Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=наноразмерные объекты<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Неразрушающий контроль наноразмерных объектов резонансным кондуктометрическим методом [Текст] / В. П. Шелохвостов [и др. ] // Контроль. Диагностика. - 2008. - N 3. - С. 36, 41-45. - Библиогр.: с. 45 (7 назв. ) . - ISSN 0201-7032

УДК

^a621.3.08

ББК 31.24
Рубрики: Энергетика
Техника высоких измерений
Кл.слова (ненормированные):
неразрушающий контроль -- наноразмерные объекты -- кондуктометрический метод -- резонансный метод -- водные среды -- кластеры -- динамические образования -- контроль наноразмерных объектов -- оперативный контроль -- квантовые модели -- физико-математические модели
Аннотация: Проведены исследования изменений структурных состояний водных сред под воздействием наноразмерных объектов.

Доп.точки доступа:
Шелохвостов, В. П.; Чернышов, В. Н.; Шелохвостов, Р. В.; Макарчук, М. В.

Найти похожие

Пугина, Е. В.
Наноразмерные объекты напыления и распыления [Текст] / Е. В. Пугина, Г. В. Корнич // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 1. - С. 75-87

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
взаимодействие ускоренных частиц -- поверхность твердых тел -- наноразмерные объекты -- энергетические кластеры -- эмиссия кластеров -- распыление наноразмерных мишеней
Аннотация: Обсуждаются недавние теоретические и экспериментальные работы, посвященные изучению процессов взаимодействия ускоренных частиц с поверхностью твердых тел на наноразмерном уровне. Значительное внимание уделено работам в области компьютерного моделирования. Обзор содержит данные по следующим направлениям: бомбардировка поверхностей потоком энергетических кластеров, эмиссия кластеров при распылении, а также распыление наноразмерных мишеней.

Доп.точки доступа:
Корнич, Г. В.

Найти похожие

539.21:537
П 542

Поляков, С. Н.
Моделирование влияния размера частиц катодного материала LiMn[2]O[4] литиевых батарей на пиковые значения плотности тока [Текст] / С. Н. Поляков // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 1. - С. 85-93 : ил. - Библиогр.: с. 93 (6 назв. ) . - ISSN 0320-0116

УДК

539.21:537^V3

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
математическое моделирование -- токовые характеристики -- субмикронные объекты -- наноразмерные объекты -- электродные материалы -- катодные материалы -- структурированные материалы -- диффузионная модель -- процессы интеркаляции -- процессы деинтеркаляции -- результаты моделирования -- токи -- частицы -- размеры частиц -- нанокристаллиты -- катодные нанокристаллиты -- литиевые батареи -- пиковые значения -- плотность тока -- диффузионная поляризация -- функциональные свойства -- сроки службы -- катоды -- LiMn2O4
Аннотация: Математическое моделирование токовых характеристик субмикронных и наноразмерных объектов позволяет прогнозировать некоторые свойства структурированного электродного материала. Представлены диффузионная модель процесса интеркаляции и деинтеркаляции (ИД) и результаты моделирования значений плотности тока внутри катодных нанокристаллитов (частиц), выводится уравнение плотности тока при нулевой диффузионной поляризации. Разработанные модели могут быть использованы для оптимизации процесса ИД с целью повышения функциональных свойств материала и увеличения срока службы катодов. Результаты иллюстрируются на примере катодного материала LiMn[2]O[4].

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/01/p85-93.pdf

Найти похожие

539.2
Р 693

Романов, В. В.
Особенности формирования наноразмерных объектов в системе InSb/InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений / В. В. Романов, П. А. Дементьев, К. Д. Моисеев // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 420-425 : ил. - Библиогр.: с. 425 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- КТ -- наноразмерные объекты -- подложки -- газофазная эпитаксия -- метод газофазной эпитаксии -- ГФЭ -- металлорганические соединения -- МО -- квантовые штрихи -- технологические условия -- эпитаксиальное осаждение -- температура роста -- скорость потока -- эпитаксиальные слои -- поверхность подложек -- InSb/InAs -- эпитаксиальное выращивание -- бимодальность
Аннотация: Квантовые штрихи (до 4 x 10{9} см{-2}) и квантовые точки (7 x 10{9} cm{-2}) InSb были получены на подложке InAs (100) стандартным методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений в интервале температур 420-440 °C. Трансформация формы и размеров квантовых штрихов наблюдалась в зависимости от технологических условий эпитаксиального осаждения (качества поверхности матрицы, температуры роста, скорости потока, соотношения V/III групп в газовой фазе и др. ). Управление скоростью диффузиии реагентов по поверхности матрицы на основе эпитаксиального слоя InAs приводило к изменению поперечных размеров осаждаемых квантовых штрихов в интервале величин: 150-500 нм в длину и 100-150 нм в ширину соответственно, при сохранении высоты 50 нм. Квантовые точки InSb были выращены на поверхности подложки InAs при T=440 °C. Наблюдалось бимодальное распределение нанообъектов по размерам: квантовые точки малых размеров (средняя высота 15 нм, средний диаметр 60 нм) и крупных размеров (средняя высота 25 нм, средний диаметр 110 нм).
InSb quantum dashes (up to 4 x 10{9} cm{-2}) and quantum dots (7 x 10{9} cm{-2}) were obtained on InAs (100) substrate by traditional method of metalorganic vapour phase epitaxy in the temperature range 420? 440 °C. Transformation of a shape and size of the quantum dashes in dependence on technological conditions of the epitaxial deposition (matrix surface quality, growing temperature, flow rate, V/III ratio in vapour phase, etc. ) was observed. Control under diffusion rate of reagents on the matrix surface based on InAs epilayer resulted in change of lateral sizes of the deposed quantum dashes in the range of150-500 nm in a length and 100-150 nm in a width, respectively, with remaining of their height of 50 nm. InSb quantum dots were grown on a surface of the InAs substrate at T = 440 °C. Bimodal distribution of nanoobjects in a size has been observed: small quantum dots (average height of 15 nm and average diameter of 60 nm) and big quantum dots (average height of 60 nm and average diameter of 110 nm).

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p420-425.pdf

Доп.точки доступа:
Дементьев, П. А.; Моисеев, К. Д.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)