Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=вюрцит<.>)

Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8

539.2
С 69

Сошников, И. П.
Атомная структура нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 12. - С. 2121-2126. - Библиогр.: с. 2125-2126 (36 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
атомные струкутры; вюрцит; гексагональные структуры; метод молекулярно-пучковой эпитаксии; молекулярно-пучковая эпитаксия; нанокристаллы; нитевидные нанокристаллы; сплавы; эпитаксия
Аннотация: Проведено исследование структурных свойств нитевидных нанокристаллов GaAs и Al[0. 3]Ga[0. 7]As, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Продемонстрировано образование в исследуемых материалах гексагональных структур типа вюрцит и 4Н-политип с характерными размерами до 100 nm и более. Сделан вывод о влиянии на образование гексагональной структуры симметрии активационного сплава Au-Ga.

Доп.точки доступа:
Цырлин, Г. Э.; Тонких, А. А.; Самсоненко, Ю. Б.; Дубровский, В. Г.; Устинов, В. М.; Горбенко, О. М.; Litvinov, D.; Gerthsen, D.

Найти похожие

539.2
С 697

Сошников, И. П.
Особенности картин электронной дифракции нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных на подложках Si (100) и (111) методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин [и др.] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 8. - С. 1373-1377. - Библиогр.: с. 1377 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
двойникование кристаллов; метод молекулярно-пучковой эпитаксии; нитевидные нанокристаллы; фазовые переходы; фазовые переходы вюрцит/сфалерит; электронная дифракция
Аннотация: Методом дифракции быстрых электронов на отражение проведено исследование кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (111) и Si (100). Установлено, что дифракционные картины в обоих случаях содержат суперпозицию систем рефлексов, характерных для гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фаз GaAs. Показано, что при росте на Si (111) формируются нитевидные нанокристаллы с гексагональной (вюрцит и/или 4H) и кубической (сфалерит) фазами с одной и двумя ориентациями соответственно. В случае роста на подложках Si (100) обнаружена система нитевидных нанокристаллов GaAs с кубической фазой и пятью различными ориентациями, а также гексагональной фазы с восемью ориентациями в плоскостях подложки типа (110). Проявление двойственной кристаллической структуры в нитевидных нанокристаллах объясняется фазовыми переходами вюрцит-сфалерит и/или двойникованием кристаллов.

Доп.точки доступа:
Цырлин, Г. Э.; Тонких, А. А.; Неведомский, В. Н.; Самсоненко, Ю. Б.; Устинов, В. М.

Найти похожие

Булюбаш, Борис.
Твердые материалы [Текст] / Б. Булюбаш // Знание-сила. - 2010. - N 6. - С. 55-59 . - ISSN 0130-1640

УДК

^a539.2

^a544

ББК 22.37 + 24.5
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Химия
   Физическая химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
алмазы -- искусственные алмазы -- сверхтвердые материалы -- кристаллы -- бор -- вюрцит
Аннотация: Об активных поисках сверхтвердых материалов, не имеющих недостатков алмаза.

Найти похожие

544.33
П 501

Полиморфный переход типа "сфалерит-вюрцит" в нестехиометрических халькогенидах кадмия и цинка [Текст] / Е. Н. Можевитина [и др.] // Доклады Академии наук. - 2011. - Т. 440, N 3, сентябрь. - С. 343-345. - Библиогр.: с. 345 . - ISSN 0869-5652

УДК

544.33

ББК 24.532
Рубрики: Химия
Термохимия
Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- халькогениды кадмия -- халькогениды цинка
Аннотация: Уточнены границы областей гомогенности соединений в широком интервале температур и получены аналитические выражения зависимостей концентрации растворенного компонента от парциального давления и температуры.

Доп.точки доступа:
Можевитина, Е. Н.; Хомяков, А. В.; Аветисов, Р. И.; Левонович, Б. Н.

Найти похожие

621.315.592
В 586

Влияние термоотжига на оптические свойства нанокристаллических пленок сульфида цинка [Текст] / П. Н. Крылов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 11. - С. 1571-1575 : ил. - Библиогр.: с. 1575 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

535.37^V3

ББК 31.233 + 22.345
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Люминесценция
Кл.слова (ненормированные):
термоотжиг -- термический отжиг -- оптические свойства -- нанокристаллические пленки -- сульфид цинка -- фотолюминесценция -- электролюминесценция -- спектры пропускания -- спектры отражения -- температура отжига -- люминофоры -- кристаллические решетки -- вюрцит -- сфалериты
Аннотация: Исследовано влияние термоотжига на фото- и электролюминесценцию, спектры пропускания и отражения нанокристаллических пленок сульфида цинка. Все образцы характеризуются широкой полосой излучения, интенсивность которой зависит от температуры отжига. Показано, что наибольшей интенсивностью свечения обладают люминофоры, кристаллическая решетка которых имеет нарушения, возникающие при переходе от вюрцита к сфалериту.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/11/p1571-1575.pdf

Доп.точки доступа:
Крылов, П. Н.; Гильмутдинов, Ф. З.; Романов, Э. А.; Федотова, И. В.

Найти похожие

539.2
Ш 181

Шалдин, Ю. В.
Пироэлектрические свойства широкозонного полупроводника AlN в области 4. 2-300 K [Текст] / Ю. В. Шалдин, авт. S. Matyjasik // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1159-1165 : ил. - Библиогр.: с. 1165 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2^V3

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
пироэлектрические свойства -- пироэлектрики -- поляризация -- широкозонные полупроводники -- температурные зависимости -- газовые фазы -- азот -- электрические воздействия -- дефекты структуры -- сегнетоэлектрическое упорядочение -- кристаллы -- примеси кислорода -- деформация тетраэдров -- координационные тетраэдры -- структура вюрцита -- вюрцит -- дипольный момент
Аннотация: Представлены результаты измерений поляризации AlN в интервале 4. 3-300 K, по которым были рассчитаны величины пирокоэффициентов в зависимости от температуры. Эксперимент ставился как на исходном образце, выращенном из газовой фазы в атмосфере азота при T~2400 K, так и подвергнутом внешнему электрическому воздействию в поле разной полярности. Поляризация образца при T=4. 2 K привела к принципиальному изменению полярного состояния реального образца AlN: за счет дефектов структуры возникает сегнетоэлектрическое упорядочение и на порядок увеличивается суммарная поляризация образца, зависящая от T. Выявленные аномалии прежде всего связаны с вхождением в состав кристалла неконтролируемой примеси кислорода, приводящей к значительным деформациям координационных тетраэдров в структуре вюрцита. Процесс замещения вакансий азота разнозаряженными ионами кислорода приводит не только к изменению дипольных моментов координационных тетраэдров, но и к изменению их ориентации в структуре. Сегнетоэлектрическое упорядочение в "чистом виде" в данном образце AlN существует только до T~80 K.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1159-1165.pdf

Доп.точки доступа:
Matyjasik, S.

Найти похожие

621.315.592
П 960

Пьезоэффект в структурах с нитевидными нанокристаллами GaAs [Текст] / И. П. Сошников [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1114-1116 : ил. - Библиогр.: с. 1116 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
пьезоэффект -- структуры -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- GaAs -- кристаллические структуры -- вюрцит -- контактные слои -- пьезоэлектрические преобразования
Аннотация: Обнаружен аномальный пьезоэлектрический эффект в нитевидных нанокристаллах GaAs (коэффициент пьезоэлектрического преобразования d[33]~26 пКл/Н). Полученный результат может объясняться преимущественным содержанием в нитевидных нанокристаллах GaAs фазы с кристаллической структурой типа вюрцита и увеличением усилия при давлении на контактный слой.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1114-1116.pdf

Доп.точки доступа:
Сошников, И. П.; Афанасьев, Дм. Е.; Петров, В. А.; Цырлин, Г. Э.; Буравлев, А. Д.; Самсоненко, Ю. Б.; Хребтов, А.; Танклевская, Е. М.; Селезнев, И. А.

Найти похожие

539.2
Б 890

Брудный, В. Н.
Влияние давления и механического напряжения на электронные свойства AlN и GaN [Текст] / В. Н. Брудный, А. В. Кособуцкий, Н. Г. Колин // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 4. - С. 633-641. - Библиогр.: с. 641 (29 назв. ) . - ISSN 0367-3294

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
теория функционала плотности -- вюрцит -- внешнее гидростатическое давление -- механическое напряжение
Аннотация: На основе расчетов из первых принципов в рамках теории функционала плотности рассмотрены фундаментальные свойства соединений AlN и GaN со структурой вюрцита под действием внешнего гидростатического давления, одноосного механического напряжения сигма|| вдоль гексагональной оси и двухосного механического напряжения сигма нормал в плоскости основания элементарной ячейки. Получены давления фазовых переходов из структур вюрцита и сфалерита в структуру каменной соли, исследовано поведение структурных параметров, межзонных переходов и положения уровня зарядовой нейтральности. Рассчитаны коэффициенты давления ширины запрещенной зоны. Коэффициенты давления уровня зарядовой нейтральности практически во всех случаях существенно меньше соответствующих данных для Eg.

Доп.точки доступа:
Кособуцкий, А. В.; Колин, Н. Г.

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)