Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=ЦР<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1481-1495 : ил. - Библиогр.: с. 1494 (53 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- бор -- сопротивления -- удельные сопротивления -- термоэдс -- теплоемкость -- статическая магнитная восприимчивость -- циклотронный резонанс -- ЦР -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- корреляционная энергия -- отрицательная корреляционная энергия -- акцепторы бора -- дырочные биполяроны -- высокотемпературная сверхпроводимость -- наноструктурированные delta-барьеры -- локальная туннельная спектроскопия -- ЛТС -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- оптические свойства -- электрические свойства -- сверхпроводящие свойства -- температурная зависимость -- полевая зависимость -- осцилляция -- квантование -- критическая температура -- вторичная ионная масс-спектроскопия -- ВИМС -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- сверхтоки
Аннотация: Сверхпроводящие свойства кремниевых сандвич-наноструктур на поверхности Si (100) n-типа, которые представляют собой сверхузкие кремниевые квантовые ямы p-типа, ограниченные delta-барьерами, сильно легированными бором, проявляются в измерениях температурных и полевых зависимостей удельного сопротивления, термоэдс, теплоемкости и статической магнитной восприимчивости. Данные исследований циклотронного резонанса, сканирующей туннельной микроскопии и ЭПР идентифицируют наличие в наноструктурированных delta-барьерах одиночных тригональных дипольных центров бора, B{+}-B{-}, с отрицательной корреляционной энергией, которые сформированы вследствие реконструкции мелких акцепторов бора, 2B{0}- B{+}+B{-}. Полученные результаты свидетельствуют о том, что эти центры с отрицательной корреляционной энергией ответственны за перенос дырочных биполяронов малого радиуса, который, по-видимому, лежит в основе механизма высокотемпературной сверхпроводимости TC=145 K. Причем значение величины сверхпроводящей щели, 0. 044 эВ, определенное с помощью измерений критической температуры при использовании вышеуказанных методик, практически идентично данным локальной туннельной спектроскопии и прямой регистрации туннельных ВАХ. Квантование характеристик сверхпроводимости кремниевых сандвич-наноструктур проявляется в температурных и полевых зависимостях теплоемкости и статической магнитной восприимчивости, которые демонстрируют осцилляции второго критического поля и критической температуры, возникающие вследствие квантования сверхтока.

Доп.точки доступа:
Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Романов, В. В.

Найти похожие

Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях [Текст] / А. В. Иконников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1539-1542 : ил. - Библиогр.: с. 1541 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- циклотронный резонанс -- ЦР -- квантовые ямы -- КЯ -- квантовые каскадные лазеры -- ККЛ -- магнитные поля -- уровни Ландау -- Ландау уровни -- спиновая релаксация -- время спиновой релаксации -- дырки (физика)
Аннотация: Исследованы спектры циклотронного резонанса дырок в селективно-легированных гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях до 50 Тл при 4. 2 K. Подтвержден обнаруженный ранее эффект инвертированного (по сравнению с результатами одночастичного расчета уровней Ландау) соотношения интегральных интенсивностей двух расщепившихся компонент линии циклотронного резонанса, связываемый с эффектами обменного взаимодействия дырок. Обнаружено, что на восходящей и нисходящей ветвях импульса магнитного поля соотношения интенсивностей компонент линии циклотронного резонанса сильно различаются, что может быть связано с большим временем спиновой релаксации дырок между двумя нижними уровнями Ландау, составляющим десятки миллисекунд.

Доп.точки доступа:
Иконников, А. В.; Спирин, К. Е.; Гавриленко, В. И.; Козлов, Д. В.; Драченко, О.; Schneider, H.; Helm, M.

Найти похожие

Циклотронный резонанс в гетероструктурах с квантовыми ямами InSb/AlInSb [Текст] / Ю. Б. Васильев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1559-1562 : ил. - Библиогр.: с. 1562 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
циклотронный резонанс -- ЦР -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- InSb/AlInSb -- двумерные электроны -- электроны -- магнитные поля -- поглощение электронов -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- модель Кейна -- Кейна модель -- спин-орбитальное взаимодействие
Аннотация: Проведены исследования поглощения двумерных электронов в квантовых ямах на основе InSb в квантующих магнитных полях в терагерцовой области спектра. В качестве источника излучения использовался циклотронный лазер на p-Ge. Из спектров циклотронного резонанса определена эффективная масса носителей на уровне Ферми, равная 0. 0219[m0] (m0 масса свободного электрона). Показано, что спектр электронов описывается моделью Кейна в широком диапазоне магнитных полей. В слабых магнитных полях наблюдается аномально сильное расщепление линии циклотронного резонанса, не связанное с непараболичностью зоны проводимости InSb, которое может быть объяснено эффектом спин-орбитального взаимодействия.

Доп.точки доступа:
Васильев, Ю. Б.; Gouider, F.; Nachtwei, G.; Buckle, P. D.

Найти похожие

537.86
Э 454

Электрическое детектирование циклотронного резонанса дырок в кремниевых наноструктурах / Н. Т. Баграев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 503-509 : ил. - Библиогр.: с. 508-509 (28 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

537.86

ББК 22.336
Рубрики: Физика
Электромагнитные колебания
Кл.слова (ненормированные):
электрическое детектирование -- циклотронный резонанс -- ЦР -- полупроводниковые наноструктуры -- внешние резонаторы -- резонаторы -- СВЧ излучение -- кремниевые квантовые ямы -- ККЯ -- gamma-барьеры -- легирование бором -- бор -- СВЧ генерация -- дырки -- кремниевые наноструктуры -- нестационарный эффект Джозефсона -- Джозефсона нестационарный эффект -- микрорезонаторы -- магнетосопротивление -- спектры циклотронного резонанса -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- сверхузкие кремниевые квантовые ямы -- СККЯ
Аннотация: Электрическое детектирование циклотронного резонанса впервые проводится в полупроводниковых наноструктурах в отсутствие внешнего резонатора, а также источника и приемника СВЧ излучения. В качестве объекта исследования используется сверхузкая кремниевая квантовая яма p-типа проводимости на поверхности n-Si (100), ограниченная сильно легированными бором сверхпроводящими delta-барьерами, которые обеспечивают СВЧ генерацию в рамках нестационарного эффекта Джозефсона. Регистрация циклотронного резонанса осуществляется при наличии микрорезонатора, встроенного в плоскость квантовой ямы, путем измерения продольного магнетосопротивления в условиях стабилизации тока исток-сток. Спектры циклотронного резонанса и их угловые зависимости, измеренные в слабом магнитном поле, идентифицируют малые значения эффективной массы легкой и тяжелой дырок в различных двумерных подзонах благодаря наличию краевых каналов с высокой подвижностью носителей.
Electrically-detected cyclotron resonance (EDCR) is observed for the first time in semiconductor nanostructures in the absence of the external resonator a well as the high frequency source and recorder. The ultra-narrow silicon quantum well of the p-type conductivity on the n-type Si (100) surface is used for the studies, which is confined by the delta-barriers heavily doped with boron, those result in the Josephson high frequency radiation. The EDCR detection is proved by measuring the magnetoresistance in the existence of the microcavity inserted in the quantum well plane and the stabilization of the drain? source current. Owing to the high mobility edge channels the EDCR spectra and their angular dependencies measured in weak magnetic fields identify the small values of the effective mass for the light and heavy holes that belong to different 2D subbands.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p503-509.pdf

Доп.точки доступа:
Баграев, Н. Т.; Гец, Д. С.; Даниловский, Э. Ю.; Клячкин, Л. Е.; Маляренко, А. М.

Найти похожие

364.04
Г 370

Герасименко, Е. В. (директор).
Путевка в полноценную жизнь / Е. В. Герасименко // Социальная работа. - 2014. - № 6. - С. 48-49

УДК

364.04

ББК 60.95
Рубрики: Социальная защита. Социальная работа
Технология социальной помощи, социальной работы
Кл.слова (ненормированные):
реабилитационные центры -- образовательные учреждения -- комплексная реабилитация -- инвалиды -- лица с ограниченными возможностями -- профессиональная реабилитация -- образовательные программы -- медицинская реабилитация
Аннотация: О профессиональной реабилитации инвалидов и лиц с ограниченными возможностями здоровья.

Доп.точки доступа:
ГБПООРУ "Ессентукский ЦР"

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)