Электронные ресурсы

Базы данных


Статьи из журналов: 2001-2014 - результаты поиска

Вид поиска
Электронный каталог
Статьи из журналов: 2001-2014
Труды ОмГУ
История ОмГУ
Сводный каталог периодических изданий вузовских библиотек г.Омска
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=электронное туннелирование<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.
539.19
К 445

    Кислов, В. В.
    Электронный транспорт через молекулярный нанокластер [Текст] / В. В. Кислов, В. В. Колесов, И. В. Таранов // Радиотехника и электроника. - 2002. - Т.47,N11. - Библиогр.:с.1390 (10 назв.) . - ISSN 0033-8494
УДК
539.19
Рубрики: Физика--Молекулярная физика
Кл.слова (ненормированные):
кулоновская лестница -- кулоновское взаимодействие -- молекулярные нанокластеры -- нанокластеры -- туннельный ток -- электронное туннелирование -- электронный транспорт -- электроны
Аннотация: Рассмотрена модель туннельного транспорта через молекулярный нанокластер, содержащий конечное число изолированных локальных уровней. В рамках рассматриваемой модели исследовано одноэлектронное резонансное туннелирование при конечной температуре при учете электрон-электронного кулоновского взаимодействия. Показано, что вольт-амперная характеристика такого туннельного перехода имеет вид кулоновской лестницы, однако число ступеней лестницы равно числу дискретных уровней нанокластера и фронт каждой ступени является асимптотически линейным с конечным наклоном. Вычислены вольт-амперные характеристики, которые находятся в соответствии с полученными ранее экспериментальными данными для туннельного тока через молекулярные нанокластерные объекты при комнатной температуре.

Перейти: http://www.maik.ru

Доп.точки доступа:
Колесов, В.В.; Таранов, И.В.

Найти похожие
2.


   
    Резонансный пробой кулоновской блокады механическими колебаниями квантовой точки [Текст] / А. Г. Погосов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып: вып. 8. - С. 626-629
УДК
^a530.145
ББК 22.314
Рубрики: Физика
   Квантовая механика
Кл.слова (ненормированные):
кулоновская блокада -- колебания квантовой точки -- резонансный пробой -- одноэлектронные транзисторы -- электронное туннелирование -- кондактанс транзистора
Аннотация: Исследовано влияние вынужденных механических колебаний подвешенного одноэлектронного транзистора на электронное туннелирование через квантовую точку, ограниченное кулоновской блокадой. Показано, что механические колебания квантовой точки приводят к пробою кулоновской блокады, что проявляется в виде узких резонансных пиков на зависимости кондактанса транзистора от частоты возбуждения при частотах, соответствующих собственным модам механических колебаний. Обсуждается механизм наблюдаемого эффекта, предположительно связанный с колебаниями взаимных электрических емкостей между квантовой точкой и окружающими электродами.


Доп.точки доступа:
Погосов, А. Г.; Буданцев, М. В.; Шевырин, А. А.; Плотников, А. Е.; Бакаров, А. К.; Торопов, А. И.

Найти похожие
3.
544
И 734

   
    Интерференционная блокада электронного туннелирования и псевдофарадеевская гиперемкость для нанокомпозитов с SiO[2] [Текст] / И. И. Григорчак [и др.] // Журнал физической химии. - 2012. - Т. 86, № 1. - С. 107-112. - Библиогр.: c. 112 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4537
УДК
544
ББК 24.5
Рубрики: Химия
   Физическая химия в целом
Кл.слова (ненормированные):
интерференционная блокада -- квантово-механический эффект -- нанокомпозиты -- неметаллические наночастицы -- псевдофарадеевская гиперемкость -- электронное туннелирование
Аннотация: Исследованы термодинамические и кинетические закономерности литиевой интеркаляции в нанокомпозиты SiO[2]. Установлена зависимость дифференциальной емкости и кинетических параметров интеркаляции от размеров частиц нанокомпозитов. Согласно результатам теоретического анализа сделан вывод, что полученные зависимости являются следствием квантово-механического эффекта интерференционной блокады электронного туннеллировання в неметаллическую наночастицу.


Доп.точки доступа:
Григорчак, И. И.; Лукиянец, Б. А.; Пидлужна, А. Ю.; Матулка, Д. В.; Миронюк, И. Ф.

Найти похожие
4.
539.2
Б 779

    Бойло, И. В.
    Анализ дефектной структуры приповерхностных слоев проводящих материалов с помощью эффекта электронного туннелирования [Текст] / И. В. Бойло, авт. М. А. Белоголовский // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 4. - С. 76-82 : ил. - Библиогр.: с. 82 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
УДК
539.2^V3
53.07^V3
ББК 22.37 + 22.3с
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом
   Физические приборы и методы физического эксперимента
Кл.слова (ненормированные):
проводящие материалы -- приповерхностные слои -- дефектные структуры -- гетероструктуры -- туннельные характеристики -- расчет характеристик -- электронное туннелирование -- эффекты туннелирования -- изоляторы (физика) -- пленки изоляторов -- наноразмерные пленки -- дифференциальная проводимость -- низкие температуры -- напряжения -- электроды -- металлические электроды -- серебро -- туннельные контакты -- проводящие пленки -- манганиты -- купраты
Аннотация: Предложен общий подход к расчету туннельных характеристик гетероструктур с наноразмерными разупорядоченными пленками изолятора, основанный на учете эффектов упругого и неупругого туннелирования. Показано, что нахождение показателя степени в зависимости дифференциальной проводимости таких контактов от напряжения, измеренной при низких температурах, позволяет выяснить структуру переходного слоя между металлическими электродами. В качестве примера приведен анализ туннельных кривых для контактов серебра с проводящими пленками манганитов и купратов.

Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/04/p76-82.pdf

Доп.точки доступа:
Белоголовский, М. А.

Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
Распределенный
По словарю
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)