Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=разность потенциалов<.>)

Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7

547.135
Ч 184

Чанкина, Т. И.
Термодинамические свойства индивидуальных ионов в неводных растворах на основе метода вольтовых разностей потенциалов [Текст] / Т. И. Чанкина, С. А. Чуловская, В. И. Парфенюк // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2003. - Т. 46, N 8. - Библиогр.: с. 79 (24 назв. ). - ил.: 3 табл., 1 рис. . - ISSN 0579-2991

УДК

547.135

ББК 24.2
Рубрики: Химия--Органическая химия
Кл.слова (ненормированные):
вольтовые разности потенциалов -- ионы -- метод вольтовых разностей -- пересольватация ионов -- поверхностные потенциалы -- разность потенциалов -- растворители -- термодинамические характеристики
Аннотация: Приведены и проанализированы данные по термодинамическим характеристикам пересольватации ионов хлора, натрия и калия в смесях воды с диметилсульфоксидом, а также значения поверхностных потенциалов для исследуемого растворителя на границе раствор/газовая фаза. Представленные величины рассчитаны на основе метода вольтовых разностей потенциалов при 298. 15 К.

Доп.точки доступа:
Чуловская, С. А.; Парфенюк, В. И.

Найти похожие

621.37/.39
Л 869

Луцкий, В. Н.
Контактная разность потенциалов в некоторых низкоразмерных системах и возможности исследования их энергетического спектра [Текст] / В. Н. Луцкий // Радиотехника и электроника. - 2007. - Т. 52, N 12. - С. 1479-1481. - Библиогр.: с. 1481 (7 назв. ) . - ISSN 0033-8494

УДК

621.37/.39

ББК 32.99
Рубрики: Радиоэлектроника
Другие отрасли радиоэлектроники
Кл.слова (ненормированные):
разность потенциалов -- размерно-квантованная пленка -- сверхрешетка -- магнитное поле -- контактная разность потенциалов
Аннотация: Рассмотрено возникновение скачков контактной разности потенциалов в системах с размерно-квантованной пленкой или сверхрешеткой при изменении магнитного поля. Предложено использовать эти особенности для определения микроскопических параметров низкоразмерных систем: в случае пленки - циклотронной массы и массы в направлении толщины пленки, ширины уровня, концентрации электронов; в случае сверхрешетки - ширины разрешенных и запрещенных минизон, циклотронной эффективной массы и массы в направлении оси сверхрешетки.

Найти похожие

Ладутенко, К. С.
Прямое наблюдение утечек неосновных носителей заряда в действующем лазерном диоде методом сканирующей Кельвин-зонд-микроскопии [Текст] / К. С. Ладутенко, А. В. Анкудинов, В. П. Евтихиев // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 12. - С. 74-80 : ил. - Библиогр.: с. 80 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a535.2/.3

^a621.375

ББК 22.343 + 32.86
Рубрики: Физика
   Физическая оптика
   Радиоэлектроника
   Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
метод сканирующей Кельвин-зонд-микроскопии -- метод СКЗМ -- СКЗМ метод -- сканирующей Кельвин-зонд-микроскопии метод -- процессы утечки -- дырки -- электроны -- активные области -- лазерные диоды -- полупроводниковые диоды -- полупроводниковые лазерные диоды -- лазерные зеркала -- усредненные сигналы вариаций -- разность потенциалов -- импульсное питание -- сигналы -- степени перезарядки -- медленные поверхностные состояния -- носители заряда -- неравновесные носители заряда -- утечка тока
Аннотация: Предлагается подход к изучению процессов утечки дырок и электронов из активной области полупроводниковых лазерных диодов, заключающийся в измерениях с помощью сканирующей Кельвин-зонд-микроскопии на поверхности лазерных зеркал усредненного сигнала вариаций локальной контактной разности потенциалов, возникающих в действующем приборе при импульсном питании. Показано, что уровень измеряемого сигнала определяется степенью перезарядки медленных поверхностных состояний, взаимодействующих с неравновесными носителями заряда, концентрация которых прямо связана с током утечки.

Доп.точки доступа:
Анкудинов, А. В.; Евтихиев, В. П.

Найти похожие

Цыдыпов, Б. Д.
Динамика работы выхода электронов активированного термоэмиссионного катода [Текст] / Б. Д. Цыдыпов // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 14. - С. 88-94 : ил. - Библиогр.: с. 94 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

^a533.9

ББК 22.333
Рубрики: Физика
Электронные и ионные явления. Физика плазмы
Кл.слова (ненормированные):
электроны -- разность потенциалов -- метод контактной разности потенциалов -- катоды -- термоэмиссионные катоды -- термокатоды -- цилиндрические активированные термокатоды -- временные зависимости -- дуговые разряды -- горение дугового разряда -- токовые нагрузки -- катодные пятна -- термоэлектронный метод -- атомы металла -- рециклинг атомов -- ионы металла -- работа выхода электронов
Аннотация: Методом контактной разности потенциалов впервые измерены распределения работы выхода электронов по длине и на горячем торце цилиндрического активированного термокатода, а также их временные зависимости в течение 20 h горения дугового разряда при различных токовых нагрузках. Результаты, полученные для катодного пятна, совпадают с данными термоэлектронного метода. Подтверждено существование явления рециклинга атомов и ионов металла в прикатодной зоне разряда.

Найти похожие

621.315.592
С 721

Спиновая интерференция дырок в кремниевых наносандвичах [Текст] / Н. Т. Баграев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 1. - С. 77-89 : ил. - Библиогр.: с. 88 (58 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
кремниевые наносандвичи -- спиновая интерференция -- дырки (физика) -- сверхузкие кремниевые квантовые ямы -- СККЯ -- барьеры -- квантовые ямы -- легирование бором -- бор -- разность потенциалов -- осцилляция Ааронова - Кашера -- Ааронова - Кашера осцилляция -- спиновая поляризация дырок -- эффект Холла -- Холла эффект -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- дифференциальное сопротивление -- сопротивление -- электромагнитное излучение -- генерация излучения -- эффект Джозефсона -- Джозефсона эффект -- сверхпроводящие каналы -- джозефсоновские переходы -- квантовые точечные контакты -- точечные контакты -- спинозависимые эффекты -- квантовые эффекты -- спиновые эффекты
Аннотация: Спинозависимый транспорт дырок исследуется в кремниевых наносандвичах на поверхности Si (100) n-типа, которые представляют собой сверхузкие кремниевые квантовые ямы p-типа, ограниченные delta-барьерами, сильно легированными бором. На основании данных измерений продольной и холловской разности потенциалов в зависимости от напряжения на вертикальном затворе в отсутствие внешнего магнитного поля идентифицируется наличие в кремниевых наносандвичах краевых каналов проводимости. При этом рост стабилизированного тока исток-сток в интервале 0. 25-5 нА последовательно проявляет значение продольной проводимости 4e{2}/h, обусловленное вкладом многократного андреевского отражения, 0. 7 (2e{2}/h), соответствующее известной особенности в квантовой лестнице проводимости, а также осцилляции Ааронова-Кашера, что свидетельствует о спиновой поляризации дырок в краевых каналах. Кроме того, в условиях низких значений стабилизированного тока исток-сток благодаря наличию спиновой поляризации регистрируется ненулевая холловская разность потенциалов, зависящая от напряжения вертикального затвора, что идентифицирует квантовый спиновый эффект Холла. Измерения продольных вольт-амперных характеристик демонстрируют наличие ступеней Фиске и участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением, обусловленного генерацией электромагнитного излучения вследствие нестационарного эффекта Джозефсона. Предлагается объяснение полученных результатов в рамках модели топологических краевых состояний, представляющих собой систему из сверхпроводящих каналов, содержащих квантовые точечные контакты, способные трансформироваться в одиночные джозефсоновские переходы при увеличении величины стабилизированного тока исток-сток.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/01/p77-89.pdf

Доп.точки доступа:
Баграев, Н. Т.; Даниловский, Э. Ю.; Клячкин, Л. Е.; Маляренко, А. М.; Машков, В. А.

Найти похожие

539.2
П 770

Природа адгезионной связи между эпоксидным клеем и сталью / В. И. Веттегрень [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 3. - С. 133-136. - Библиогр.: c. 136 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
эпоксидный клей -- эпоксидная смола -- сталь -- адгезионная связь -- разность потенциалов -- перенос заряда ионами -- люминесценция -- инфракрасное поглощение -- координационные соединения -- диффузионные слои
Аннотация: Проведены исследования разности потенциалов, возникающих в эпоксидной смоле между двумя пластинками из стали 3. Одна из них была выдержана в эпоксидной смоле до установления равновесия, а вторая - покрыта свежеприготовленной смесью эпоксидной смолы с отвердителем. Обнаружено, что со временем разность потенциалов уменьшается из-за переноса заряда ионами Fe{2+} через эпоксидную смолу. Получены спектры люминесценции и инфракрасного поглощения эпоксидного клея на поверхности стали 3. Их анализ показал, что ионы Fe{2+}, проникшие в свежеприготовленную смесь смолы с отвердителем, вступают во взаимодействие с группировками CN-смеси и образуют координационные соединения. В результате на границе между сталью и клеем образуется диффузный слой, насыщенный координационными соединениями.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/03/p133-136.pdf

Доп.точки доступа:
Веттегрень, В. И.; Мамалимов, Р. И.; Савицкий, А. В.; Щербаков, И. П.; Сытов, В. В.; Сытов, В. А.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Специальное конструкторско-технологическое бюро "Технолог"; Специальное конструкторско-технологическое бюро "Технолог"

Найти похожие

539.2
Д 183

Даниловский, Э. Ю.
Матрица проводимости мультиконтактных полупроводниковых структур с краевыми каналами / Э. Ю. Даниловский, Н. Т. Баграев // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 12. - С. 1676-1685 : ил. - Библиогр.: с. 1684 (47 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
мультиконтактные полупроводниковые структуры -- полупроводниковые структуры -- уравнение Кирхгофа -- Кирхгофа уравнение -- разность потенциалов -- эффект Холла -- Холла эффект
Аннотация: Предложен метод определения матрицы проводимости мультиконтактных полупроводниковых структур с краевыми каналами. В основе метода лежит решение системы линейных алгебраических уравнений на базе уравнений Кирхгофа, составленных из разностей потенциалов U[ij], измеренных при стабилизации токов I[kl], где i, j, k, l - номера контактов. Матрица, полученная в результате решения системы уравнений, полностью описывает исследуемую структуру, отражая ее геометрию и однородность. Данный метод может найти широкое применение при использовании известного формализма Ландауэра - Буттикера для анализа транспорта носителей в режимах квантового эффекта Холла и квантового спинового эффекта Холла. В рамках предлагаемого метода учитывается вклад сопротивления контактных площадок, R[c], в формирование элементов матрицы проводимости. Рассматриваются возможности практического применения полученных результатов при разработке аналоговых криптографических устройств.
This paper presents a method for determining the conductance matrix of multi terminal semiconductor structures with edge channels. In order to identify the conductance matrix we suggest to measure the values of the voltages U[i ]j between all probes at different directions of the highly-stabilized current I[kl], where i, j, k, l - indexes of probes. Then the data obtained have to be used for the solution of the system of the linear algebraic equations based on the Kirchhoff’s circuit laws for each of the eight terminals. Thus, the conductance matrix, G, is followed to be created taking into account of the instrument and statistical accuracy of every element G[i ]j. This method appears to be applied within frameworks of the ordinary Landauer - Buttiker formalism for the carrier transport analysis in the regime of both the quantum Hall effect and the quantum spin Hall effect. The proposed method proves to take into account principally the contribution of the probes resistance in the formation of the matrix conductance elements. Finally, the possibilities of the practical application of this method to develop new versions of analog cryptographic devices are discussed.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/12/p1676-1685.pdf

Доп.точки доступа:
Баграев, Н. Т.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Санкт-Петербургский государственный политехнический университет

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)