Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=очистка кремния<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.


   
    Эпитаксиальный рост кремния на кремнии, имплантированном ионами железа, и оптические свойства полученных структур [Текст] / Н. Г. Галкин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 2. - С. 84-90. - Библиогр.: c. 90 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
^a537.311.33
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксия -- кремний -- ионная имплантация -- очистка кремния -- импульсная ионная обработка -- реконструированные поверхности -- дисилицид железа -- атомарно-гладкие поверхности -- эпитаксиальные пленки -- гладкие пленки
Аннотация: Успешно апробирована методика сверхвысоковакуумной низкотемпературной (T=850{o}C) очистки в потоке атомов кремния монокристаллических образцов кремния с ориентацией (100) и (111), имплантированных низкоэнергетичными (E=40 keV) ионами железа с различными дозами (Phi=1*10{15}-1. 8*10{17} cm{-2}) и подвергнутых импульсной ионной обработке (ИИО). Для образца Si (100), имплантированного максимальной дозой ионов железа, подтверждено формирование фазы полупроводникового дисилицида железа (beta-FeSi[2]) вблизи поверхности после ИИО. Продемонстрирована возможность получения атомарно-гладких и реконструированных поверхностей кремния. Выращены гладкие эпитаксиальные пленки кремния с шероховатостью порядка 1 nm и толщиной до 1. 7 mum на образцах с дозой имплантации до 10{16} cm{-2}. Изучены оптические свойства образцов до и после роста слоев кремния, свидетельствующие о высоком качестве выращенных слоев и отсутствии дисилицида железа на их поверхности.


Доп.точки доступа:
Галкин, Н. Г.; Горошко, Д. Л.; Чусовитин, Е. А.; Полярный, В. О.; Баязитов, Р. М.; Баталов, Р. И.

Найти похожие
2.


   
    Исследование воздействия растворов серной кислоты после электролиза на поверхность кремния [Текст] / Е. Е. Виссер [и др. ] // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2008. - Т. 51, вып: вып. 12. - С. 52-54 : 1 табл., 2 рис. - Библиогр.: с. 54 (9 назв. ) . - ISSN 0579-2991
УДК
^a544.72
ББК 24.58
Рубрики: Химия
   Физическая химия поверхностных явлений
Кл.слова (ненормированные):
электрохимическая обработка -- растворы серной кислоты -- серные кислоты -- кремневые полупроводники -- кремневые пластины -- очистка кремния -- УФ-спектроскопия
Аннотация: Изучено взаимодействие "активного кислорода" в электрохимически обработанных растворах серной кислоты с примесями, обладающими восстановительными свойствами, на поверхности полупроводникового кремния.


Доп.точки доступа:
Виссер, Е. Е.; Чернов, Е. Б.; Карбаинов, Ю. А.; Барсукова, М. С.

Найти похожие
3.
536.42
О-754

   
    Особенности роста мультикристаллического кремния из металлургического кремния высокой чистоты [Текст] / А. И. Непомнящих [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 15. - С. 103-110 : ил. - Библиогр.: с. 110 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116
УДК
536.42^V3
621.383^V3
ББК 22.375 + 32.854
Рубрики: Физика
   Термодинамика твердых тел
   Радиоэлектроника
   Фотоэлектрические приборы
Кл.слова (ненормированные):
кремний -- мультикремний -- мультикристаллический кремний -- металлургический кремний -- рост кремния -- особенности роста -- высокие частоты -- исследования -- результаты исследований -- распределение примесей -- скорость выращивания -- блоки мультикремния -- метод Стокбаргера -- Стокбаргера метод -- рафинированный металлургический кремний -- скорость роста -- кристаллизация -- концентрационное переохлаждение -- исходное сырье -- очистка кремния -- примеси -- скорость кристаллизации
Аннотация: Приведены результаты исследования распределения примесей в зависимости от скорости выращивания блоков мультикремния методом Стокбаргера из рафинированного металлургического кремния. Обнаружено резкое влияние скорости роста на распределение примесей по высоте блока. При скоростях выше 1 cm/h наблюдается срыв фронта кристаллизации и захват примесей. Полученные результаты объясняются концентрационным переохлаждением, возникающим при увеличении скорости роста выше критической для данного типа исходного сырья. Экспериментальным путем определена оптимальная скорость кристаллизации с одновременной эффективной очисткой металлургического кремния от примесей.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/15/p103-110.pdf

Доп.точки доступа:
Непомнящих, А. И.; Пресняков, Р. В.; Елисеев, И. А.; Сокольникова, Ю. В.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)