Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=дисилицид железа<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Переславцева, Н. С.
Плотности состояний и фотоэлектронные спектры дисилицида железа [Текст] / Н. С. Переславцева, С. И. Курганский // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N11. - Библиогр.: с.84 (19 назв.) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
валентная зона -- дисилицид железа -- плотности состояний -- фотоэлектронные спектры
Аннотация: Представлены результаты зонного расчета альфа-фазы дисилицида железа. Расчет выполнен в рамках линеаризованного метода присоединенных плоских волн. Получены плотности электронных состояний и фотоэлектронные спектры для различных значений энергии возбуждения для пленки и объемного образца. Сравнение полученных результатов с экспериментальными данными позволило провести анализ главных закономернойстей строения валентной зоны пленки и объемного материала. Обнаружено, что главные особенности фотоэлектронных спектров дисилицида железа обусловлены преимущественно энергетически локализованными d-состояниями железа

Доп.точки доступа:
Курганский, С.И.

Найти похожие

Эпитаксиальный рост кремния на кремнии, имплантированном ионами железа, и оптические свойства полученных структур [Текст] / Н. Г. Галкин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 2. - С. 84-90. - Библиогр.: c. 90 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a537.311.33

ББК 22.379
Рубрики: Физика
Физика полупроводников и диэлектриков
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксия -- кремний -- ионная имплантация -- очистка кремния -- импульсная ионная обработка -- реконструированные поверхности -- дисилицид железа -- атомарно-гладкие поверхности -- эпитаксиальные пленки -- гладкие пленки
Аннотация: Успешно апробирована методика сверхвысоковакуумной низкотемпературной (T=850{o}C) очистки в потоке атомов кремния монокристаллических образцов кремния с ориентацией (100) и (111), имплантированных низкоэнергетичными (E=40 keV) ионами железа с различными дозами (Phi=1*10{15}-1. 8*10{17} cm{-2}) и подвергнутых импульсной ионной обработке (ИИО). Для образца Si (100), имплантированного максимальной дозой ионов железа, подтверждено формирование фазы полупроводникового дисилицида железа (beta-FeSi[2]) вблизи поверхности после ИИО. Продемонстрирована возможность получения атомарно-гладких и реконструированных поверхностей кремния. Выращены гладкие эпитаксиальные пленки кремния с шероховатостью порядка 1 nm и толщиной до 1. 7 mum на образцах с дозой имплантации до 10{16} cm{-2}. Изучены оптические свойства образцов до и после роста слоев кремния, свидетельствующие о высоком качестве выращенных слоев и отсутствии дисилицида железа на их поверхности.

Доп.точки доступа:
Галкин, Н. Г.; Горошко, Д. Л.; Чусовитин, Е. А.; Полярный, В. О.; Баязитов, Р. М.; Баталов, Р. И.

Найти похожие

537
Д 440

Диагностика фазового состава скрытых слоев силицидов железа в кремнии по оже-спектрам при ионном профилировании [Текст] / В. Г. Бешенков [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2005. - Т. 69, N 4. - С. 493-497. - Библиогр.: с. 497 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

537

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
электронная микроскопия -- ЭМ -- ионное профилирование -- силициды переходных металлов -- силициды -- дисилицид железа -- методы исследований -- оже-спектры
Аннотация: Проведена диагностика фазового состава скрытых слоев силицидов железа в кремнии, полученных ионно-лучевым синтезом, по оже-спектрам при ионном профилировании.

Доп.точки доступа:
Бешенков, В. Г.; Пархоменко, Ю. Н.; Подгорный, Д. А.; Полякова, Е. Г.

Найти похожие

538.9
О-754

Особенности структуры и свойств нанопленок бета-FeSi[2] и интерфейса бета-FeSi[2]/Si / А. С. Федоров [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 1. - С. 23-28

УДК

538.9

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
нанопленки -- дисилицид железа -- поверхность (физика) -- анализ плотности электронных состояний -- гетероструктуры -- ферромагнитные металлы -- немагнитные металлы -- полупроводники
Аннотация: В рамках DFT-расчетов проведено моделирование электронной, геометрической и магнитной структуры нанопленок бета-фазы дисилицида железа FeSi[2] с поверхностями (001), (100) и (010). Обнаружена существенная реконструкция поверхности (001), заканчивающейся атомами кремния, сопровождающаяся повышением симметрии поверхности и возникновением "квадратов" из атомов кремния. На основе анализа плотности электронных состояний (DOS), а также спиновой DOS, спроектированной по вкладам слоев атомов (LSDOS), вычислено, что все пластины обладают металлическими свойствами. Исследованы электронная и геометрическая области интерфейса (001) Si/FeSi[2].

Доп.точки доступа:
Федоров, А. С.; Кузубов, А. А.; Кожевникова, Т. А.; Елисеева, Н. С.; Галкин, Н. Г.; Овчинников, С. Г.; Саранин, А. А.; Латышев, А. В.

Найти похожие

536.42
А 670

Анизотропные слоистые высокотемпературные термоэлектрические материалы на базе двухфазной системы CrSi[2], beta -FeSi[2] / Ф. Ю. Соломкин [и др.]. // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 8. - С. 106-111. - Библиогр.: c. 111 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

536.42

ББК 22.375
Рубрики: Физика
Термодинамика твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
термоэлектрики -- высокотемпературные термоэлектрики -- слоистые термоэлектрики -- анизотропные термоэлектрики -- многофазные термоэлектрики -- двухфазные системы -- легирование -- алюминий -- дисилицид железа -- дисилицид хрома
Аннотация: На базе двухфазной системы CrSi[2]-beta-FeSi[2], легированной алюминием, в области составов от Cr[0. 1]Fe[0. 9]Si[ (2-x) ]Alx, до Cr[0. 9]Fe[0. 1]Si[ (2-x) ]Al[x] (x=0-0. 4) показана возможность синтеза широкого класса многофазных, упорядоченных по микроструктуре высокотемпературных термоэлектриков с высокой анизотропией термоэлектрических параметров. Легирование каждой из фаз (CrSi[2] и beta-FeSi[2]) открывает перспективы в получении материалов "-n- и -p-типа" в объеме одного образца.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/08/p106-111.pdf

Доп.точки доступа:
Соломкин, Ф. Ю.; Зайцев, В. К.; Новиков, С. В.; Самунин, А. Ю.; Пшенай-Северин, Д. А.; Исаченко, Г. Н.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий механики и оптики

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)