Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Электронный каталог (10)Труды ОмГУ (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Соловьев, В. А.$<.>)
Общее количество найденных документов : 19
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-19 
1.
67
С 603


    Соловьев, В. А.
    О правовой природе налога [Текст] / В. А. Соловьев // Журнал российского права. - 2002. - N3 . - ISSN 1605-6590
ББК 67 + 67.402
Рубрики: Право. Юридические науки--Финансовое право
Кл.слова (ненормированные):
Налоговый кодекс РФ -- налог -- налоговые обязательства -- налоговые отношения -- правовая природа
Аннотация: О новом подходе к налогу, о переходе к пониманию налога как "кредита", передаваемого публичному субъекту на социально значимые цели.


Найти похожие

2.
347.73
С 603


    Соловьев, В. А.
    Вопросы баланса публичного и частного интересов в налоговом праве [Текст] / В. А. Соловьев // Финансовое право. - 2002. - N4 . - ISSN ХХХХ-ХХХХ
УДК
ББК 67.402
Рубрики: Право--Финансовое право
Кл.слова (ненормированные):
баланс интересов -- воля -- интересы -- налоги -- налоговая система -- налоговое законодательство -- налоговые интересы -- налоговые отношения -- осознание интересов -- публичные интересы -- ставки налогов -- частные интересы
Аннотация: Дан анализ целостного подхода к законодательству о налогах и сборах с использованием в качестве метода анализасоотношение частного и публичного интересов в налоговом праве. Определены понятия, содержание частного и публичного интересов, рассмотрены критерии определения баланса интересов, приведена классификация некоторых налоговых интересов. Также рассмотрен баланс интересов в сочетании с этапами налоговой реформы.


Найти похожие

3.
621.38
А 79


    Аракчеева, А. М.
    Технология получения полупроводниковых микрорезонаторов и фотонных кристаллов [] / А. М. Аракчеева, А. В. Нащекин [и др.] // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 2. - С. 78-81. - Библиогр.: c. 81 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642
УДК
ББК 32.85
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника
Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия; волноводные структуры; микрорезонаторы; реактивное ионное травление; фотонные кристаллы; электронная литография
Аннотация: Описана технология получения микрорезонаторов и фотонных кристаллов в структурах на основе GaAs с использованием электронной литографии и реактивного ионного травления. Было получено 2 типа структур: с микростолбиками и фотонными кристаллами, представляющими собой квадратную и гексагональную решетки отверстий в планарной волноводной структуре. Минимальный диаметр микростолбиков составил 100 nm, высота - 700 nm. Размер отверстия фотонных кристаллов контролируемым образом варьировался от 140 до 500 nm, период фотонного кристалла от 400 до 1000 nm. Глубина травления фотонных кристаллов составила более 350 nm.

Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2005/02/page-78.html.ru

Доп.точки доступа:
Нащекин, А. В.; Соловьев, В. А.; Танклевская, Е. М.; Максимов, М. В.; Конников, С. Г.; Гуревич, С. А.; Леденцов, Н. Н.

Найти похожие

4.
621.3
Т 350


    Терентьев, Я. В.
    Сильная спиновая поляризация электронов в диодной структуре на основе InAs [Текст] / Я. В. Терентьев, О. Г. Люблинская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1309-1313 . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.2
Рубрики: Энергетика
   Электротехника

Кл.слова (ненормированные):
спиновая поляризация электронов -- диодные структуры -- электроны -- фотолюминесценция -- циркулярно-поляризованная фотолюминесценция -- геометрия Фарадея -- Фарадея геометрия
Аннотация: Путем измерения циркулярно-поляризованной фотолюминесценции обнаружена высокая степень ориентации спинов электронов в n-области диодной структуры на основе InAs, помещенной в магнитное поле в геометрии Фарадея. Поляризация излучения достигает 90% в поле 2 Тл. В противоположность этому степень поляризации в обычных, без p-n-перехода, слоях InAs не превышает 20% в диапазоне полей до 4 Тл. Эффект связывается с наличием встроенного электрического поля p-n-перехода, которое препятствует локализации неравновесных электронов на мелких донорных центрах и тем самым позволяет ориентировать спины электронов за счет зеемановского расщепления в зоне проводимости.


Доп.точки доступа:
Люблинская, О. Г.; Усикова, А. А.; Торопов, А. А.; Соловьев, В. А.; Иванов, С. В.

Найти похожие

5.
621.3
Т 350


    Терентьев, Я. В.
    Аномальное спиновое расщепление электронов в InAs в условиях инжекционной накачки [Текст] / Я. В. Терентьев, О. Г. Люблинская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 590-594 . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.2
Рубрики: Энергетика--Электротехника
Кл.слова (ненормированные):
InAs -- спиновое расщепление электронов -- электроны -- инжекционная накачка -- люминесценция -- магнитное поле -- геометрия Фарадея -- Фарадея геометрия
Аннотация: Экспериментально исследована электро- и фотолюминесценция объемного InAs n-типа с высокой концентрацией доноров (N[d]? 5 10\{16\} см\{-3\}) в магнитном поле в геометрии Фарадея. В условиях электрической инжекции энергия пика электролюминесценции превышает ширину запрещенной зоны E[g]. При приложении магнитного поля энергия пика становится меньше E[g], и он расщепляется на две циркулярно-поляризованные компоненты. Расщепление зависит от тока инжекции и в средних магнитных полях (около 2 T) может значительно превышать расчетное значение, соответствующее известной величине g-фактора электронов в InAs. Эффект объясняется разной степенью магнитного вымораживания для электронов с разной ориентацией спина. Существование максимума в зависимости степени поляризации фотолюминесценции от магнитного поля, а также поведение ширины линии фотолюминесценции подтверждают предложенную модель.


Доп.точки доступа:
Люблинская, О. Г.; Торопов, А. А.; Соловьев, В. А.; Сорокин, С. В.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В.

Найти похожие

6.
621.315.592
С 302


    Семенов, А. Н.
    In situ исследование кинетики формирования КТ InSb в матрице InAs (Sb [Текст] / А. Н. Семенов, О. Г. Люблинская [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 1. - С. 75-81
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
квантовые точки -- InAs -- InSb -- молекулярно-пучковая эпитаксия
Аннотация: Описаны особенности формирования квантовых точек InSb в матрице InAs без принудительного осаждения InSb методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Исследования кинетики формирования квантовых точек InSb и смачивающего слоя InAsSb проводились in situ с использованием системы регистрации осцилляций интенсивности рефлексов на картине дифракции быстрых электронов. Исследовано влияние температуры подложки, последовательности работы заслонок и введения прерываний роста на свойства массива квантовых точек InSb. Прерывание роста сразу после выдержки поверхности InAs под потоком сурьмы приводит к уменьшению номинальной толщины InSb и улучшает однородность массива квантовых точек. Показано, что в случае осаждения квантовых точек InSb/InAs субмонослойной толщины роль смачивающего слоя выполняет сегрегационный слой InAsSb. Определены длина и коэффициент сегрегации сурьмы, а также их температурные зависимости.


Доп.точки доступа:
Люблинская, О. Г.; Соловьев, В. А.; Мельцер, Б. Я.; Иванов, С. В.

Найти похожие

7.


   
    Всероссийская научная конференция "Социально-медицинские аспекты экологического состояния Центрального экономического района России" (Тверь, 25-26 октября 2007 г. ) [Текст] / В. А. Соловьев [и др. ] // Вестник Российского гуманитарного научного фонда. - 2008. - N 1. - С. 197-201 . - ISSN 1562-0484
УДК
ББК 60.561.6
Рубрики: Социология--Россия--Центральный экономический район--Тверь, 2007 г.
   Социология медицины

Кл.слова (ненормированные):
экология района -- здравоохранение -- социальная медицина -- население
Аннотация: На конференции, состоявшейся в Твери в октябре 2007 г., обсуждались вопросы оценки социально-медицинских аспектов изменяющейся экологической обстановки Центрального экономического района нашей страны, изучения и профилактики социально значимых последствий воздействия окружающей среды на жизнедеятельность человека.


Доп.точки доступа:
Соловьев, В. А.; Шахтарин, В. В.; Жмакин, И. А.; Баканов, К. Б.; Брянцева, В. М.; Всероссийская научная конференция "Социально-медицинские аспекты экологического состояния Центрального экономическогорайона России"

Найти похожие

8.


   
    Обработка данных с приборочного комплекса телескопа-спектрогелиографа СПИРИТ [Текст] / А. П. Игнатьев [и др. ] // Приборы и техника эксперимента. - 2008. - N 5. - С. 71-80. - Библиогр.: с. 80 (4 назв. ) . - ISSN 0032-8162
УДК
ББК 22.6с5
Рубрики: Астрономия
   Астрономические приборы

Кл.слова (ненормированные):
аппаратно-программные комплексы -- СПИРИТ -- обработка данных -- приборные комплексы -- телескоп-спектрогелиограф -- спутники -- Коронас-Ф
Аннотация: Научной целью эксперимента СПИРИТ является исследование пространственно-временной структуры явлений солнечной активности с помощью комплекса рентгеновских инструментов на спутнике "Коронас-Ф".


Доп.точки доступа:
Игнатьев, А. П.; Слемзин, В. А.; Кузин, С. В.; Бугаенко, О. И.; Житник, И. А.; Перцов, А. А.; Иванов, Ю. С.; Соловьев, В. А.; Афанасьев, А. А.; Лисин, Д. В.; Степанов, А. И.

Найти похожие

9.


   
    Синтез и формирование наноразмерных материалов в волне горения аэрозольгенерирующих составов [Текст] / Б. П. Перепеченко [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2009. - Т. 424, N 3, январь. - С. 354-357. - Библиогр.: с. 357 (15 назв. ) . - ISSN 0869-5652
УДК
ББК 22.365
Рубрики: Физика
   Газы и жидкости

Кл.слова (ненормированные):
горение -- золь -- аэрозоли -- продукты горения -- аэрозольное пожаротушение
Аннотация: Приведены результаты новых исследований физико-химического состава твердых продуктов горения штатных аэрозольгенерирующих составов и предложена физико-химическая модель механизма тушения ими пламени.


Доп.точки доступа:
Перепеченко, Б. П.; Соловьев, В. А.; Пак, З. П.; Шпак, В. С.

Найти похожие

10.


   
    Инжекция спина в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs/GaSb [Текст] / Я. В. Терентьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 2. - С. 205-209 : ил. - Библиогр.: с. 208-209 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 22.37 + 22.345
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

   Люминесценция

Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- GaAs/GaSb -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- квантовые точки -- КТ -- гетероструктуры -- дифракция быстрых отраженных электронов -- ДБОЭ -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- циркулярно-поляризованная фотолюминесценция -- магнитные поля -- векторы магнитных полей -- поляризация -- инжекция спина -- спиновая инжекция -- спиновая ориентация -- зеемановское расщепление -- радиационное время жизни носителей -- эффект Зеемана -- Зеемана эффект
Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены гетероструктуры с квантовыми точками типа II GaAs/GaSb. Исследована циркулярно-поляризованная фотолюминесценция образцов в магнитном поле до 4. 7 Тл, приложенном в геометрии Фарадея. Обнаружено, что в магнитном поле излучение квантовых точек имеет sigma-поляризацию, соответствующую проекции спина электрона на вектор магнитного поля +1/2. При увеличении интенсивности возбуждения степень поляризации излучения растет. Обнаруженный эффект объясняется инжекцией спина из матрицы GaSb, в которой спиновая ориентация возникает благодаря зеемановскому расщеплению зоны проводимости. Рост степени поляризации связан с уменьшением радиационного времени жизни носителей в квантовых точках типа II при увеличении уровня возбуждения.


Доп.точки доступа:
Терентьев, Я. В.; Торопов, А. А.; Мельцер, Б. Я.; Семенов, А. Н.; Соловьев, В. А.; Седова, И. В.; Усикова, А. А.; Иванов, С. В.

Найти похожие

 1-10    11-19 
 
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)