Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=прыжковая электропроводность<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.
537.311.33
П 484

    Поклонский, Н. А.
    Экранирование электрического поля и квазистатическая емкость индуцированного заряда в полупроводниках с прыжковой электропроводностью [Текст] / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N10. - Библиогр.: с.75 (22 назв.) . - ISSN 0021-3411
УДК
537.311.33
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
длина экранирования Дебая-Хюккеля -- квазистатическая емкость -- прыжковая электропроводность -- экранирование поля
Аннотация: Получены выражения для длины экранирования внешнего электростатического поля в кристаллическом полупроводнике по Дебаю_хюккелю и Шоттки-Мотту при прыжковой миграции электронов (дырок) по водородоподобным донорам (акцепторам). Показана возможность определения длины экранирования дебая-Хюккеля, исходя из измерений квазистатической емкости для малых и больших степеней компенсации основной легирующей примеси даже в условиях сильного поля, т.е. в приближении Шоттки-Мотта. Частота электрического сигнала при измерении емкости должна быть много меньше средней частоты прыжков электрона по донорам


Доп.точки доступа:
Вырко, С.А.

Найти похожие
2.
621.3
П 48

    Поклонский, Н. А.
    Квазистатическая емкость слабо компенсированного полупроводника с прыжковой электропроводностью (на примере p-Si: В [Текст] / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. Г. Забродский // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 31-37 . - ISSN 0015-3222
УДК
621.3
ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
модель Дебая-Хюккеля -- квазистатическая емкость полупроводника -- электрическая емкость -- прыжковая электропроводность
Аннотация: Рассматривается умеренно легированный полупроводник на изоляторной стороне фазового перехода изолятор-металл, когда акцепторы в зарядовых состояниях (-1) , (0) и (+1) формируют А{0}- и А{+}-зоны. Получены выражения для длин экранирования внешнего электростатического поля по Дебаю-Хюккелю и Шоттки-Мотту при прыжковой миграции дырок по акцепторам. Проведен расчет квазистатической емкости полупроводника для области температур, когда прыжковые электропроводности дырок в A{0}-зоне и A{+}-зоне примерно равны. Показана возможность определения длины экранирования Дебая-Хюккеля исходя из измерений квазистатической емкости даже в условиях сильного поля, т. е. в приближении Шоттки-Мотта. Частота электрического сигаала при измерении квазистатической емкости полупроводника в структуре металл-диэлектрик-полупроводник должна быть много меньше средней частоты прыжков дырок по акцепторам (атомам бора в кремнии) .


Доп.точки доступа:
Вырко, С. А.; Забродский, А. Г.

Найти похожие
3.
621.3
П 484

    Поклонский, Н. А.
    Квазистатическая емкость слабо компенсированного полупроводника с прыжковой электропроводностью (на примере p-Si: В [Текст] / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, А. Г. Забродский // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 31-37 . - ISSN 0015-3222
УДК
621.3
ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
модель Дебая-Хюккеля -- квазистатическая емкость полупроводника -- электрическая емкость -- прыжковая электропроводность
Аннотация: Рассматривается умеренно легированный полупроводник на изоляторной стороне фазового перехода изолятор-металл, когда акцепторы в зарядовых состояниях (-1) , (0) и (+1) формируют А{0}- и А{+}-зоны. Получены выражения для длин экранирования внешнего электростатического поля по Дебаю-Хюккелю и Шоттки-Мотту при прыжковой миграции дырок по акцепторам. Проведен расчет квазистатической емкости полупроводника для области температур, когда прыжковые электропроводности дырок в A{0}-зоне и A{+}-зоне примерно равны. Показана возможность определения длины экранирования Дебая-Хюккеля исходя из измерений квазистатической емкости даже в условиях сильного поля, т. е. в приближении Шоттки-Мотта. Частота электрического сигаала при измерении квазистатической емкости полупроводника в структуре металл-диэлектрик-полупроводник должна быть много меньше средней частоты прыжков дырок по акцепторам (атомам бора в кремнии) .


Доп.точки доступа:
Вырко, С. А.; Забродский, А. Г.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)