Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=примесные комплексы<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

539.2
М 751

Моливер, С. С.
Электронная структура нейтрального примесного комплекса кремний-вакансия в алмазе [Текст] / С. С. Моливер // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N11. - Библиогр.: 13 назв. . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
алмаз -- вакансии -- квазимолекулярные ячейки -- кремний -- оптические центры -- примесные комплексы -- туннельное расщепление -- электронный парамагнитный резонанс
Аннотация: Квантово-химическим методом открытой электронной оболочки с параметризацией INDO рассчитана модель квазимолекулярной расширенной ячейки для примесного комплекса [Si-V]{0} в алмазе. Показано, что основное спин-триплетное состояние комплекса подвержено туннельному (не ян-теллеровскому) расщеплению, связанному с нецентральным сдвигом атома Si вдоль тригональной оси полносимметричной атомной конфигурации D[3d]. Поэтому комплекс, являясь источником электронного парамагнитного резонанса KUL1S=1, может оказаться и известным оптическим 1.68-eV центром с характерным ~ meV расщеплением бесфононной линии. Внутрицентровое оптическое возбуждение происходит с заполненного орбитального дублета, локализованного на Si, на орбитальный дублет, локализованный на трех из шести соседних к Si атомах углерода, и имеет мультиплетную структуру.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2003/11/

Найти похожие

621.315.592
И 889

Исследование энергетических уровней примесных центров Er в Si методом баллистической электронной эмиссионной спектроскопии [Текст] / Д. О. Филатов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1153-1158 : ил. - Библиогр.: с. 1158 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
метод баллистической электронной эмиссионной спектроскопии -- баллистическая электронная эмиссионная спектроскопия -- энергетические спектры -- примесные комплексы -- баллистические электронные спектры -- меза-диоды -- тонкие поверхностные слои -- энергия баллистических электронов -- баллистические электроны -- проводимость -- туннельная инжекция -- сканирующий туннельный микроскоп -- глубокие донорные уровни -- донорные уровни -- термическое возбуждение -- диффузия -- p-n переходы -- туннелирование -- свободные носители -- температурные зависимости -- метод аппроксимации -- аппроксимация
Аннотация: Метод баллистической электронной эмиссионной спектроскопии впервые применен для исследования энергетического спектра Er-содержащих примесных комплексов в Si. В баллистических электронных спектрах меза-диодов на основе p{+}-n{+}-Si-структур с тонким (~30 нм) поверхностным слоем p{+}-Si: Er в области энергий баллистических электронов eV[t], меньших энергии края зоны проводимости E[c] в слое p{+}-Si: Er, наблюдались особенности, связанные с туннельной инжекцией баллистических электронов из зонда сканирующего туннельного микроскопа на глубокие донорные уровни примесных комплексов Er в слое p{+}-Si: Er с последующим термическим возбуждением в зону проводимости и диффузией к p{+}-n{+}-переходу и (или) прямым туннелированием в последний. Для обоснования данного предположения было проведено моделирование транспорта баллистических электронов в системе Pt-зонд-слой естественного окисла SiO[2-p]{+}-Si: Er-n{+}-Si-подложка. Методом аппроксимации экспериментальных баллистических электронных спектров модельными спектрами определена энергия основного состояния Er-содержащего комплекса в Si: E[d]~ E[c]-0. 27 эВ. Указанное значение согласуется с опубликованными ранее в литературе данными, полученными методами измерения температурной зависимости концентрации свободных носителей в слоях Si: Er.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1153-1158.pdf

Доп.точки доступа:
Филатов, Д. О.; Зимовец, И. А.; Исаков, М. А.; Кузнецов, В. П.; Корнаухов, А. В.

Найти похожие

539.2
С 506

Смирнов, Е. А.
Влияние примесных комплексов на кинетику радиационного ускорения зернограничной диффузии в поликристаллических материалах [Текст] / Е. А. Смирнов, А. А. Шмаков, О. С. Якунина // Физика и химия обработки материалов. - 2012. - № 1. - С. 23-29 . - ISSN 0015-3214

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
примесные комплексы -- кинетика радиационного ускорения -- зернограничная диффузия -- поликристаллические материалы -- радиационные дефекты -- радиационностимулированная граничная диффузия
Аннотация: Представлена модель отжига радиационных дефектов в поликристаллическом материале, учитывающая зернограничную диффузию комплексов примесь–дефект и предсказывающая ускорение радиационностимулированной граничной диффузии (РСГД). Проведены качественные оценки величины эффекта примесного ускорения РСГД.

Доп.точки доступа:
Шмаков, А. А.; Якунина, О. С.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)