Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=метод вторичной ионной масс-спектрометрии<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.


   
    Получение слоев изотопно-модифицированного кремния методом стимулированного плазмой осаждения из газовой фазы тетрафторида кремния [Текст] / П. Г. Сенников [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 20. - С. 41-47 : ил. - Библиогр.: с. 46-47 (21 назв. ) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.37 + 22.333
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

   Электронные и ионные явления. Физика плазмы

Кл.слова (ненормированные):
кремний -- изотопно-модифицированный кремний -- слои кремния -- получение слоев кремния -- плазма -- метод плазмохимического осаждения -- тетрафторид кремния -- изотопно-модифицированный тетрафторид кремния -- газовые фазы -- изотопный состав -- изотопы -- аморфные структуры -- кислород -- содержание кислорода -- спектроскопия -- методы рамановской спектроскопии -- спектры пропускания -- ИК-диапазоны -- инфракрасные диапазоны -- концентрация изотопов -- масс-спектрометрия -- метод вторичной ионной масс-спектрометрии -- распределение концентрации изотопов
Аннотация: Методом плазмохимического осаждения с использованием изотопно-модифицированного тетрафторида кремния были получены слои кремния, отличающиеся изотопным составом от природного распределения изотопов. Полученные слои обладают аморфной структурой и характеризуются значительным содержанием кислорода в своем составе. Образцы исследованы методами рамановской спектроскопии, изучен спектр пропускания в ИК-диапазоне и распределение концентрации изотопов по толщине слоя методом вторичной ионной масс-спектрометрии.


Доп.точки доступа:
Сенников, П. Г.; Голубев, С. В.; Шашкин, В. И.; Пряхин, Д. А.; Дроздов, М. Н.; Андреев, Б. А.; Pohl, H. -J.; Годисов, О. Н.

Найти похожие

2.
539.21:534
Т 263


   
    Твердотельная электродиффузия серебра в стекле (TeO[2])[0.6](WO[3])[0.25](La[2]O[3])[0.05](Na[2]O)[0.1] [Текст] / Б. С. Степанов [и др.] // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 6. - С. 739-745 : 6 рис. - Библиогр.: с. 745 (18 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
УДК
ББК 22.372
Рубрики: Физика
   Механические и акустические свойства монокристаллов

Кл.слова (ненормированные):
твердотельная электродиффузия -- электродиффузия -- серебро -- метод Матано-Больцмана -- Матано-Больцмана метод -- Больцмана-Матано метод -- метод Больцмана-Матано -- обратное резерфордовское рассеяние -- метод вторичной ионной масс-спектрометрии -- легирование -- стекло -- коэффициент диффузии
Аннотация: Методом твердотельной электродиффузии получены легированные серебром слои в стекле (TeO[2]) [0. 6] (WO[3]) [0. 25] (La[2]O[3]) [0. 05] (Na[2]O) [0. 1] (ТВЛН). Распределение ионов серебра в исследуемых стеклах определено методами вторичной ионной масс-спектрометрии (ВИМС) и обратного резерфордовского рассеяния (РОР).


Доп.точки доступа:
Степанов, Б. С.; Вагнер, Т.; Лоринчик, Я.; Фрумар, М.; Чурбанов, М. Ф.; Чигиринский, Ю. И.

Найти похожие

3.
537.311.33
В 586


   
    Влияние гетероструктуры In[0.56]Ga[0.44]P/Ge на диффузию фосфора в германии при формировании многокаскадного солнечного элемента [Текст] / С. П. Кобелева [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 24. - С. 33-38 : ил. - Библиогр.: с. 37-38 (6 назв.) . - ISSN 0320-0116
УДК
ББК 22.379 + 32.86
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

   Радиоэлектроника

   Квантовая электроника

Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- фосфор -- диффузия фосфора -- германий -- галлий -- легирование -- профили фосфора -- солнечные элементы -- многокаскадные солнечные элементы -- масс-спектрометрия -- ионная масс-спектрометрия -- вторичная ионная масс-спектрометрия -- метод вторичной ионной масс-спектрометрии -- фосфины -- диффузионные профили -- расчеты -- буферные слои -- математические модели -- атомы фосфора
Аннотация: Изучали профили фосфора в германии, легированном галлием, полученные при формировании первого каскада трехкаскадного солнечного элемента на основе структур A{3}B{5}/Ge (Ga). Методом вторичной ионной масс-спектрометрии получены профили фосфора и галлия в германии после обработки в потоке фосфина и в структуре In[0. 01]Ga[0. 99]As/In[0. 56]Ga[0. 44]P/Ge. Отмечено, что основное количество фосфора поступает из соединения In[0. 56]Ga[0. 44]P одновременно с диффузией галлия. Проведены расчеты диффузионных профилей фосфора в германии. Показано, что диффузия фосфора из буферного слоя In[0. 56]Ga[0. 44]P, являющегося одновременно источником галлия, является координатно-зависимой и для ее описания необходимо привлечение математических моделей, учитывающих не только диффузионную, но и дрейфовую компоненту потока атомов фосфора.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/24/p33-38.pdf

Доп.точки доступа:
Кобелева, С. П.; Анфимов, И. М.; Юрчук, С. Ю.; Выговская, Е. А.; Жалнин, Б. В.

Найти похожие

 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)