Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

Найдено в других БД:

Электронный каталог (5)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Смирнова, И. П.$<.>)

Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10

011/016
С 506

Смирнова, И. П.
Идея евразийства: истоки и современность [Текст] : список литературы 2003-2004 гг. / И. П. Смирнова // Вестник Библиотечной Ассамблеи Евразии. - 2004. - N 4 . - ISSN XXXX-XXXX

УДК

011/016

ББК 91
Рубрики: Литература универсального содержания--Библиографические пособия
Кл.слова (ненормированные):
2003 г. -- 2004 г. -- списки литературы -- евразийство -- история -- современность -- политика -- библиография -- источники
Аннотация: Представлен список литературы по проблеме евразийства.

Найти похожие

02(09)
С 506

Смирнова, И. П.
Они стали страницами книги [Текст] / И. П. Смирнова // Мир библиографии. - 2003. - N4. - Рец. на кн.: О библиотеке, о времени, о себе: Воспоминания сотрудников Российской государственной библиотеки.- М.: Пашков дом, 2003 . - ISSN 1560-7968

УДК

02(09)

ББК 78.33
Рубрики: Библиотечное дело--История библиотечного дела
Кл.слова (ненормированные):
20 в. -- рецензии -- воспоминания -- история библиотек -- научные библиотеки -- библиотечные кадры
Аннотация: Рецензируется издание очередного сборника воспоминаний сотрудников РГБ.

Доп.точки доступа:
Российская государственная библиотека; РГБ

Найти похожие

01
С 50

Смирнова, И. П. (зав. сектором НИИ Информкультура РГБ).
Россия в условиях перехода к постиндустриальному обществу [Текст] : список литературы за 2003-2004 гг. / И. П. Смирнова, авт. // Библиотечное дело - XXI век. - 2005. - N 1. - С. 230-240 . - ISSN XXXX-XXXX

УДК

ББК 78.5
Рубрики: Библиотечное дело--Библиографоведение--Россия
Кл.слова (ненормированные):
список литературы; библиография; экономика; организация библиотечного дела; библиотечное дело -- библиотеки; образование; человеческий фактор; технологии; социальное развитие; постиндустриальное общество
Аннотация: Список литературы по экономике: теории социального развития и стратегия России; роль государства; новые технологии; человеческий фактор; культура и образование в новых экономических условиях.

Найти похожие

Отражающий p-контакт на основе тонких пленок ITO для флип-чип светодиодов AlGaInN [Текст] / Л. К. Марков [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1564-1569 : ил. - Библиогр.: с. 1568-1569 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Проводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
пленки -- тонкие пленки -- оксид индия -- оксид олова -- ITO -- электронно-лучевое напыление -- метод электронно-лучевого напыления -- отражающий p-контакт -- светодиоды -- флип-чип светодиоды -- коэффициент отражения контакта -- квантовая эффективность -- кристаллы -- светоизлучающие кристаллы -- удельное сопротивление -- напряжение -- электрические характеристики -- оптические характеристики -- p-контакт
Аннотация: Методом электронно-лучевого напыления тонких пленок оксида индия и олова (ITO) был получен отражающий контакт к слою p-GaN, используемый при создании синих флип-чип светодиодов. Высокий коэффициент отражения контакта, превосходящий коэффициент отражения контакта на основе Ni/Ag, обеспечивает прирост внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов на 15-20%. Прямые падения напряжения для кристаллов с контактом ITO (5 нм) /Ag (220 нм) сравнимы с аналогичными величинами для кристаллов с контактом Ni (1. 5 нм) /Ag (220 нм). Удельное сопротивление контакта со слоем ITO составляет 3. 7 x 10{-3} Ом x см{2}. Показано, что для полученных данным методом пленок ITO оптимальные толщины, обеспечивающие наилучшие электрические и оптические характеристики кристаллов, лежат в диапазоне 2. 5-5. 0 нм.

Доп.точки доступа:
Марков, Л. К.; Смирнова, И. П.; Павлюченко, А. С.; Аракчеева, Е. М.; Кулагина, М. М.

Найти похожие

Увеличение квантовой эффективности флип-чип AlGaInN-светодиодов путем реактивного ионного травления внешней стороны подложек SiC [Текст] / И. П. Смирнова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 684-687 : ил. - Библиогр.: с. 687 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
травление -- ионное травление -- гетероструктуры -- AlGaIn/GaN -- подложки -- квантовая эффективность -- фоторезисты -- тонкие фоторезисты -- полное внутреннее отражение -- ПВО -- кристаллы -- светоизлучающие кристаллы -- карбид кремния -- светодиоды -- флип-чип конструкции -- микрорельефы
Аннотация: Работа посвящена развитию метода создания рассеивающего свет микрорельефа на внешней стороне подложек SiC для уменьшения потерь при выводе света из светодиодного кристалла, связанных с эффектом полного внутреннего отражения в структурах AlGaIn/GaN. Предложено использовать тонкие слои фоторезиста в качестве случайных масок для процесса реактивного ионного травления подложки из карбида кремния. Оптимизацией режимов травления на поверхности подложки SiC получен микрорельеф с требуемыми параметрами, что привело к увеличению внешней квантовой эффективности светоизлучающих кристаллов более чем на 25%.

Доп.точки доступа:
Смирнова, И. П.; Марков, Л. К.; Аракчеева, Е. М.; Павлюченко, А. С.; Закгейм, Д. А.; Кулагина, М. М.

Найти похожие

621.315.592
A 35

AlGaInN-светодиоды с прозрачным p-контактом на основе тонких пленок ITO [Текст] / И. П. Смирнова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 384-388 : ил. - Библиогр.: с. 388 (8 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
тонкие пленки -- светодиоды -- AlGaInN-светодиоды -- ITO -- indium tin oxide -- квантовый выход -- спектральный диапазон -- квантовая эффективность -- сверхрешетки -- пленки -- металлические контакты
Аннотация: Разработан способ получения прозрачных проводящих пленок ITO (indium tin oxide), предназначенных для использования в светодиодах синего спектрального диапазона. Максимальный внешний квантовый выход светодиодов с p-контактом на основе полученных пленок достигает 25 %, в то время как для аналогичных светодиодов со стандартным полупрозрачным металлическим контактом он составляет меньше 10 %. Наблюдаемое увеличение прямого падения напряжения с 3. 15 до 3. 37 В не оказывает существенного влияния на возможность применения данных пленок в светодиодах, так как величина оптической мощности светодиодов с прозрачным p-контактом на основе пленок ITO почти в 2. 5 раза превышает оптическую мощность кристаллов с металлическими полупрозрачными p-контактами при рабочем токе 20 мА. Светодиоды с p-контактами на основе пленок ITO успешно выдерживали токи накачки, в 5 раз превышающие их расчетный рабочий ток, не обнаруживая признаков деградации.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p384-388.pdf

Доп.точки доступа:
Смирнова, И. П.; Марков, Л. К.; Павлюченко, А. С.; Кукушкин, М. В.

Найти похожие

621.315.592
С 750

Сравнение свойств светодиодных кристаллов AlGaInN вертикальной и флип-чип конструкции с использованием кремния в качестве платы-носителя / Л. К. Марков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 386-391 : ил. - Библиогр.: с. 391 (11 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
светодиодные кристаллы -- кристаллы -- свойства кристаллов -- AlGaInN -- кремний -- Si -- вертикальные светодиодные кристаллы -- флип-чип светодиодные кристаллы -- сапфировые подложки -- подкристальное плато -- поверхность кристаллов -- сравнение кристаллов
Аннотация: Проведено сравнение вертикальных и флип-чип светодиодных кристаллов AlGaInN с точки зрения характера растекания тока в активной области, распределения локальных температур и тепловых сопротивлений кристаллов. Были изготовлены светодиодные кристаллы AlGaInN вертикальной конструкции с использованием кремния в качестве подложки-носителя и флип-чип светодиодные кристаллы с удаленной сапфировой подложкой, также размещенные на кремниевой подкристальной плате. Активные области обоих кристаллов совпадали и составили порядка 1 мм{2}. Было показано, что как светимость поверхности кристалла в видимом диапазоне, так и распределение локальных температур, оцененное по излучению в инфракрасном диапазоне, более однородны в кристаллах вертикальной конструкции. Теплоотвод кристаллов флип-чип конструкции недостаточен в областях n-контакта, которые не имеют хорошего теплового контакта с подкристальной платой. В итоге суммарные тепловые сопротивления между p-n-переходом и кремниевой платой как кристаллов вертикальной конструкции, так и флип-чип кристаллов составили приблизительно 1 К/Вт. При этом общая площадь кристалла флип-чип конструкции превышает площадь кристалла вертикальной конструкции в 1. 4 раза.
In this paper, AlGaInN vertical and flip-chip LED chips are compared in the view of a current spreading behavior in the active region, local temperature distributions, and chip thermal resistance. AlGaInN LED chips of vertical design with a use of silicon as a submount and flip chip LED chips with the removed sapphire substrate also placed on the silicon submount have been fabricated. The active regions of both chips were equal and made about 1mm2. It is shown that the chip surface emittance in the visible range as well as the local temperature distribution evaluted by radiation in the infrared range are more uniform for the vertical chips. Heat sink of the flip-chip LED chips is insufficient in the vicinity of n-contact, where a good thermal contact with the submount is absent. As a result, the total thermal resistances between p-n-junction and silicon submount of the LED chips of vertical design as well as of flip-chip design were approximately1K/W. In this case, the total area of the flip-chip LED chip was1. 4 times higher than that of the vertical chip.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p386-391.pdf

Доп.точки доступа:
Марков, Л. К.; Смирнова, И. П.; Павлюченко, А. С.; Кукушкин, М. В.; Васильева, Е. Д.; Черняков, А. Е.; Усиков, А. С.

Найти похожие

621.7
О-627

Оптимизация технологии нанесения тонких пленок ITO, применяемых в качестве прозрачных проводящих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов / И. П. Смирнова [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 61-66 : ил. - Библиогр.: с. 65-66 (20 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.7

621.315.592

ББК 30.68 + 31.233
Рубрики: Техника
   Обработка материалов
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
структурные свойства -- оптические свойства -- электрические свойства -- свойства пленок -- тонкие пленки -- оксид индия -- оксид олова -- InO -- ITO -- электронно-лучевое испарение -- магнетронное напыление -- электронно-лучевые пленки -- проводимость -- метод магнетронного напыления -- светодиоды -- ультрафиолетовые диапазоны
Аннотация: Исследованы структурные, оптические и электрические свойства пленок оксида индия и олова (ITO), полученных электронно-лучевым испарением, магнетронным напылением и комбинированным способом. Показано, что, несмотря на высокую прозрачность электронно-лучевых пленок ITO в видимом диапазоне, их проводимость и показатель преломления заметно ниже аналогичных параметров для пленок ITO, полученных методом магнетронного напыления. Разработана технология создания двухслойных систем способом, комбинирующим эти два метода нанесения. В результате получены пленки, которые обладают преимуществами магнетронных слоев и могут быть применены в качестве контактных слоев к области p-GaN в светодиодах синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов.
We studied structural, optical, and electrical properties of indium tin oxide (ITO) films obtained by the electron-beam evaporation, magnetron sputtering and combine method. It is shown that in spite of high transmittance of the electron-beam ITO films in the visible range, their conductivity and refractive index are appreciably lower than that for the ITO films obtained by magnetron sputtering. A fabrication technique combining these two deposition methods has been developed to form two-layered systems. As a result, we obtained the films, which have the advantages of magnetron sputtered layers and can be applied as contacts to p-GaN in the blue and near ultraviolet LEDs.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p61-66.pdf

Доп.точки доступа:
Смирнова, И. П.; Марков, Л. К.; Павлюченко, А. С.; Кукушкин, М. В.; Павлов, С. И.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); НТЦ микроэлектроники Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)НТЦ микроэлектроники Российской академии наук (Санкт-Петербург); НТЦ микроэлектроники Российской академии наук (Санкт-Петербург); НТЦ микроэлектроники Российской академии наук (Санкт-Петербург); ЗАО Инновационная фирма "ТЕТИС" (Санкт-Петербург)

Найти похожие

539.2
М 876

Мощные светодиодные кристаллы AlGaInN с двухуровневой металлизацией / Д. А. Закгейм [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1287-1293 : ил. - Библиогр.: с. 1292 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
мощные светодиодные кристаллы -- светодиодные кристаллы -- кристаллы -- AlGaInN -- двухуровневая металлизация -- металлизация -- диэлектрики -- гетероструктуры -- численное моделирование -- однородность распределения -- активная область -- светодиоды -- дифференциальное распределение -- внешняя квантовая эффективность -- квантовая эффективность
Аннотация: Сообщается о разработке и изготовлении мощного светодиодного флип-чип кристалла AlGaInN с новой топологией расположения контактных площадок. Использование двухуровневой схемы расположения металлизации с промежуточным изолирующим слоем диэлектрика позволило значительно повысить эффективность использования площади гетероструктуры (до 78%). Применение численного моделирования растекания тока при разработке топологии кристалла позволило достичь высокой однородности распределения тока накачки по площади активной области, а также низких значений дифференциального сопротивления (0. 3 Ом). На основе разработанных кристаллов были изготовлены светодиоды с максимальным значением внешней квантовой эффективности 60% и выходной оптической мощностью 542 мВт при рабочем токе накачки 350 мА.
In this paper, we report on development and fabrication of high power AlGaInN LED flip-chips with a new configuration of contact pads. Introduction of a two-level metallization scheme with a dielectric interlayer allowed for significant improving in active to total area ratio (up to 78%). Numerical simulations of current spreading were employed in chip topology development to obtain good current spreading uniformity over an active layer and low series resistance of chip (0. 3Om). Light emitting diodes based on the considered chips have demonstrated maximum external quantum efficiency 60% and optical power 542mW at operation current of 350mA.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/09/p1287-1293.pdf

Доп.точки доступа:
Закгейм, Д. А.; Иткинсон, Г. В.; Кукушкин, М. В.; Марков, Л. К.; Осипов, О. В.; Павлюченко, А. С.; Смирнова, И. П.; Черняков, А. Е.; Бауман, Д. А.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); ООО "НТС Инновации" (Санкт-Петербург); ООО "НТС Инновации" (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); ООО "НТС Инновации" (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника" (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург)ООО "НТС Инновации" (Санкт-Петербург); ООО "НТС Инновации" (Санкт-Петербург); ООО "НТС Инновации" (Санкт-Петербург)

Найти похожие

10.

539.2
П 764

Применение двухслойных пленок ITO в составе отражающих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов / Л. К. Марков [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 12. - С. 1713-1718 : ил. - Библиогр.: с. 1717-1718 (21 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

539.2

621.315.592

ББК 22.37 + 31.233
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
структурные свойства -- оптические свойства -- электронно-лучевое испарение -- магнетронное напыление -- индий -- In -- олово -- Sn -- оксиды -- поглощение света -- коэффициент отражения -- электропроводность -- светодиоды -- пленки -- поверхности пленок
Аннотация: Исследованы структурные и оптические свойства многослойных композиций ITO/SiO[2]/Ag, в которых слой ITO (оксид индия и олова) был получен двумя различными методами: электронно-лучевым испарением и комбинированным способом, включающим электронно-лучевое испарение и последующее магнетронное напыление. Показано, что отражающая способность композиции на основе пленки ITO, полученной методом электронно-лучевого испарения, существенно ниже. Это можно объяснить значительным поглощением света на обеих границах слоя SiO[2], возникающим вследствие сложного рельефа поверхности пленок ITO, напыленных электронно-лучевым испарением. Образцы с пленкой, полученной методом комбинированного нанесения, имеют коэффициент отражения на уровне 90% при нормальном падении излучения, что в совокупности с их большей электропроводностью обеспечивает им преимущество для применения в качестве отражающих контактов к области p-GaN AlInGaN-светодиодов флип-чип конструкции.
In this paper, structural and optical properties of the multi-layer compositions ITO/SiO[2]/Ag are studied. ITO layers in the system were obtained by two different ways: electronbeam evaporation and combined method including electron-beam evaporation and following magnetron sputtering deposition. It is shown that the reflectivity of the composition based on ITO film obtained by electron-beam evaporation is much less. It can be explained by considerable light absorption at both interfaces of SiO[2] layer due to the complicated rough surface relief of the ITO films deposited by electron-beam evaporation. The samples with the film obtained by the combined method demonstrated a reflection coefficient as high as 90% at normal incident of light. This fact together with higher conductivity of these films ensures them advantages for application as reflective p-contacts in AlInGaN flip-chip LEDs.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/12/p1713-1718.pdf

Доп.точки доступа:
Марков, Л. К.; Смирнова, И. П.; Павлюченко, А. С.; Кукушкин, М. В.; Закгейм, Д. А.; Павлов, С. И.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Москва); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Москва); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Москва); ЗАО Инновационная фирма "ТЕТИС" (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Москва); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Москва)

Найти похожие

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)