Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=Шоткки диоды<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


   
    Диоды с барьером Шоттки Au-TiBx-n-6H-SiC: особенности токопереноса в выпрямляющих и невыпрямляющих контактах [Текст] / О. А. Агеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 897-903 : ил. - Библиогр.: с. 902 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
^a621.315.592
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
токоперенос -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- диоды Шоттки -- Шоткки диоды -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- выпрямляющие контакты -- омические контакты -- монокристаллы -- карбид кремния -- туннельные токи -- концентрация -- дислокации -- пространственный заряд
Аннотация: Исследован механизм токопереноса в диоде на основе карбида кремния с барьером Шоттки, сформированным квазиаморфной фазой внедрения TiB[х] на поверхности монокристаллов n-6H-SiC (0001), с концентрацией нескомпенсированных доноров (азот) ~10{18}см{-3}и концентрацией дислокаций ~ (10{6}-10{8}) см{-2}. Показано, что при температурах T=400 K происходит смена механизма токопереноса на термоэлектронный с высотой барьера ~0. 64 эВ и фактором неидеальности, близким к 1. 3.


Доп.точки доступа:
Агеев, О. А.; Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, П. М.; Миленин, В. В.; Савченко, А. В.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)