесса, приводящая к заметному изменению типа огранки по мере увеличения поперечного сечения полоска.
We present a study of influence of carrier gas, trimethylgallium flow and growth time on the features of GaN selective area epitaxy in the stripe windows, oriented in (1100) crystallographic axis for the different mask area. It is shown that nitrogen addition into the reactor leads to stripes shape transformation for the wide mask (40 mum) area only from rectangular with vertical {1120} sidewalls to trapezoidal with inclined {1122} sidewalls. Also under N[2]-H[2] ambient thimethylgallium flow can impact on shape of growing stripes. A significant nonstability of the process is demonstrated, which leads to remarkable changing in cutting of stripe with increase in cross-section.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p414-419.pdf

Доп.точки доступа:
Рожавская, М. М.; Лундин, В. В.; Заварин, Е. Е.; Трошков, С. И.; Брунков, П. Н.; Цацульников, А. Ф.

Найти похожие

536.22/.23
Р 620

Рожавская, М. М.
Синтез светодиодной структуры на гранях (11V bar01620) и (0001) мезаполосков, выращенных методом селективной эпитаксии / М. М. Рожавская, В. В. Лундин, А. В. Сахаров // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 1. - С. 37-42 : ил. - Библиогр.: с. 42 (5 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

536.22/.23

ББК 22.365
Рубрики: Физика
Газы и жидкости
Кл.слова (ненормированные):
светодиодные устройства -- светодиодные структуры -- синтез -- мезополоски -- метод селективной эпитаксии -- мезаполосковые структуры -- прямоугольные сечения -- квантовые ямы -- светодиоды -- селективная эпитаксия
Аннотация: Исследовано влияние типа несущего газа на характер формирования слоев p-GaN на гранях (0001), (1120) и (1122) мезаполосковой структуры, сформированной с использованием метода селективной эпитаксии. На гранях (0001) и (1120) мезаполосковой структуры прямоугольного сечения сформирована светодиодная структура с активной областью на основе квантовых ям InGaN/GaN. Созданы прототипы светодиодов на свободных полосках GaN, отделенных от подложки.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/01/p37-42.pdf

Доп.точки доступа:
Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН (Санкт-Петербург)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)