Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=наноразмерные слои<.>)

Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9

541.1
Б 825

Борисова, Н. В.
Влияние термообработки на оптические свойства наноразмерных слоев МоО[3] [Текст] / Н. В. Борисова, авт. Э. П. Суровой // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2007. - Т. 50, вып. 12. - С. 58-62. - Библиогр.: с. 62 (25 назв. ) . - ISSN 0579-2991

УДК

541.1

ББК 24.5
Рубрики: Химия
Физическая химия. Химическая физика
Кл.слова (ненормированные):
наноразмерные слои -- оптические свойства -- термообработка -- оксиды молибдена -- молибдены
Аннотация: Представлены результаты исследований природы и закономерностей процессов, протекающих в условиях атмосферы в наноразмерных слоях МоО[3] различной толщины в зависимости от температуры и времени теплового воздействия.

Доп.точки доступа:
Суровой, Э. П.

Найти похожие

621.315.592
А 852

Арсентьев, И. Н.
Свойства барьерных контактов к InP с наноразмерными слоями TiB[x] [Текст] / И. Н. Арсентьев, А. В. Бобыль [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 793-798 . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
многослойные барьерные структуры -- наноразмерные слои -- пористые подложки -- газофазная эпитаксия -- магнетронное распыление -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер
Аннотация: Исследованы структурные и электрические свойства многослойных барьерных структур Au-TiB[х]-nn\{+\}n\{++\}-InP и TiB[x]-nn\{+\}n\{++\}-InP на стандартных ("жестких") и пористых ("мягких") подложках n\{++\}-InP. Полупроводниковые слои были изготовлены методом газофазной эпитаксии, металлические - магнетронным распылением, а пористые подложки - электрохимическим травлением стандартного InP. Образцы на пористых подложках имеют преимущества по следующим параметрам: токи утечек обратной ветви вольт-амперной характеристики меньше в 10 раз; на порядок больше диапазон экспоненциального роста тока на прямой ветви; при изменении площади контакта в 100 раз изменение фактора идеальности и высоты барьера Шоттки соответственно в 3 и ~ 10 раз меньше; более стабильная структура слоев при отжигах до 800 градусов C.

Доп.точки доступа:
Бобыль, А. В.; Тарасов, И. С.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Беляев, А. Е.; Камалов, А. Б.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.; Руссу, Е. В.

Найти похожие

Сверхпроводящие свойства и микроструктура композитной ленты с наноразмерными слоями из сплава Nb-30% масс. %Zr [Текст] / М. И. Карпов [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 2. - С. 5-9 . - ISSN 0015-3214

УДК

^a669.21.8

^a537.3

ББК 34.33 + 22.332
Рубрики: Технология металлов
   Металлургия цветных металлов
   Физика
   Электрический ток
Кл.слова (ненормированные):
анизотропия -- критическая плотность тока -- прокатка -- циркониевые сплавы -- ниобиевые сплавы -- многослойные композиты -- сверхпроводники -- сверхпроводящие сплавы -- композитные ленты -- наноразмерные слои -- многослойные композитные ленты
Аннотация: Измерены значения критической плотности тока в многослойных композитных лентах Nb-30 масс. %Zr нанометровой (91, 8 и 11, 8) толщины.

Доп.точки доступа:
Карпов, М. И.; Коржов, В. П.; Внуков, В. И.; Зверев, В. Н.; Желтякова, И. С.

Найти похожие

539.2
Р 397

Рентгеноспектральный микроанализ гетероструктур с наноразмерными слоями [Текст] / Т. Б. Попова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 263-267 : ил. - Библиогр.: с. 267 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- полупроводниковые гетероструктуры -- наноразмерные слои -- рентгеноструктурный микроанализ -- квантовые ямы -- InGaAs -- ZnCdSe
Аннотация: Описана методика рентгеноспектрального микроанализа для диагностики полупроводниковых гетероструктур с наноразмерными слоями. Рассмотрены особенности анализа таких структур по сравнению со слоистыми структурами с большей характерной толщиной слоев и однородными образцами. Возможности метода проиллюстрированы на примере определения состава слоев в светодиодных и лазерных гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs и ZnCdSe. Применение предложенной методики позволило определить состав и глубину залегания наноразмерных слоев квантовых ям в исследованных образцах с точностью не хуже 10%. Приведено сравнение результатов микроанализа с данными других методов, получено хорошее согласие.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p263-267.pdf

Доп.точки доступа:
Попова, Т. Б.; Бакалейников, Л. А.; Флегонтова, Е. Ю.; Шахмин, А. А.; Заморянская, М. В.

Найти похожие

535.2/.3
O-66

Optical constants detection in tin dioxide nano-size layers by surface plasmon resonance investigation [Текст] / B. K. Serdega [et al.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 326-329 : ил. - Библиогр.: с. 329 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

535.2/.3^V3

ББК 22.343
Рубрики: Физика
Физическая оптика
Кл.слова (ненормированные):
оптические константы -- диоксид олова -- наноразмерные слои -- поверхностные плазмоны -- шероховатости поверхности -- резонансный метод исследования -- полимерные материалы -- плазменный резонанс -- плазмоны
Аннотация: Optical constants of tin dioxide nano-size layers were detected using surface plasmons resonance research technique. Squared reflectance indexes difference as well as the ones with s- and p-polarized light are measured simultaneously. Obtained in the work the refraction coefficient of the tin dioxide film gives the possibility to judge about the structural perfection of the layer and confirms that the film has significant porosity, which is created during the decomposition of the polymer materials used as structuring additives. It is shown that the resonance condition for surface plasmons may be destroyed through the interaction of surface plasmons with surface roughness potential of the film (medium dielectric properties variation).

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p326-329.pdf

Доп.точки доступа:
Serdega, B. K.; Matyash, I. E.; Maximenko, L. S.; Rudenko, S. P.; Smyntyna, V. A.; Grinevich, V. S.; Filevskaya, L. N.; Ulug, B.; Ulug, A.; Yucel, B. M.

Найти похожие

621.315.592
L 54

Lenka, T. R.
Role of nanoscale AlN and InN for the microwave characteristics of AlGaN/ (Al, In) N/GaN-based HEMT [Текст] / T. R. Lenka, aut. A. K. Panda // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1258-1265 : ил. - Библиогр.: с. 1265 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
электронные транзисторы -- HEMT -- микроволны -- наноразмерные слои
Аннотация: A new AlGaN/GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) is proposed and its microwave characteristics are discussed by introducing a nanoscale AlN or InN layer to study the potential improvement in their high frequency performance. The 2DEG transport mechanism including various subband calculations for both (Al, In) N-based HEMTs are also discussed in the paper. Apart from direct current characteristics of the proposed HEMT, various microwave parameters such as transconductance, unit current gain (h[21]=1) cut-off frequency (f[t]), high power-gain frequency (f[max]). Masons available/stable gain and masons unilateral gain are also discussed for both devices to understand its suitable deployment in microwave frequency range.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1258-1265.pd

Доп.точки доступа:
Panda, A. K.

Найти похожие

539.2
С 387

Синтез наноразмерных слоев нитрида алюминия / Л. А. Акашев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 3. - С. 26-32 : ил. - Библиогр.: с. 31-32 (13 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
элипсометрический метод -- наноразмерные слои -- сплошные среды -- поликристаллические структуры -- поверхности -- температурные интервалы -- ИК-спектроскопия -- удельные поверхности -- нитрид алюминия
Аннотация: Эллипсометрическим методом исследовано взаимодействие поверхности поликристаллического алюминия с азотом при медленном нагреве до температуры 623 °С и давлении 1. 25 atm. Показано, что процесс образования наноразмерного сплошного слоя нитрида алюминия происходит в интервале температур 520-580 °С и выше. Максимальная толщина синтезированного наноразмерного слоя нитрида алюминия составляла 32 nm. Образование нитрида на поверхности алюминия подтверждено методом ИК-спектроскопии на порошках с удельной поверхностью 6. 4 m{2}/g.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/03/p26-32.pdf

Доп.точки доступа:
Акашев, Л. А.; Попов, Н. А.; Кочедыков, В. А.; Шевченко, В. Г.

Найти похожие

539.2
П 535

Получение наноразмерных слоев твердых растворов GaAsP на GaAs за счет твердофазных реакций замещения / В. И. Васильев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 10. - С. 49-53 : ил. - Библиогр.: с. 53 (5 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
твердые растворы -- наноразмерные слои -- твердофазные реакции -- методы получения -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- фотолюминесценция -- интенсивность излучений -- полупроводниковые кристаллы
Аннотация: Предложена методика формирования наноразмерных слоев твердых растворов GaAsP на поверхностях полупроводниковых кристаллов GaAs за счет реакции твердофазного замещения. Продемонстрирован эффект широкозонного окна, проявляющийся в возрастании интенсивности фотолюминесценции обработанных пластин до 25 раз при 300 K.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/10/p49-53.pdf

Доп.точки доступа:
Васильев, В. И.; Гагис, Г. С.; Кучинский, В. И.; Хвостиков, В. П.; Марухина, Е. П.

Найти похожие

539.21:537
В 586

Влияние толщины наноразмерного слоя на структуру и свойства многослойных покрытий TiN/MoN / А. Д. Погребняк [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 5. - С. 59-66 : ил. - Библиогр.: с. 65-66 (15 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
наноразмерные слои -- многослойные покрытия -- нанокомпозитные покрытия -- метод Arc-PVD -- триботехнические испытания -- высокотемпературное окисление
Аннотация: Обнаружено влияние толщины наноразмерного слоя на изменение структуры и свойств нанокомпозитных многослойных покрытий TiN/MoN. С помощью метода Arc-PVD были получены многослойные покрытия (чередующиеся) TiN/MoN. Толщина нанослоев была выбрана 2, 10, 20 и 40 nm. Обнаружено формирование двух фаз TiN (ГЦК) и gamma-Mo[2]N. Соотношение концентрации Ti и Mo меняется с изменением толщины слоя. Максимальное значение твердости, полученное для разных толщин слоев, не превышает 28-31 GPa. Стойкость TiN/MoN при резании и триботехнических испытаниях значительно больше, чем при тестах изделий с покрытиями из TiN. В наноструктурных многослойных покрытиях при толщинах слоя 10 и 20 nm наблюдается наименьшее значение коэффициента трения 0. 09-0. 12.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/05/p59-66.pdf

Доп.точки доступа:
Погребняк, А. Д.; Береснев, В. М.; Бондар, О. В.; Abadias, G.; Chartier, P.; Постольный, Б. А.; Андреев, А. А.; Соболь, А. В.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)