Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=нестационарная спектроскопия глубоких уровней<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

53
С 544

Соболев, М. М.
Эффект Штарка в многослойной системе связанных квантовых точек InAs/GaAs [Текст] / М. М. Соболев, А. Е. Жуков [и др.] // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 12. - С. 68-75 . - ISSN 0320-0116

УДК

ББК 22.3
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
нестационарная спектроскопия глубоких уровней -- спектроскопия -- вертикально коррелированные квантовые точки -- полупроводниковые квантовые точки -- квантовые точки -- эмиссия электронов -- эффект Штарка -- Штарка эффект -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- гетероструктуры InAs/GaAs
Аннотация: Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследована эмиссия электронов из состояний в системе вертикально коррелированных квантовых точек (ВККТ) InAs в p-n-гетероструктурах InAs/GaAs, полученных методами молекулярно-пучковой эпитаксии, в зависимости от числа рядов квантовых точек (КТ) и от величины обратного смещения. Установлено, что при толщине прослойки d[GaAS]=40 Angstrem между двумя рядами КТ система находится в фазе молекулы независимо от числа рядов КТ в этой системе. Увеличение числа рядов КТ приводит к уменьшению величины смещения Штарка, что обусловлено, по-видимому, уменьшением деформационного потенциала в окрестностях с ВККТ.

Доп.точки доступа:
Жуков, А. Е.; Васильев, А. П.; Семенова, Е. С.; Михрин, В. С.

Найти похожие

Исследование дефектов в гетероструктурах с квантовыми ямами GaPAsN и GaPN в матрице GaP [Текст] / О. И. Румянцев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 923-927 : ил. - Библиогр.: с. 927 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- КЯ -- GaPAsN -- GaPN -- гетероструктуры -- дефекты -- вольт-емкостные измерения -- металлоорганическая газофазная эпитаксия -- метод металлоорганической газофазной эпитаксии -- нестационарная спектроскопия глубоких уровней -- НСГУ -- подложки -- кристаллические решетки -- твердые растворы
Аннотация: Методами вольт-емкостного профилирования, емкостной и токовой нестационарной спектроскопии глубоких уровней проведены исследования гетероструктур с квантовыми ямами GaP/GaP[1-x]N[x] и GaP/GaP[1-x-y]As[x]N[y], выращенных методом металлорганической газофазной эпитаксии. В гетероструктурах с квантовыми ямами GaP/GaP[1-x]N[x] обнаружены собственные дефекты с глубокими уровнями 0. 17 и 0. 08 эВ. Показано, что значительное уменьшение концентрации этих дефектов происходит при замене тройного твердого раствора GaP[1-x]N[x], формирующего область квантовой ямы, на четверной раствор GaP[1-x-y]As[x]N[y]. Обсуждается природа возникающих дефектов и механизмы уменьшения их концентрации.

Доп.точки доступа:
Румянцев, О. И.; Брунков, П. Н.; Пирогов, Е. В.; Егоров, А. Ю.

Найти похожие

621.315.592
В 586

Влияние финишной подготовки поверхности арсенида галлия на спектр электронных состояний n-GaAs(100) [Текст] / Н. Н. Безрядин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 756-760 : ил. - Библиогр.: с. 760 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

539.2

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- поверхность арсенида галлия -- электронные состояния -- метод нестационарной спектроскопии -- глубокие уровни -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- границы раздела -- металл-полупроводник -- кластеры -- поверхность кластеров -- химическое травление -- отжиг -- поверхностные электронные состояния -- ПЭС -- нестационарная спектроскопия глубоких уровней -- НСГУ -- спектры электронных состояний
Аннотация: Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследовано влияние предварительной подготовки подложек на спектр электронных состояний диодов Шоттки Au/n-GaAs (100). Обнаружены две полосы распределенных по энергии состояний вблизи границы раздела металл-полупроводник. Полоса состояний, проявляющаяся в спектрах при температурах 200-300 K, объясняется присутствием на поверхности кластеров элементарного As, который скапливается в ходе оксидообразования при выдержке образцов на воздухе. Разупорядочением поверхности в процессе селективного травления объясняется появление полосы состояний, проявляющейся в диапазоне 100-250 K. Отжиг в парах селена залечивает дефекты приповерхностной области и удаляет обе полосы состояний из спектров. Отожженные в Se2 образцы содержат только набор уровней, характерных для объема GaAs.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p756-760.pdf

Доп.точки доступа:
Безрядин, Н. Н.; Котов, Г. И.; Арсентьев, И. Н.; Власов, Ю. Н.; Стародубцев, А. А.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)