Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=примесные состояния<.>)

Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9

Меньшов, В. Н.
Межслоевый обмен через примесные состояния в мультислоях железо/кремний [Текст] / В. Н. Меньшов, В. В. Тугушев // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып: вып. 11. - С. 1996-2001. - Библиогр.: с. 2001 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
межслоевая обменная связь -- примесные состояния -- мультислои железо/кремний -- модельный гамильтониан -- энергия межслоевой обменной связи -- невырожденные полупроводники
Аннотация: Рассмотрена модель обменной связи между слоями ферромагнитного металла через прослойку невырожденного полупроводника с точечными дефектами. Асимптотика обменных интегралов; показано, что знак межслоевого обмена может меняться в зависимости от положения и заполнения примесных состояний в прослойке. Результаты использованы для качественного объяснения экспериментальных данных в мультислоях железо/кремний.

Доп.точки доступа:
Тугушев, В. В.

Найти похожие

Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs n-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний [Текст] / Д. А. Фирсов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1443-1446 : ил. - Библиогр.: с. 1445-1446 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
резонансные состояния -- квантовые ямы -- КЯ -- терагерцовое излучение -- спектры терагерцового излучения -- фотопроводимость -- излучение -- электрические поля -- примесные состояния -- энергетические спектры -- квантование -- оптические переходы -- электроны -- GaAs/AlGaAs
Аннотация: В структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs исследованы спектры эмиссии терагерцового излучения в продольном электрическом поле и спектры латеральной фотопроводимости при облучении терагерцовым излучением. Показано, что в спектрах присутствуют особенности, вызванные переходами электронов с участием резонансных состояний примеси, связанных со второй подзоной размерного квантования. Проведенные расчеты энергетического спектра примесных состояний и матричных элементов оптических переходов с учетом различных положений примеси относительно центра квантовой ямы подтверждают сделанные предположения.

Доп.точки доступа:
Фирсов, Д. А.; Шалыгин, В. А.; Паневин, В. Ю.; Мелентьев, Г. А.; Софронов, А. Н.; Воробьев, Л. Е.; Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Михрин, В. С.; Васильев, А. П.; Жуков, А. Е.; Гавриленко, Л. В.; Гавриленко, В. И.; Антонов, А. В.; Алешин, В. Я.

Найти похожие

Орлова, Е. Е.
Температурная зависимость инверсной заселенности на внутрицентровых переходах мелких примесей в полупроводниках [Текст] / Е. Е. Орлова // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1504-1510 : ил. - Библиогр.: с. 1509-1510 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
температурная зависимость -- инверсия -- лазерные переходы -- примесные состояния -- термическая ионизация -- рекомбинация -- оптические фононы -- излучение фононов -- инверсная населенность -- доноры (физика)
Аннотация: Проведен анализ основных факторов температурной зависимости инверсной заселенности на переходах мелких примесей в полупроводниках в рамках четырехуровневой схемы инверсии: заполнение нижнего состояния лазерного перехода при разогреве с основного состояния, уменьшение населенности долгоживущего примесного состояния из-за термической ионизации и при увеличении скорости прямой рекомбинации на основное состояние с излучением оптических фононов. Определены температуры, при которых указанные факторы становятся существенными. Показано, что термическая ионизация с долгоживущего состояния является основным фактором, определяющим температурное гашение стимулированного излучения на переходах по состояниям мелких доноров в кремнии.

Найти похожие

Особенности примесных состояний ванадия в теллуриде свинца [Текст] / А. Б. Артамкин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1591-1595 : ил. - Библиогр.: с. 1594-1595 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a537.533/.534

ББК 22.338
Рубрики: Физика
Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
примесные состояния -- ванадий -- теллурид свинца -- PbTe -- температурные зависимости -- носители заряда -- магнитная восприимчивость -- зависимость сопротивления -- магнитные измерения -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- электронный транспорт -- частотные зависимости -- межпримесные корреляции
Аннотация: Исследованы температурные зависимости сопротивления, магнитной восприимчивости, концентрации носителей заряда и подвижности в монокристаллических образцах PbTe (V) с варьируемым содержанием примеси. Показано, что ванадий формирует донорный уровень, расположенный на ~20 мэВ ниже дна зоны проводимости. Подвижность электронов достигает 10{5} см2В{-1}с{-1} в образцах с N[V] <= 0. 21 ат% и оказывается более чем на порядок выше в образцах с максимальным содержанием ванадия N[V]=0. 26 ат%. В этих же образцах реальная часть проводимости характеризуется выраженной частотной зависимостью. Увеличение концентрации ванадия сопровождается уменьшением эффективного магнитного момента атомов примеси. Особенности электронного транспорта в PbTe (V) могут быть обусловлены переменной валентностью ванадия и эффектами межпримесной корреляции.

Доп.точки доступа:
Артамкин, А. Б.; Добровольский, А. А.; Винокуров, А. А.; Зломанов, В. П.; Гаврилкин, С. Ю.; Иваненко, О. М.; Мицен, К. В.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р.

Найти похожие

621.315.592
О-130

Об энергетических уровнях серебра в твердых растворах Ge-Si [Текст] / В. И. Тагиров [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 304-307 : ил. - Библиогр.: с. 307 (5 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
энергетические уровни -- примесные состояния -- твердые растворы -- серебро -- кристаллы -- легирование галлием -- галлий -- монокристаллы -- температурная зависимость -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- донорные уровни -- акцепторные уровни -- диффузия -- валентные зоны
Аннотация: Посвящена излучению примесных состояний элемента I B подгруппы серебра в твердом растворе Ge-Si, содержащем 18 ат% Si. Донорный уровень Ag обнаружен в кристаллах, двукратно легированных галлием и серебром, а его первый акцепторный уровень - в кристаллах, легированных только серебром. Монокристаллы получались вытягиванием из расплава с применением подпитывающего слитка. Легирование галлием обеспечивалось введением его в подпитивающий слиток, а Ag вводился в кристаллы методом диффузии. Из анализа температурной зависимости коэффициента Холла и уравнения электрической нейтральности кристалла определены глубины залегания донорного уровня и первого акцепторного уровня Ag от вершины валентной зоны, которые соответственно оказались равными 0. 06 и 0. 29 эВ.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p304-307.pdf

Доп.точки доступа:
Тагиров, В. И.; Агамалиев, З. А.; Садыхова, С. Р.; Гулиев, А. Ф.; Гахраманов, Н. Ф.

Найти похожие

621.315.592
А 500

Алиев, С. А.
Особенности температурной зависимости концентрации электронов проводимости в узкощелевом и бесщелевом состоянии Cd[x]Hg[1-x]Te [Текст] / С. А. Алиев, Э. И. Зульфигаров, Р. И. Селим-заде // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 308-312 : ил. - Библиогр.: с. 311 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
температурные зависимости -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- результаты исследований -- кристаллы -- магнитные поля -- электроны -- дырки (физика) -- закон дисперсии -- примесные состояния -- ионизация электронов -- температура -- акцепторные состояния
Аннотация: Проанализированы результаты исследований удельной проводимости sigma и коэффициента Холла R в кристаллах Cd[x]Hg[1-x]Te с x=0. 1, 0. 12, 0. 14, 0. 15 в интервалах температур T=4. 2-300 K и магнитных полей B=0. 005-2. 22 Тл. По данным R (B) в слабых и сильных магнитных полях и по данным sigma (T) определены концентрации и подвижности электронов и дырок. Показано, что в исследованных образцах в области 4. 2-15 K концентрация электронов n от T почти не зависит, с повышением T она возрастает согласно n пропорционально T{r} (r>3/2), причем r=f (n, T, x). Получено, что r изменяется от 1. 7 для x=0. 1 до 3. 1 в составах с x=0. 14 и 0. 15. Результаты по n (T) сопоставлены с теорией, учитывающей непараболичность закона дисперсии varepsilon (T), и с теорией примесных состояний в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках. Показано, что постоянство n (T) до ~15 K и сильная зависимость n (T) (r>3/2) при более высоких температурах обусловлены интенсивной ионизацией электронов, локализованных на акцепторных состояниях.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p308-312.pdf

Доп.точки доступа:
Зульфигаров, Э. И.; Селим-заде, Р. И.

Найти похожие

621.315.592
П 723

Преобразование структуры SiC/por-SiC/TiO[2] в процессе быстрого термического отжига [Текст] / Р. В. Конакова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 9. - С. 1244-1247 : ил. - Библиогр.: с. 1247 (28 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

535.37

ББК 31.233 + 22.345
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
термический отжиг -- термоотжиг -- быстрый термический отжиг -- БТО -- фотолюминесценция -- ФЛ -- морфология поверхности -- спектры комбинационного рассеяния света -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- спектры фотолюминесценции -- запрещенные зоны -- карбид кремния -- SiC -- пористый карбид кремния -- примесные состояния -- химические реакции -- травление -- термическая обработка -- термообработка -- электрохимическое травление
Аннотация: Проведены исследования морфологии поверхности, спектров комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции структур SiC/por-SiC/TiO[2] до и после быстрой термической обработки. Показано, что быстрая термическая обработка приводит к появлению в спектрах комбинационного рассеяния полос, характерных для соединений углерода. Анализ спектров фотолюминесценции, возбуждаемой излучением с энергией, меньшей ширины запрещенной зоны в 6H-SiC, показал, что появление фотолюминесценции в пористом карбиде кремния связано с примесными состояниями, которые образуются на поверхности за счет продуктов химических реакций при травлении.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/09/p1244-1247.pdf

Доп.точки доступа:
Конакова, Р. В.; Коломыс, А. Ф.; Литвин, О. С.; Охрименко, О. Б.; Стрельчук, В. В.; Светличный, А. В.; Линец, Л. Г.

Найти похожие

621.3
Л 385

Легирование твердого раствора Bi[1. 9]Sb[0. 1]Te[3] примесью Sn [Текст] / М. К. Житинская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1021-1025 : ил. - Библиогр.: с. 1024 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.3^V3

ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
Электротехника в целом
Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- легирование примесью Sn -- удельная электропроводность -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- коэффициент Зеебека -- Зеебека коэффициент -- коэффициент Нернста - Эттингсгаузена -- Нернста - Эттингсгаузена коэффициент -- температурные зависимости -- олово -- Sn -- кинетические коэффициенты -- квазилокальные состояния -- валентные зоны -- дырки (физика) -- запрещенные зоны -- примесные состояния -- акустические фононы
Аннотация: В твердом растворе (Bi[1. 9]Sb[0. 1]) [1-x]Sn[x]Te[3] с различным содержанием Sn измерены удельная электропроводность sigma[11], коэффициенты Холла R[123] и R[321], коэффициенты Зеебека S[11] и S[33], коэффициенты Нернста-Эттингсгаузена Q[123] и Q[321]. Показано, что легирование оловом в значительной степени модифицирует температурные зависимости кинетических коэффициентов. Изучено влияние олова на электрическую однородность образцов: увеличение количества атомов Sn, введенного в состав, повышает однородность кристаллов. Эти особенности свидетельствуют о наличии квазилокальных состояний Sn в валентной зоне Bi[1. 9]Sb[0. 1]Te3. В рамках однозонной модели сделаны оценки эффективной массы плотности состояний дырок md, ширины запрещенной зоны, экстраполированной к 0 K (E[g0]=0. 20-0. 25 eV), энергии примесных состояний (E[Sn]~40-45 meV) и параметра рассеяния (r~ 0. 1-0. 4). Численные значения параметра рассеяния указывают на смешанный механизм рассеяния в исследуемых образцах при доминирующем рассеянии на акустических фононах. При увеличении содержания олова в составе образцов возрастает вклад примесного рассеяния.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1021-1025.pdf

Доп.точки доступа:
Житинская, М. К.; Немов, С. А.; Мухтаров, В. Р.; Свечникова, Т. Е.

Найти похожие

539.2
Ц 972

Цыпленков, В. В.
Релаксация с излучением фононов возбужденных состояний донора висмута в одноосно-деформированном кремнии / В. В. Цыпленков, Р. Х. Жукавин, В. Н. Шастин // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 8. - С. 1044-1049 : ил. - Библиогр.: с. 1049 (13 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
висмут -- Bi -- Si -- кремний -- излучение фононов -- оптическая накачка -- примесные состояния
Аннотация: Рассчитаны низкотемпературные темпы релаксации возбужденных состояний доноров висмута при излучении фононов в одноосно-деформированном в кристаллографическом направлении [100] кристалле кремния. Рассмотрены состояния, принадлежащие как нижним (2Delta), так и верхним (4Delta) долинам зоны проводимости кремния. Показана возможность инверсии населенностей состояний донора висмута в верхних (4Delta) долинах зоны проводимости кремния при оптической накачке.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/08/p1044-1049.pdf

Доп.точки доступа:
Жукавин, Р. Х.; Шастин, В. Н.; Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород)Институт физики микроструктур РАН (Нижний Новгород)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)