Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=отжиг дефектов<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.
621.315.592
П 318

    Пешев, В. В.
    Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs [Текст] / В. В. Пешев // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 10. - Библиогр.: с. 111 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
621.315.592
ББК 31.29
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии
Кл.слова (ненормированные):
дефекты -- радиационные дефекты -- отжиг дефектов -- активация миграции -- изохронный отжиг -- точечные дефекты -- радиационное дефектообразование
Аннотация: Изменение зарядового состояния дефектов может изменить вероятность их взаимодействия, энергию активации миграции, стабильность комплексов, что может проявляться в процессах отжига дефектов.


Найти похожие
2.
53
И 390

    Израилева, Л. К.
    О возможной неустойчивости отжига дефектов [Текст] / Л. К. Израилева, авт. Э. Н. Руманов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 3. - С. 79-80 . - ISSN 0207-3528
УДК
53
ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
облучение кристалла -- точечные дефекты -- отжиг дефектов -- рекомбинация точечных дефектов
Аннотация: Исследуется рекомбинация созданных облучением точечных дефектов при учете механических напряжений сигма. Получено значение критической плотности дефектов N[c], показано, что при N > N[c] процесс начинает ускоряться.


Доп.точки доступа:
Руманов, Э. Н.

Найти похожие
3.


    Израилева, Л. К.
    Влияние деформаций на поведение системы дефектов в кристалле при облучении и отжиге [Текст] / Л. К. Израилева, Э. Н. Руманов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 4. - С. 27-28
УДК
^a539.2
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
отжиг дефектов -- сжимающие напряжения -- имплантированные атомы -- ионная имплантация
Аннотация: Теоретически исследован отжиг дефектов в условиях сжимающих напряжений - ? [0] \<\ 0, созданных имплантированными атомами с плотностью N. Показано, что отжиг ускоряется при N, превышающих критическое значение N[c].


Доп.точки доступа:
Руманов, Э. Н.

Найти похожие
4.
621.315.592
Ф 796

   
    Формирование и отжиг радиационных дефектов в легированных оловом кристаллах германия p-типа [Текст] / В. В. Литвинов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 5. - С. 629-632 : ил. - Библиогр.: с. 631 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
УДК
621.315.592
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
радиационные дефекты -- отжиг дефектов -- дефекты -- легирование оловом -- олово -- кристаллы германия -- облучение электронами -- электронное облучение -- температура нагрева -- акцепторные примеси -- ионизация дырок -- электрические свойства
Аннотация: Исследовалось влияние олова на формирование и отжиг радиационных дефектов в кристаллах германия p-типа, облученных электронами с энергией 6 МэВ при температуре 80 K. Показано, что в облученных кристаллах Ge: Sn, Ga после нагрева до температуры 300 K доминируют акцепторные комплексы SnV с энтальпией ионизации дырок при 0. 16 эВ. Эти комплексы исчезали при отжиге облученных кристаллов в интервале температур 30-75 °C. Отжиг облученных кристаллов в области температур 110-150 °C приводил к формированию глубоких центров с донорным уровнем при E[v]+0. 29 эВ, который предположительно приписывается комплексу олово-межузельный атом галлия.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/05/p629-632.pdf

Доп.точки доступа:
Литвинов, В. В.; Петух, А. Н.; Покотило, Ю. М.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)