Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=инжектированные заряды<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Смоляр, В. А.
Распределение выделенной энергии и инжектированного заряда при нормальном падении на мишень пучка быстрых электронов [Текст] / В. А. Смоляр, А. В. Еремин, В. В. Еремин // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N4. - Библиогр.: с.52 (13 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Атомная физика
Кл.слова (ненормированные):
инжектированные заряды -- мишени -- электронные пучки
Аннотация: В рамках диффузионной модели кинетического уравнения для пучка электронов, падающих по нормали на мишень, получены аналитические формулы для распределений выделенной энергии и инжектированного заряда. При этом в теорию не вводятя эмпирические подгоночные параметры. Вычисленные распределения выделенной энергии для плоского направленного источника электронов в бесконечной среде для C, Al, Sn и Pb хорошо согласуются с данными Спенсера, полученными на основе точного решения кинетического уравнения Бете, которое является исходным и в предположении диффузионной модели

Доп.точки доступа:
Еремин, А.В.; Еремин, В.В.

Найти похожие

539.2
Б 269

Барыбин, А. А.
Влияние поверхностных ловушек на релаксацию инжектированного заряда в диэлектрических пленках [Текст] / А. А. Барыбин, А. В. Завьялов, В. И. Шаповалов // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 1. - С. 50-58. - Библиогр.: с. 58 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
поверхностные ловушки -- инжектированные заряды -- диэлектрические пленки -- релаксация инжектированного заряда
Аннотация: Аналитически решена задача релаксации заряда, инжектированного в диэлектрическую пленку, с учетом ее проводимости и захвата носителей как объемными, так и поверхностными глубокими ловушками с быстрой (практически мгновенной) зарядкой, имеющими конечные скорости разрядки. Выполнен анализ поведения заряда в однозонном и двухзонном режимах релаксации. Общие аналитические выражения дают в частных случаях ранее опубликованные результаты. Численные расчеты и анализ экспериментальных данных для пленок оксида титана, осажденных на металлические подложки, подтвердили применимость разработанной модели.

Доп.точки доступа:
Завьялов, А. В.; Шаповалов, В. И.

Найти похожие

537.311.33
П 421

Поведение локально инжектированных зарядов в нанотонких слоях high-k диэлектрика LaScO[3] на подложке Si / П. А. Алексеев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 9. - С. 47-55 : ил. - Библиогр.: с. 54-55 (8 назв.) . - ISSN 0320-0116

УДК

537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
наноразмерные структуры -- нанотонкие слои -- инжектированные заряды -- утечка зарядов -- интерфейсные слои -- кельвин-зонд-микроскопия -- диэлектрики -- диэлектрическая проницаемость
Аннотация: Методом кельвин-зонд-микроскопии исследовалась утечка зарядов в нанотонких слоях LaScO[3] на подложке Si. Обнаружено, что в этой системе имеет место утечка зарядов из слоя LaScO[3] в интерфейсный слой на границе с Si, с последующим латеральным разбеганием зарядов уже в плоскости интерфейсного слоя и одновременным уходом в подложку Si. Непосредственно в слое LaScO[3] латерального разбегания зарядов не наблюдалось.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/09/p47-55.pdf

Доп.точки доступа:
Алексеев, П. А.; Дунаевский, М. С.; Гущина, Е. В.; Durgun Ozben, E.; Lahderanta, E.; Титков, А. Н.

Найти похожие

537.3
Б 399

Безногов, М. В.
Теория баллистических токов, ограниченных объемным зарядом, в наноструктурах разной размерности / М. В. Безногов, авт. Р. А. Сурис // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 493-502 : ил. - Библиогр.: с. 502 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

537.3

ББК 22.332
Рубрики: Физика
Электрический ток
Кл.слова (ненормированные):
баллистические токи -- токи ограниченные объемным зарядом -- ТООЗ -- монополярная инжекция -- наноструктуры -- трехмерные структуры -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- интегральные уравнения -- нелинейные интегральные уравнения -- ток Бурсиана -- Бурсиана ток -- инжектированные заряды -- вакуумные диоды -- закон Чайлда - Ленгмюра -- Чайлда - Ленгмюра закон
Аннотация: Предложен единый подход к описанию баллистических токов монополярной инжекции для наноструктур разных размерностей. Показано, что в случаях трехмерных, двумерных и одномерных структур задача сводится к нелинейному интегральному уравнению с безразмерным параметром, который задает коэффициент в универсальной зависимости тока от напряжения. Доказано, что для каждой размерности существует максимально возможное значение этого параметра, которое является аналогом порога Бурсиана для вакуумного диода. Найдены вольт-амперные характеристики, распределения потенциала и концентрации инжектированных зарядов для трехмерных, двумерных и одномерных наноструктур.
In this paper we present new unified approach to the description of the ballistic monopolar injection currents, which is applicable to the nanostructures of different geometric dimensionalities. It was shown that in 3D, 2D and 1D structures the problem could be reduced to a nonlinear integral equation with a dimensionless parameter defining a coefficient of the universal current-voltage characteristic for the structures of different dimensionalities. Existence of the maximum value of the parameter which is analogous to the Bursian limit in vacuum diode was proven. Current-voltage characteristics, potential and charge distributions in 3D, 2D and 1D nanostructures were calculated.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p493-502.pdf

Доп.точки доступа:
Сурис, Р. А.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)