Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=поликристаллические пластины<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.
539.2
П 472


    Поздняков, В. А.
    Механизмы пластической деформации и аномалии зависимости Холла-Петча металлических нанокристаллических материалов [Текст] / В. А. Поздняков // Физика металлов и металловедение. - 2003. - Т.96,N1. - Библиогр.:с.126-128 (55 назв.) . - ISSN 0015-3230
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
исследования -- математические модели -- металлические сплавы -- микротвердость -- нанокристаллические магнитные материалы -- обзоры -- пластическая деформация -- поликристаллические пластины -- зависимость Холла-Петча
Аннотация: Цель обзора - представить общую картину результатов исследований механизмов пластической деформации и зависимости предела текучести от размера зерна нанокристаллических материалов. Принципиальное значение при этом имеет выяснение связи между процессами пластического течения нанокристаллических и обычных поликристаллических материалов. Дается обзор и анализ предложенных в литературе структурных механизмов, физических и математических моделей начальной стадии пластической деформации и возможных причин аномалий зависимости Холла-Петча для микротвердости предела текучести нанокристаллических материалов.

Перейти: http://www.maik.ru

Найти похожие

2.
539.2
С 602


    Солован, М. Н.
    Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-CdO/p-Si / М. Н. Солован, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 7. - С. 926-931 : ил. - Библиогр.: с. 931 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

   Энергетика

   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
электрические свойства -- гетеропереходы -- напыление -- анизотипные гетеропереходы -- тонкие пленки -- оксид кадмия -- CdO -- пиролиз -- поликристаллические пластины -- вольт-амперные характеристики -- температурные зависимости -- электрический ток -- эмиссия Френкеля - Пула -- Френкеля - Пула эмиссия -- энергетические уравнения
Аннотация: Гетеропереход n-CdO/p-Si изготовлен напылением тонкой пленки оксида кадмия (n-типа проводимости) методом пульверизации с последующим пиролизом на полированную поликристаллическую пластину кремния p-типа проводимости. Измерены вольт-амперные характеристики (ВАХ) гетероструктуры при различных температурах. Установлено, что электрический ток через исследуемую гетероструктуру при прямом смещении 3kT/e меньше чем V меньше чем 0. 5 В формируется с помощью туннельно-рекомбинационных процессов с участием поверхностных состояний на границе раздела CdO/Si и при V больше чем 0. 5 B туннелированием через область пространственного заряда. Основными механизмами токопереноса при обратном смещении являются эмиссия Френкеля-Пула и туннелирование с участием энергетических уровней, образованных поверхностными состояниями.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/07/p926-931.pdf

Доп.точки доступа:
Брус, В. В.; Марьянчук, П. Д.; Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (Украина); Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (Украина)Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (Украина)

Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)