Библиотека Омского государственного университета им. Ф.М. Достоевского

Электронные ресурсы

Базы данных

Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска

Электронный каталог

Статьи из журналов: 2001-2014

Труды ОмГУ

История ОмГУ

Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Электронный каталог (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Галиев, Г. Б.$<.>)

Общее количество найденных документов : 22
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-22

Галиев, Г. Б.
Исследование структурного совершенства, распределения и перерапределения кремния в эпитаксиальных пленках GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В [Текст] / Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 52 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
эпитаксиальные пленки -- арсенид галлия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- рентгеновская дифрактометрия -- атомно-силовая микроскопия -- ВИМС -- термический отжиг -- легирование -- рельеф поверхности -- ионное травление
Аннотация: Методами рентгеновской дифрактометрии и ВИМС исследованы распределение кремния до и после термического отжига в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В. С помощью атомно-силового микроскопа исследованы рельефы поверхности выращенных эпитаксиальных пленок вне и внутри кратера ионного травления, возникающего во время измерения методом ВИМС. Выявлены особенности рельефа поверхности внутри кратера для разных ориентаций. Обнаруженные изменения формы профилей легирования объяснены как особенностями развития рельефа поверхности во время ионного травления при измерении методом ВИМС, так и ускоренной диффузией Si по дефектам роста

Доп.точки доступа:
Мокеров, В.Г.; Сарайкин, В.В.; Слепнев, Ю.В; Шагимуратов, Г.И.; Имамов, Р.М.; Пашаев, Э.М.

Найти похожие

621.375
Я 72

Яременко, Н. Г.
Температурные исследования фотолюминесценции модулированно-легированных структур AIGaAs/GaAs с квантовыми ямами [Текст] / Н. Г. Яременко, Г. Б. Галиев [и др.] // Радиотехника и электроника. - 2005. - Т. 50, N 9. - С. 1184-1188. - Библиогр.: с. 1188 (9 назв. ) . - ISSN 0033-8494

УДК

621.375

ББК 32.86
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника
Кл.слова (ненормированные):
спектры фотолюминесценции; квантовые ямы; фотолюминесцентная спектроскопия; двумерные электроны
Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции модулированно-легированных структур AIGaAs/GaAs с квантовыми ямами в зависимости от концентрации двумерных электронов 10{11}...2*10{12}см{-2} и температуры 77...200К. Экспериментально и теоретически показано, что увеличение легирования слабо влияет на энергию перехода между первыми квантовыми уровнями и значительно сильнее-на переходы между более высокими уровнями. Получены концентрации двумерных электронов и энергии ренормализации. Обнаружено, что при концентрациях двумерных электронов n~ (1...2) *10{11}см{-2} в фомировании спектров фотолюминесценции существенную роль играет экситонная рекомбинация, интенсивность которой контролируется процессами образования и термической ионизации экситонов.

Доп.точки доступа:
Галиев, Г. Б.; Карачевцева, М. В.; Мокеров, В. Г.; Страхов, В. А.

Найти похожие

539.2
Г 157

Галиев, Г. Б.
Влияние температуры роста спейсерного слоя на электрофизические и структурные свойства PHEMT-структур [Текст] / Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский [и др.] // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 4. - С. 50-55. - Библиогр.: c. 55 (19 назв. ) . - ISSN 0044-4642

УДК

539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
PHEMT-структуры; спейсерные слои; температура роста; электронный газ; эпитаксия
Аннотация: Изучено влияние температуры роста спейсерного слоя AlGaAs на подвижность двумерного электронного газа mue в псевдоморфных структурах AlGaAs/InGaAs/GaAs с односторонним слоем, delta-легированным кремнием. Для исследования выбраны структуры, оптимизированные с точки зрения отсутствия параллельной проводимости по легированному слою. Установлено, что в таких структурах с увеличением температуры роста спейсерного слоя от 590 до 610{o}C при неизменности остальных параметров и условий роста подвижность mue увеличивается на 53% при T=300 K и на 69 при 77. С помощью фотолюминесцентных и рентгенодифракционных измерений показано, что это связано с усовершенствованием кристаллической структуры спейсерного слоя AlGaAs и уменьшением степени размытия гетерограницы AlGaAs/InGaAs.

Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2007/04/p50-55.pdf

Доп.точки доступа:
Васильевский, И. С.; Климов, Е. А.; Мокеров, В. Г.; Черечукин, А. А.; Имамов, Р. М.; Субботин, И. А.; Пашаев, Э. М.

Найти похожие

530.1
В 192

Васильевский, И. С.
Влияние гибридизации состояний на низкотемпературный электронный транспорт в неглубоких квантовых ямах [Текст] / И. С. Васильевский, В. А. Кульбачинский [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, вып. 1. - С. 197-199. - Библиогр.: с. 199 . - ISSN 0044-4510

УДК

530.1

ББК 22.31
Рубрики: Физика--Теоретическая физика
Кл.слова (ненормированные):
гибридизация состояний; электронный транспорт; низкотемпературный электронный транспорт; квантовые ямы; неглубокие квантовые ямы
Аннотация: Исследовано влияние гибридизации состояний на низкотемпературный электронный транспорт в неглубоких квантовых ямах.

Доп.точки доступа:
Кульбачинский, В. А.; Лунин, Р. А.; Галиев, Г. Б.; Мокеров, В. Г.

Найти похожие

Нестехиометрические дефекты в Si-легированных эпитаксиальных слоях GaAs, выращенных на подложках с ориентациями (111) A и (111) В [Текст] : текст / Н. Г. Яременко [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 419, N 4, апрель. - С. 483-487. - Библиогр.: с. 487 (13 назв. ) . - ISSN 0869-5652

УДК

^a53

ББК 22.3
Рубрики: Физика
Общие вопросы физики
Кл.слова (ненормированные):
галлий -- полупроводниковые материалы -- мышьяк -- кремний -- кристаллы
Аннотация: Цель работы - изучение методом фотолюминесценции природы структурных дефектов.

Доп.точки доступа:
Яременко, Н. Г.; Галиев, Г. Б.; Карачевцева, М. В.; Мокеров, В. Г.; Страхов, В. А.

Найти похожие

Электрофизические и структурные свойства двусторонне дельта-легированных PHEMT-гетероструктур на основе AlGaAs/InGaAs/AlGaAs [Текст] / И. С. Василевский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1102-1109 . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
транзисторы -- осцилляции Шубникова-де-Гааза -- Шубникова-де-Гааза осцилляции -- жидкий гелий -- РНЕМТ-гетероструктуры -- кремний
Аннотация: Проведена оптимизация используемой для создания мощных транзисторов двусторонне дельтa-легированной кремнием псевдоморфной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/AlGaAs для получения высокой концентрации n[s] и подвижности двумерного электронного газа в квантовой яме (n[s] приближенно равно 3 10\{12\} см\{-2\}). На выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии образцах с различным уровнем легирования проведены исследования электрофизических и структурных характеристик. Показано, как при увеличении легирования изменяется подвижность и концентрация электронов при последовательном заполнении подзон размерного квантования. Для анализа распределения электронов в подзонах гетероструктуры исследовались осцилляции Шубникова-де-Гааза при температуре жидкого гелия. Качество слоев гетероструктур оценено с помощью рентгенодифракционных измерений. Данные спектроскопии фотолюминесценции хорошо согласуются с расчетами зонной структуры.

Доп.точки доступа:
Василевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Мокеров, В. Г.; Широков, С. С.; Имамов, Р. М.; Субботин, И. А.

Найти похожие

Дрейфовая скорость электронов в квантовой яме в сильных электрических полях [Текст] / В. Г. Мокеров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 478-482

УДК

^a539.2

ББК 22.37
Рубрики: Физика
Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- псевдоморфные гетероструктуры -- двумерные электроны -- полевые транзисторы -- электрические поля -- СВЧ транзисторы
Аннотация: Экспериментально обнаружено повышение, по сравнению с максимальной дрейфовой скоростью электронов в объемных материалах, максимальной дрейфовой скорости в квантовых ямах гетероструктуры AlGaAs/GaAs различной конфигурации и псевдоморфной гетероструктуры Al[0. 36]Ga[0. 64]As/In[0. 15]Ga[0. 85]As. Установлено, что полевая зависимость дрейфовой скорости двумерных электронов в GaAs и In[0. 15]Ga[0. 85]As не имеет области отрицательной дифференциальной проводимости. Насыщение дрейфовой скорости в квантовой яме GaAs имеет место в полях, в несколько раз превышающих поле, соответствующее перебросу электронов Gamma-долины в L-долину в объемном GaAs.

Доп.точки доступа:
Мокеров, В. Г.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Пожела, Ю.; Пожела, К.; Сужеделис, А.; Юцене, В.; Пашкевич, Ч.

Найти похожие

Транспорт электронов в квантовой яме In[0. 52]Al[0. 48]As/In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As с delta-легированным Si барьером в сильных электрических полях [Текст] / И. С. Васильевский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 928-933 : ил. - Библиогр.: с. 933 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

^a621.315.592

ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
Полупроводниковые материалы и изделия
Кл.слова (ненормированные):
квантовые ямы -- КЯ -- электроны -- сильные электрические поля -- легирование Si -- тонкие барьеры -- полярные оптические фононы -- ПО фононы -- интерфейсные фононы -- ИФ -- электронная проводимость -- дрейфовая скорость электронов -- двумерные каналы
Аннотация: Исследована электронная проводимость двумерного канала квантовой ямы In[0. 52]Al[0. 48]As/In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As с delta-легированным Si барьером. Показано, что введение в квантовую яму тонких барьеров InAs снижает скорость рассеяния электронов на захваченных полярных оптических и поверхностных (интерфейсных) фононах и повышает подвижность электронов. Экспериментально установлено, что за насыщение тока проводимости в канале In[0. 53]Ga[0. 47]As в сильных электрических полях ответственны не только сублинейная зависимость дрейфовой скорости электронов от электрического поля, но и изменение концентрации электронов n[s] с ростом приложенного к каналу напряжения. Эффект зависимости ns от приложенного к каналу напряжения обусловлен наличием параллельного квантовой яме In[0. 53]Ga[0. 47]As слоя зарядов ионизованных доноров в области delta-легированного Si барьера In[0. 52]Al[0. 48]As.

Доп.точки доступа:
Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Матвеев, Ю. А.; Климов, Е. А.; Пожела, Ю.; Пожела, К.; Сужеделис, А.; Пашкевич, Ч.; Юцене, В.

Найти похожие

621.315.592
П 440

Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs [Текст] / Д. С. Пономарев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 500-506 : ил. - Библиогр.: с. 505-506 (30 назв.) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

539.2^V3

ББК 31.233 + 22.37
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
Кл.слова (ненормированные):
электрофизические свойства -- гетероструктуры -- InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP -- квантовые ямы -- КЯ -- нановставки -- сверхрешетки -- СР -- эффект Шубникова - де-Гааза -- Шубникова - де-Гааза эффект -- ШдГ -- теоретический анализ -- энергетические спектры -- электроны -- волновые функции -- ВФ
Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP с составной квантовой ямой InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова-де-Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы m{*}[c] с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Предложен и апробирован подход к оценке эффективной массы, основанный на весовом усреднении m{*}[c] в составляющих сложную квантовую яму материалах. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в квантовых ямах нановставками InAs позволяет уменьшить m{*}[c] на 26 % по сравнению с решеточно-согласованной квантовой ямой In[0. 53]Ga[0. 47]As.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p500-506.pdf

Доп.точки доступа:
Пономарев, Д. С.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Хабибуллин, Р. А.; Кульбачинский, В. А.; Юзеева, Н. А.

Найти похожие

10.

621.315.592
Р 244

Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов [Текст] / Р. А. Хабибуллин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1373-1378 : ил. - Библиогр.: с. 1377-1378 (33 назв. ) . - ISSN 0015-3222

УДК

621.315.592^V3

537.533/.534^V3

ББК 31.233 + 22.338
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия
   Физика
   Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях
Кл.слова (ненормированные):
молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- HFET-структуры -- комбинированно-легированные структуры -- структуры -- электроны -- двумерные электроны -- 2D электроны -- рассеяние электронов -- квантовые ямы -- КЯ -- комбинированное легирование -- электронные транспортные свойства -- гетероструктуры -- легирование кремния -- AlGaAs/InGaAs/AlGaAs -- переходные слои -- ПС -- границы раздела -- подвижность электронов -- электронная подвижность -- ионизированные примеси
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии были выращены структуры, отличающиеся способом и степенью легирования с высокой концентрацией двумерных электронов n[s] в квантовой яме. Исследовано применение комбинированного легирования, сочетающего в себе однородное и delta-легирование, на электронные транспортные свойства гетероструктур. Предложен новый тип структуры с двусторонним delta-легированием кремнием переходных слоев GaAs, расположенных на границах квантовой ямы. При таком легировании одновременно с высокой концентрацией электронов, n[s]=1. 37 x 10{13} см{-2}, получено наибольшее значение электронной подвижности mu[H]=1520 см{2}/ (В x с) при 300 K. Это связано с уменьшением рассеяния электронов на ионизированной примеси, что подтверждается проведенными расчетами.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1373-1378.pdf

Доп.точки доступа:
Хабибуллин, Р. А.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Пономарев, Д. С.; Лунин, Р. А.; Кульбачинский, В. А.

Найти похожие

1-10 11-20 21-22

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)