Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=длина экранирования Дебая-Хюккеля<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.
537.311.33
П 484

    Поклонский, Н. А.
    Экранирование электрического поля и квазистатическая емкость индуцированного заряда в полупроводниках с прыжковой электропроводностью [Текст] / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N10. - Библиогр.: с.75 (22 назв.) . - ISSN 0021-3411
УДК
537.311.33
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
длина экранирования Дебая-Хюккеля -- квазистатическая емкость -- прыжковая электропроводность -- экранирование поля
Аннотация: Получены выражения для длины экранирования внешнего электростатического поля в кристаллическом полупроводнике по Дебаю_хюккелю и Шоттки-Мотту при прыжковой миграции электронов (дырок) по водородоподобным донорам (акцепторам). Показана возможность определения длины экранирования дебая-Хюккеля, исходя из измерений квазистатической емкости для малых и больших степеней компенсации основной легирующей примеси даже в условиях сильного поля, т.е. в приближении Шоттки-Мотта. Частота электрического сигнала при измерении емкости должна быть много меньше средней частоты прыжков электрона по донорам


Доп.точки доступа:
Вырко, С.А.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)