Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=дефектные состояния<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Спицын, А. С.
К расчету локализованных мод фотонного кристалла с искусственным дефектом методом периодического продолжения решений [Текст] / А. С. Спицын, Г. Ф. Глинский // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 5. - С. 71-77. - Библиогр.: c. 77 (29 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

^a539.21:537

ББК 22.373
Рубрики: Физика
Электрические и магнитные свойства твердых тел
Кл.слова (ненормированные):
фотонные кристаллы -- периодическое продолжение решений -- собственные моды -- дефекты -- разложение по плоским волнам -- сверхъячейки -- дефектные состояния -- электромагнитное поле в кристалле
Аннотация: Проведен анализ применимости и точности метода периодического продолжения решений для расчета пространственного распределения электромагнитного поля в фотонном кристалле с дефектом. Дана классификация собственных мод в этом кристалле и показано, что рассматриваемый метод может быть применен только для расчета состояний, локализованных на дефекте. Численные расчеты выполнены в рамках метода разложения электромагнитного поля по плоским волнам, детальное описание которого также представлено.

Доп.точки доступа:
Глинский, Г. Ф.

Найти похожие

537.226
М 222

Мамин, Р. Ф.
Дефекты со свойствами, изменяющимися с температурой, и особенности фазовых переходов [Текст] / Р. Ф. Мамин // Известия РАН. Серия физическая. - 2007. - Т. 71, N 10. - С. 1398-1400. - Библиогр.: c. 1400 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765

УДК

537.226

ББК 22.33
Рубрики: Физика
Электричество и магнетизм
Кл.слова (ненормированные):
дефектные состояния -- дефекты -- диэлектрическая восприимчивость -- Ландау теория -- релаксоры -- температурная зависимость -- теория Ландау -- теория фазовых переходов -- точечные дефекты -- фазовые переходы
Аннотация: Теоретически исследовано влияние дефектов с изменяющимися свойствами на свойства структурных фазовых переходов. Изучено влияние переполяризующихся дефектов на диэлектрическую восприимчивость, динамику параметра порядка и получены температурные зависимости этих величин. Обсуждается вклад дефектных состояний в формирование размытого фазового перехода с дисперсией на низких частотах.

Найти похожие

539.2
Х 200

Характеризация дефектов в коллоидных нанокристаллах CdSe модифицированным методом термостимулированной люминесценции / А. В. Кацаба [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 10. - С. 1339-1343 : ил. - Библиогр.: с. 1343 (21 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
температурные зависимости -- люминесценция -- спектры люминесценции -- полупроводниковые нанокристаллы -- нанокристаллы -- методы коллоидной химии -- коллоидная химия -- селенид кадмия -- CdSe -- термостимулированная люминесценция -- ТСЛ -- дефектные состояния -- дефекты -- энергия активации -- ловушки -- электроны
Аннотация: Исследованы температурные зависимости спектров люминесценции полупроводниковых нанокристаллов CdSe диаметром 5 нм, синтезированных методами коллоидной химии. Обнаружены две полосы люминесценции в области 2. 01 и 1. 37 эВ, отвечающие межзонным переходам и люминесценции центров, связанных с дефектными состояниями. Построена модель, объясняющая температурную зависимость обеих полос люминесценции как при охлаждении, так и при нагреве. Предложен метод спектрально разрешенной термостимулированной люминесценции, позволяющий определить характер и энергии активации ловушек, определяющих температурное поведение интенсивностей люминесценции. С помощью этого метода получены величины энергий активации процессов эмиссии и захвата электронов в ловушки (190 и 205 мэВ соответственно), а также найдена глубина электронного уровня (57 мэВ), отвечающего за люминесценцию в области 1. 37 эВ.
In the present work we have studied CdSe nanocrystals with average size of 5 nm synthetized by methods of colloidal chemistry. Temperature dependencies of luminescence spectra have been investigated. We have observed two luminescence bands at 2. 01 and 1. 37 eV, corresponding to interband transitions and luminescence of centers associated with defect states. A model successfully describing temperature behavior for both cooling and heating has been developed. We have proposed a new method of spectrally resolved thermostimulated luminescence. The method provides a possibility to determine the origin and activation energies of traps, responsible for temperature behavior of luminescence intensity of each band observed during heating. Activation energies for electron emission and trapping processes (190 and 205meV, respectively) have been calculated with the use of the method. Depth of the electron level responsible for luminescence at 1. 37 eV has been found to be 57meV.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/10/p1339-1343.pdf

Доп.точки доступа:
Кацаба, А. В.; Федянин, В. В.; Амброзевич, С. А.; Витухновский, А. Г.; Лобанов, А. Н.; Селюков, А. С.; Васильев, Р. Б.; Саматов, И. Г.; Брунков, П. Н.; Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук (Москва); Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)