Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=реконструированные поверхности<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Эпитаксиальный рост кремния на кремнии, имплантированном ионами железа, и оптические свойства полученных структур [Текст] / Н. Г. Галкин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 2. - С. 84-90. - Библиогр.: c. 90 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксия -- кремний -- ионная имплантация -- очистка кремния -- импульсная ионная обработка -- реконструированные поверхности -- дисилицид железа -- атомарно-гладкие поверхности -- эпитаксиальные пленки -- гладкие пленки
Аннотация: Успешно апробирована методика сверхвысоковакуумной низкотемпературной (T=850{o}C) очистки в потоке атомов кремния монокристаллических образцов кремния с ориентацией (100) и (111), имплантированных низкоэнергетичными (E=40 keV) ионами железа с различными дозами (Phi=1*10{15}-1. 8*10{17} cm{-2}) и подвергнутых импульсной ионной обработке (ИИО). Для образца Si (100), имплантированного максимальной дозой ионов железа, подтверждено формирование фазы полупроводникового дисилицида железа (beta-FeSi[2]) вблизи поверхности после ИИО. Продемонстрирована возможность получения атомарно-гладких и реконструированных поверхностей кремния. Выращены гладкие эпитаксиальные пленки кремния с шероховатостью порядка 1 nm и толщиной до 1. 7 mum на образцах с дозой имплантации до 10{16} cm{-2}. Изучены оптические свойства образцов до и после роста слоев кремния, свидетельствующие о высоком качестве выращенных слоев и отсутствии дисилицида железа на их поверхности.

Доп.точки доступа:
Галкин, Н. Г.; Горошко, Д. Л.; Чусовитин, Е. А.; Полярный, В. О.; Баязитов, Р. М.; Баталов, Р. И.

Найти похожие

Адсорбция Co на реконструированные поверхности кремния: Si (100) -c (4 x 12) -Al и Si (111) -5. 55 x 5. 55-Cu [Текст] / Д. А. Олянич [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 3. - С. 15-22 : ил. - Библиогр.: с. 21-22 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
поверхностные слои -- реконструированные поверхности -- адсорбция -- нанотехнологии -- нанометровый диапазон -- реконструкции силицидов -- Co/Si -- кремний -- туннельные микроскопы -- силицидные покрытия -- силицид кобальта -- наноструктуры
Аннотация: Использование поверхностных реконструкций для модификации свойств подложек кремния с целью создания на них новых структур нанометрового масштаба является перспективным направлением развития нанотехнологий. Среди стабильных реконструкций выделяются реконструкции Si (100) -c (4 x 12) -Al и Si (111) -5. 55 x 5. 55-Cu, возможность использования которых в качестве шаблонных поверхностей продемонстрирована в недавних исследованиях. В настоящей работе методом сканирующей туннельной микроскопии исследовалась адсорбция Co на этих реконструкциях при различных температурах подложки. Показано, что при комнатной температуре формируется слабоупорядоченный слой металлического Co с сохранившимися реконструкциями на границе раздела Co/Si. Повышение температуры приводит к формированию ограненных островков силицида кобальта на обеих поверхностях.

Доп.точки доступа:
Олянич, Д. А.; Чубенко, Д. Н.; Грузнев, Д. В.; Котляр, В. Г.; Устинов, В. В.; Солин, Н. И.; Зотов, А. В.; Саранин, А. А.

Найти похожие

Реконструкционная зависимость травления и пассивации поверхности GaAs (001) [Текст] / О. Е. Терещенко [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 9. - С. 511-516

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
стабилизированные поверхности -- селективное взаимодействие -- фотоэлектронная эмиссия -- реконструированные поверхности -- реконструкционные переходы -- травление поверхности -- пассивацие поверхности -- атомно-слоевое травление
Аннотация: Изучена микроскопическая природа селективного взаимодействия йода с As- и Ga-стабилизированными поверхностями GaAs (001) методом фотоэлектронной эмиссии и расчетами из первых принципов. Адсорбция йода на Ga-стабилизированную поверхность (4х2) /c (8х2) приводит к образованию преимущественной химической связи с атомами галлия, значительному перераспределению электронной плотности между поверхностными атомами Ga и As и, как следствие, уменьшению их энергии связи. На As-стабилизированной поверхности (4х2) /c (8х2) йод образует связь преимущественно с поверхностным мышьяком.

Доп.точки доступа:
Терещенко, О. Е.; Еремеев, С. В.; Бакулин, А. В.; Кулькова, С. Е.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)